IGBT 有三個端子（集電極、發射極和柵極）都附有金屬層。然而，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。
2024-03-18 16:17:28
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近日，國內半導體功率器件領軍企業揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產品
2024-03-16 10:48:19558 本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
近日，全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經過改良設計的INT-A-PAK封裝。新款產品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 作為電力電子行業里的“CPU”，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是國際上公認的電子革命中最具代表性的產品。將多個IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT模塊，其功率更大、散熱能力更強，在新能源汽車領域
2024-03-11 17:12:05587 
Vishay近期發布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運用Vishay領先
2024-03-08 11:45:51266 IGBT應用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動變頻器，此時這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機電機控制中，IGBT經常燒壞，主要有哪些原因導致它損壞。
2024-02-22 17:58:38
IGBT模塊或者單管應用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實驗時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達到穩定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT在結構上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個 P+基板（IGBT 的集電極），形成PN 結 J1，并由此引出漏極，柵極和源極則完全與MOSFET相似。
2024-02-19 15:01:12770 
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發生退飽和現象？ IGBT是一種高性能功率半導體器件，結合了MOSFET和BJT的優點。它在高電壓和高電流應用中具有低開啟電阻、低導通壓降和高開關速度等優點
2024-02-19 14:33:28472 IGBT應用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應用的半導體器件。在實際應用中，IGBT可能會遭遇多種短路類型。下面，我將詳細介紹IGBT應用中常見的短路類型。 1. IGBT內部開路
2024-02-18 10:21:57222 到優質的客戶。同時，我們的產品利潤也因此而高一些，薩科微半導體技術創新的IGBT模塊封裝技術，新產品毛利達到50％帶來了好的經濟效益，就有錢繼續投資研發新技術新產品，會帶來新一輪的增長。公司內部也鼓勵員工
2024-01-31 11:38:47
。IGBT的應用領域廣泛，包括變頻器、電機驅動、電力電子設備等。 IGBT模塊是指將多個IGBT芯片和驅動電路封裝在一個模塊內，使得IGBT能夠方便地進行安裝和維護。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:231080 ，在眾多功率半導體器件中脫穎而出，成為當今電力電子領域的研究與應用熱點。然而，隨著IGBT功率等級的提升和封裝尺寸的縮小，傳統的焊接技術已經難以滿足IGBT模塊日
2024-01-18 09:54:45436 
驅動器、逆變器和電動汽車等。 識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管可以通過以下步驟進行： 1. 外形識別 IGBT晶體管通常有有特定的外觀特征，其封裝一般較大且多為模塊封裝。最常見的封裝類型有TO-220、TO-247、TO-3P等。在封裝上通常會標有器件型號、廠商標志或批次號等
2024-01-12 11:18:10350 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種半導體器件，具有高輸入阻抗、低導通壓降和高電流容量等特點。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優點，廣泛應用于電力電子
2024-01-10 17:35:21381 
等領域。本文將對IGBT的內部結構及工作原理進行詳細介紹。 一、IGBT的內部結構 IGBT主要由四層半導體材料構成，分別是P型、N型、P型和N型。從上到下依次為：發射極、集電極、P型基區和N型基區。在P型基區和N型基區之間有一個PN結，這個PN結被稱為內建
2024-01-10 16:13:10372 
IGBT模塊的封裝技術難度高，高可靠性設計和封裝工藝控制是其技術難點。IGBT模塊具有使用時間長的特點，汽車級模塊的使用時間可達15年。因此在封裝過程中，模塊對產品的可靠性和質量穩定性要求非常高。高可靠性設計需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數、高集成度。
2023-12-29 09:45:05596 
結組成。IGBT的結構內部包含一個N型控制層，兩個P型區域和一個N型區域。 與之相比，IGCT是一種集成式門級可控晶閘管。它由一個內部控制結構和一個
2023-12-25 15:09:09399 IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡稱，中文稱作絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT (雙極型三極管) 和MOS (絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-12-12 09:54:34659 
英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領先的半導體公司，專注于電力管理、汽車和電動汽車解決方案、智能家居和建筑自動化、工業自動化、醫療、安全和物聯網等領域。在電力管理領域，英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469 IGBT行業的門檻非常高。除了芯片的設計和生產，IGBT模塊封裝測試的開發和生產等環節同樣有著非常高的技術要求和工藝要求。
2023-12-07 10:05:35709 
本文的關鍵要點 以實際的IPM產品為例，介紹了封裝類型、外形尺寸、引腳配置、印標和散熱器安裝方法等內容。 本文將為大家介紹IGBT IPM的封裝。與 上一篇 中的示例一樣，在本文中我們也以ROHM
2023-12-07 09:30:02263 
在《IGBT的物理結構模型》中，我們將IGBT內部PIN結切分成了PIN1和PIN2（見上一節插圖）， 因為PIN1與溝槽所構成的MOS串聯
2023-12-01 10:43:06395 
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同，如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07707 
IGBT模塊的封裝技術難度高，高可靠性設計和封裝工藝控制是其技術難點。
2023-11-21 15:49:45673 
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，是一種三端半導體開關器件，可用于多種電子設備中的高效快速開關。
IGBT 主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調制 (PWM) 切換/處理復雜的波形。
你可以看到輸入側代表具有柵極端子的 MOS管，輸出側代表具有集電極和發射極的 BJT。
2023-11-17 09:39:09478 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281260 用萬用表檢測IGBT好壞時一定要將萬用表設置在R×10KΩ，因為R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，在檢測過程中無法使IGBT導通，從而無法判斷IGBT的好壞。
2023-11-09 15:21:571209 什么是igbt短路測試？igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 文章轉自：屹立芯創公眾號 IGBT技術發展趨勢 （1）高功率密度 電力電子產品其實有一個使命，就是不斷地去減少損耗，不斷地去提升功率密度。要實現高功率密度，可以從三個維度去考慮。 第一點是低損耗
2023-11-06 15:07:42140 MOSFET和IGBT內部結構不同，決定了其應用領域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
IGBT是新型功率半導體器件中的主流器件，已廣泛應用于多個產業領域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰。
2023-10-31 09:53:451106 半導體產品在由二維向三維發展，從技術發展方向半導體產品出現了系統級封裝（SiP）等新的封裝方式，從技術實現方法出現了倒裝（FlipChip），凸塊（Bumping），晶圓級封裝（Waferlevelpackage），2.5D封裝（interposer，RDL等），3D封裝（TSV）等先進封裝技術。
2023-10-31 09:16:29835 
IGBT模塊是由IGBT芯片（絕緣柵雙極型晶體管）和FWD芯片（續流二極管芯片）通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導體產品。因其具備節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點，按照其電壓的高低，可以分為高壓
2023-10-23 16:26:191032 
絕緣柵雙極晶體管，是一種高速開關器件，常用于功率電子應用領域。其工作原理是基于雙極晶體管和場效應管的原理結合而成的。在IGBT內部，由P型硅和N型硅交替排列形成NPNP結構，其中兩個P型區域分別與兩個N型區域相接，形成PN結，而在兩個P型區域之間還有一個N型區域，形成一個N通道結構。這個N型區域被稱為增
2023-10-19 17:08:082592 igbt怎樣導通和關斷？igbt的導通和關斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開關。IGBT由P型注入區、N型襯底
2023-10-19 17:08:028155 igbt模塊的作用和功能 igbt有電導調制效應嗎？ IGBT模塊是一種封裝了多個IGBT晶體管、驅動電路和保護電路的半導體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號轉換成高電壓低電流的輸出信號，而且
2023-10-19 17:01:221313 工藝集成電路芯片及模塊封裝的代工服務的制造商。技術上，立足于場截止型（Field Stop）IGBT結構，采用業界先進的背面加工工藝，包括背面減薄工藝、離子注入、激光退火及特殊金屬沉積工藝。600V
2023-10-16 11:00:14
IGBT是變頻器的核心部件，自然要分外關注。 在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實物圖+電路符號圖 你可以把IGBT看作BJT和MOS管的融合
2023-10-16 10:28:541213 
IGBT 功率模塊的開關特性是由它的內部結構，內部的寄生電容和內部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
逆變器IGBT模塊的應用分析(1)根據負載的工作電壓和額定電流，以及使用頻率，選擇合適規格的模塊。使用模塊前，請詳細閱讀模塊參數數據表，了解模塊的各項技術指標;根據模塊的技術參數確定使用方案，計算
2023-09-20 17:49:521052 
晶振為什么沒有封裝進STM32芯片內部？
2023-09-18 16:24:32522 
在半導體行業和電子研究中，拆解芯片的封裝以查看其內部結構是一項常見的任務。這可以用于驗證設計、逆向工程、故障分析或其他研究目的。但這不是一個簡單的任務，拆解芯片封裝需要專業的技術和工具。本文將為您詳細介紹如何拆解芯片封裝并查看其內部。
2023-09-15 09:09:00892 
共封裝技術逐漸成為了一種重要的封裝方式，它可以實現光信號和電信號的快速轉換和處理，并且具有體積小、重量輕、可靠性高等優點，因此在現代通信系統中得到了廣泛應用。本文主要
2023-09-14 09:19:46686 
焊線封裝是半導體封裝過程中的一種關鍵技術，用于連接芯片和外部電路。隨著半導體技術的進步，焊線封裝也經歷了多種技術的發展和創新。以下是關于焊線封裝技術的詳細介紹。
2023-09-13 09:31:25719 
IGBT是一種半導體器件，以其高效率和快速切換速度而聞名。除了在焊接領域廣泛應用外，IGBT還被廣泛用于家用電器、高科技音響、電動汽車以及其他節能汽車等領域。盡管焊接供應單元通常相對簡單，但IGBT
2023-09-11 15:35:482944 
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產品型號為 JHY140N120HA。產品外觀和內部電路拓撲如下圖所示。
2023-08-25 15:40:571056 
? IGBT模塊內部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當IGBT1開通關斷時的電壓電流波形如圖1所示，Lσ代表整個換流回路（條紋區域內）所有的雜散電感之和（電容器，母排，IGBT模塊
2023-08-18 09:08:182216 
第24屆電子封裝技術國際會議（ICEPT2023）于近日在新疆召開，來自海內外學術界和產業界超700名專家學者、研究人員、企業人士齊聚一堂，共話先進封裝技術創新、學術交流與國際合作。長電科技董事
2023-08-15 13:34:16299 場
終止 ( FS) 層 n 型注入劑量和集電區硼注入劑量對 IGBT 芯片內部熱點位置變化的影響進行了研
究。仿真結果表明，提高 FS 層 n 型注入劑量可將熱點由元胞溝道轉移到 FS /n－
結附近，有利于
IGBT 抗短路能力的提升; 通過對 FS 層和集電區注入劑量的優化，通態壓降在常溫和高溫
2023-08-08 10:14:47
0 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙 極型三極管）和 MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體
2023-08-08 10:14:122 車用IGBT器件技術概述
2023-08-08 10:00:312 IGBT模塊動態參數是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區時間、驅動功率等的重要依據，本文重點討論以下動態參數：模塊內部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數、柵極充電電荷、IGBT開關時間參數，結合IGBT模塊靜態參數可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543284 
根據IGBT的產品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301501 
使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實上，許多此類應用仍然適合繼續使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結構和運行，并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結構，然后探討這種多用途可靠技術的新興拓撲結構。 IGBT 器件結構 簡而言之，IGBT 是由 4 個交替層 (P-
2023-07-03 20:15:011224 發展、IGBT芯片研發、創新材料、工藝制造及應用等方面展開探討。 ? ? ?翠展微電子研發副總吳瑞先生應邀作為此次論壇的演講嘉賓，并做《一體化高性能逆變磚模塊技術研究》主體演講，結合功率模塊封裝的發展趨勢、先進功率半導體封裝技術、一體化高性能逆變磚模塊及產品介紹
2023-07-03 12:10:05798 。簡單概括一下，IGBT可以說是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT的結合體（雙極結型晶體管）。即它結合了MOSFET的柵壓控制晶體管（高輸入阻抗），利用BJT的雙載流子來達到大電流的目的（壓控雙極型器件）。那么這樣的組合內部結構是怎樣的呢？
2023-07-03 09:40:151206 
IGBT技術在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創新。新一代IGBT產品在提高開關速度、降低開關損耗、增強耐壓能力等方面取得了顯著進展，提高了系統效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919 IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細講解，可以作為工藝工程師的一個參考和指導。
絲網印刷目的：
將錫膏按設定圖形印刷于DBC銅板表面，為自動貼片做好前期準備
設備：
BS1300半自動對位SMT錫漿絲印機
2023-06-19 17:06:410 作為IGBT技術的供應商之一，華潤微在產品性能和技術創新方面具備競爭優勢。其所提供的IGBT產品具有低導通電阻、低開關損耗、高耐受電壓和高溫度工作能力等特點，能夠滿足汽車行業對功率器件的高要求。
2023-06-19 16:53:15421 Fab 6 是臺積電首個一體式先進封裝測試工廠，是臺積電不斷增加的封裝投資的一部分。該晶圓廠已準備好量產臺積電 SoIC 封裝技術。請記住，當臺積電說量產時，他們指的是 Apple iPhone 尺寸的量產，而不是工程樣品或內部產品。
2023-06-19 11:25:56219 
沒有找到NUC505 內部Flash的技術說明，需要了解Flash的分頁/分塊結構,擦除寫入時間等?
通過執行DemoMFGID_EON= 0x1C
2023-06-16 07:44:54
IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29583 
IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
在過去的半個多世紀以來，摩爾定律以晶體管微縮技術推動了集成電路性能的不斷提升，但隨著晶體管微縮遇到技術和成本挑戰，以先進封裝為代表的行業創新，在支持系統擴展需求、降低系統成本等方面發揮越來越大的作用
2023-05-29 14:27:51448 在過去的半個多世紀以來，摩爾定律以晶體管微縮技術推動了集成電路性能的不斷提升，但隨著晶體管微縮遇到技術和成本挑戰，以先進封裝為代表的行業創新，在支持系統擴展需求、降低系統成本等方面發揮越來越大的作用
2023-05-26 16:53:50343 IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231245 
單元，IGBT模塊得到越來越廣泛的應用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種，其中焊接式發展成熟，應用廣泛。IGBT模塊的封裝結構比較復雜，是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522944 
新品120-200A750VEDT2工業級分立IGBT120-200A750VEDT2工業級分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產品型號
2023-05-18 09:41:31856 
隨著IGBT的耗散功率和開關頻率不斷增大，以及工作環境嚴苛，使得IGBT模塊產生大量的熱量，由于模塊內的熱量無法及時得到釋放，從而引起模塊內部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25511 
激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT背面工藝的重要步驟。對離子注入后的硅基IGBT圓片背面進行激光快速退火，實現激活深度，有效修復離子注入破壞的晶格結構。隨著IGBT技術發展和薄片加工工藝研發
2023-05-16 10:45:11897 
制造工藝對封裝技術的影響，探究了各種半導體封裝內部連接方式之間的相互關系，旨在為我國半導體封裝技術應用水平的快速提升帶來更多參考和啟迪。
2023-05-16 10:06:00497 IGBT作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、工業節能、電動汽車與新能源裝備等領域應用極為廣泛，被譽為半導體皇冠上的明珠。
2023-04-28 09:05:20916 
貞光科技從車規微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號處理芯片、存儲芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產業鏈供應解決方案！前言01IGBT作為國家戰略性新興產業
2023-04-25 17:03:05528 
IGBT絕緣柵雙極型晶體管一簡介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT
2023-04-20 09:54:432097 4月18日,長電科技董事、首席執行長鄭力出席第25屆中國集成電路制造年會暨供應鏈創新發展大會(CICD)高峰論壇,并發表題為《高性能封裝承載集成電路成品制造技術持續創新》的主題演講。 鄭力表示
2023-04-19 09:57:00348 
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具有高輸入阻抗和低導通壓降的優點。
2023-04-15 14:23:581287 泛的應用和發展，有望推動計算機和移動設備等領域的技術進步和創新。 BGA封裝技術的普及也為電子產品的設計、制造和應用帶來了便利。同時，也為電子產品的可靠性、穩定性和性能提升帶來了很大的幫助。因此，BGA
2023-04-11 15:52:37
模塊內部左上方還集成了一個單獨的IGBT，邊上還有一個相應的小的二極管。用于制動的和由于這個IGBT的面積小，所以功率電流小，用于制動，也就是制動單元。
2023-04-11 10:20:372891 IGBT是高頻開關器件，芯片內部的電流密度大。當發生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結溫升高，導致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。
2023-04-06 17:31:175475 
根據應用場景的電壓不同，IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型，其中新能源汽車、工業控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主，而軌道交通、新能源發電和智能電網等對電壓要求較高，主要使用高壓IGBT。
2023-04-04 11:14:371956 智能燃氣表在進行數據記錄、傳輸等工作都是依靠內部芯片來完成，基于它的重要作用，大多數廠家都會在時使用灌封膠對其進行封裝保護，以此來確保它的穩定運行。
2023-03-31 17:49:47672 
IGBT模塊是由不同的材料層構成，如金屬，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內部用來改善器件相關熱性能的硅膠。
2023-03-29 17:21:04561 溝道高速IGBT及場阻技術
2023-03-28 12:56:28
國內龐大的市場基礎、 潛在的電力電子裝備關鍵器件完全依靠進口的風險和國家產業升級共同推動了本土IGBT芯片設計、模塊封裝的技術進步和創新。
2023-03-27 09:34:091296 IGBT與MOSFET不同，內部沒有寄生的反向二極管，因此在實際使用中(感性負載)需要搭配適當的快恢復二極管。
2023-03-24 11:11:0021906
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