電子發燒友網站提供《采用雙隨機展頻技術的LM5157 2.2MHz 寬VIN 50V升壓/SEPIC/反激式轉換器數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 09:34:520 電子發燒友網站提供《具有1.8V邏輯電平的汽車類50V、低RON、1:1 (SPST)、 4通道精密開關TMUX7612-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 11:05:010 電子發燒友網站提供《具有1.8V邏輯電平的50V、低RON、1:1 (SPST)、4通道精密開關TMUX7612數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 10:44:550 - MRFE6VP6300H 晶體管 230MHz 評估板
2024-03-14 23:16:12
- MRFE6VP6300H 晶體管 87.5MHz ~ 108MHz 評估板
2024-03-14 23:16:12
ART450FE功率LDMOS晶體管這款 450 W LDMOS RF 晶體管基于先進耐用技術 (ART),旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應用。無與倫比的晶體管的頻率范圍為 1 MHz 至
2024-02-29 21:01:06
ART1K6FHG功率LDMOS晶體管 這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進耐用技術 (ART),旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1
2024-02-29 20:57:46
ART1K6FHS ART1K6FHS 功率LDMOS晶體管這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進耐用技術 (ART),旨在涵蓋 ISM、廣播
2024-02-29 20:57:05
ART1K6FH 功率LDMOS晶體管 這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進耐用技術 (ART),旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應用。不匹配的晶體管
2024-02-29 20:54:35
ART150FE 功率LDMOS晶體管 這款 150 W LDMOS RF 晶體管基于先進耐用技術 (ART),旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應用。無與倫比的晶體管的頻率范圍為 1
2024-02-29 20:54:05
ART35FE 功率LDMOS晶體管 ART35FE 基于先進耐用技術 (ART),設計了用于 ISM 應用的 35 W LDMOS 晶體管。這款無與倫比的設備覆蓋 1 MHz
2024-02-29 20:53:31
ART2K0FE功率LDMOS晶體管這款 2000 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進耐用技術 (ART),旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1 MHz 至
2024-02-29 20:53:01
ART1K6PH 功率LDMOS晶體管這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進耐用技術 (ART),旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1 MHz 至
2024-02-29 20:51:49
ART1K6PHGART1K6PHG 功率LDMOS晶體管這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進耐用技術 (ART),旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應用。不匹配的晶體管的頻率
2024-02-29 20:51:15
BLA9H0912LS-1200PBLA9H0912LS LDMOS 航空電子功率晶體管1200 W LDMOS 功率晶體管,適用于頻率范圍為 960 MHz 至 1215 MHz 的航空電子
2024-02-29 19:12:23
BLA9H0912LS-700 功率LDMOS晶體管700 W LDMOS 功率晶體管,適用于頻率范圍為 960 MHz 至 1215 MHz 的航空電子
2024-02-29 17:57:41
BLA9H0912LS-250BLA9H0912LS-250 LDMOS 航空電子功率晶體管250 W LDMOS 功率晶體管,適用于頻率范圍為 960 MHz 至 1215 MHz
2024-02-29 17:55:52
BLP15H9S30GXYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管,0.001 至 1.5 GHz,30 W,21 dB,50 V,SOT1483-1,LDMOS零件號: 
2024-02-29 16:13:32
BLP15H9S100GZAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管,0.001 至 1.5 GHz,100 W,19 dB,50 V,SOT1483-1,LDMOSPart
2024-02-29 16:12:46
電子發燒友網站提供《50V 輸入電壓、50mA 超高電壓線性穩壓器TPS7A4101數據表.pdf》資料免費下載
2024-02-29 16:04:220 BLP9G0722-20G 功率LDMOS晶體管20 W 塑料 LDMOS 功率晶體管,適用于頻率為 100 MHz 至 2700 MHz 的基站應用。BLP9G0722-20G
2024-02-29 13:46:41
電磁爐功率管是電磁爐的核心部件,其性能好壞直接影響著電磁爐的加熱效果和使用壽命。在測量電磁爐功率管的好壞之前,我們首先要了解什么是功率管以及它的工作原理。 電磁爐功率管是一種半導體器件,常用的功率管
2024-02-03 10:54:15489 24V 36V 48V 60V 72V 80V轉3V 9V 12V 24V 36V等不同的電壓輸出。
mos管選型建議
01需要抗電流沖擊的,普通邏輯開關或者工作頻率很低比如50kHZ以內的,電流非常大
2024-01-20 15:30:35
LTC3777 設計24V輸入,輸出80V,10A,實際測試只能輸出50V電壓,平均電流環已取消,輸出電壓提不上去,找不到原因。更換過電感、提高頻率、提高電流濾波電容等參數,幾乎起不到提高電壓的效果。
2024-01-05 07:57:12
采用LTC7801制作降壓電路,輸入電源電壓范圍為40-140V; 在40-50V時工作正常,輸出為設計的37V;當輸入電壓高于50V時,無輸出,經檢查,發現PIN19 連接VIN的2.2ohm電阻已燒斷。
2024-01-05 06:07:58
設計一個電源輸入50-100V輸出24V,空載情況下,在電源從50V慢慢增加到80V時,出現輸出電壓向上增加的情況電源輸出異常,但再次降低電壓,重啟空載輸出正常,一旦電壓超過80V就出問題,不知道什么原因啊?
2024-01-04 06:34:51
用官方開發板的電路,改成了下圖的電路,空載輸出30多V是可以的,50V就直接燒毀LT8641芯片了。請問是怎么回事?
2024-01-03 08:49:00
式封裝,能夠實現最好電氣和熱穩定性。特征輸入不適配180W(CW)最低功率250W典型功率24dB典型小信號增益值28V和50V使用應用領域雷達探測醫療保健寬帶放大器信息安全VHF-UHF國防軍
2024-01-02 12:05:47
想問一下關于ad9681開發板的輸出值與輸入值之間的關系公式。
使用ad9681的開發板對峰峰值Vp-p=1.4V的正弦信號采樣,得到的采樣值為Vp-p=0.48V。不知道是怎么回事。
2023-12-18 06:25:59
SGCA030M1H型號簡介Sumitomo的 GaN HEMT SGCA030M1H提供高功率,高效、易于匹配和DC更大的一致性5GHz高功率應用,50V操作。 型號規格 
2023-12-17 20:18:23
SGN2729-600H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R為s波段雷達應用提供高功率、高效率和更高的一致性,覆蓋2.7至2.9 GHz,工作電壓為50V
2023-12-17 10:56:07
LDMOS屬于功率半導體器件,主要應用于高壓場合。而針對高壓芯片的ESD防護領域,可采取GGNLDMOS的設計思路。
2023-12-06 13:54:18930 SGCA100M1H 型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGCA100M1H提供高功率,高效、易于匹配和DC更大的一致性4GHz高功率應用,50V操作。型號規格  
2023-12-05 19:42:39
F658-H130M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT F658-H130M1H提供高功率、高效率、易于匹配直流至3GHz高功率的更大一致性50V操作的應用程序。型號規格  
2023-12-05 19:09:33
功率管的開關波形對尖峰干擾的影響與抑制 在工業和電子領域廣泛應用的功率管,在各個系統中起到了至關重要的作用。然而,功率管在開關過程中往往會引起尖峰干擾,對系統的穩定性和工作效果產生一定的負面影響
2023-11-29 10:55:56331 智能功率管理技術在電源適配器中的應用有哪些? 智能功率管理技術是指通過智能化的電源適配器來管理電力的傳輸和使用,以提高電能的效率和可靠性,減少能源的浪費。它涉及到多種技術和方法,包括智能調控電壓
2023-11-23 15:33:51332 需要使用AD5522設計50V/3A輸出的擴壓擴流,下面這種原理圖方式是否合理?尤其是EXTMEASILx 這個是否可以接地? 感謝
2023-11-14 08:03:52
基于紫光同創PGL50H-6IFBG484的光端機方案展示#小眼睛FPGA#紫光同創#國產FPGA方案@小眼睛科技~~
2023-11-02 17:44:26
一 主要特點LD-15A-50V 是一個輸入電壓范圍 7V~50V,輸出恒流 0~15A50V,自適應電壓范圍 0V~50V 的大功率 LD 鋁基板恒流源驅動模塊,該模塊經過 2 代產品
2023-10-27 10:34:56
功率管怎么看型號大小?功率管上的數字代表什么意思? 功率管是電子元件領域中非常常見的組件,其主要功能是轉換電流和電壓。不同型號的功率管適用于不同的電子設備和電路。一個功率管的大小和數字代表不同的特性
2023-09-02 11:25:573560 功率管的三個極的作用 功率管,也稱功率晶體管,是一種高功率、大電流、高頻率的放大器,用于將小信號放大成大信號。它是半導體器件的一種,由三個極(即基極、集電極和發射極)組成,這三個極在功率管的運行中都
2023-09-02 11:25:551529 功率管的工作原理 功率管怎么判斷好壞?功率管怎么測量? 一、功率管的工作原理 功率管是一種能夠控制高功率信號的放大器,在通信、電視、雷達等領域都有廣泛應用。其主要工作原理是通過對輸入信號進行放大
2023-09-02 11:14:102954 HI-6300是軍用和商用的MIL-STD-1553/MIL-STD-1760 IP核心。該核心基于Holt為MIL-STD-1553獨立驗證的單片協議IC,即Holt的HI-6130
2023-08-17 17:45:41
這是一款直流電源,可為您提供 50V/3A 輸出,經過調節和穩定。
2023-08-11 16:37:42658 高功率 RF LDMOS FET 1000 W;50V;1030 / 1090 兆赫PTVA101K02EV LDMOS FET 設計用于 1030 MHz / 1090 MHz 頻段的功率
2023-08-09 11:53:07
高功率 RF LDMOS FET 700 W;50V;470 – 806 兆赫PTVA047002EV LDMOS FET 設計用于 470 MHz 至 806 MHz 頻段的功率放大器應用。其特點
2023-08-09 11:45:32
高功率 RF LDMOS FET 700 W;50V;1200 – 1400 兆赫PTVA127002EV LDMOS FET 設計用于 1200 至 1400 MHz 頻段的功率放大器應用。其特點
2023-08-09 11:40:24
高功率 RF LDMOS FET 500 W;50V;390 – 450 兆赫PTVA035002EV LDMOS FET 設計用于 390 MHz 至 450 MHz 頻段的功率放大器應用。其特點
2023-08-09 10:00:12
高功率 RF LDMOS FET 450 W;50V;960 – 1215 兆赫PTVA104501EH LDMOS FET 設計用于 960 至 1215 MHz 頻段的功率放大器應用。其特點包括
2023-08-09 09:50:08
高功率 RF LDMOS FET 350 W;50V;1200 – 1400 兆赫 PTVA123501EC 和 PTVA123501FC LDMOS FET 設計用于 1200 MHz
2023-08-09 09:47:50
高功率 RF LDMOS FET 350 W;50V;1200 – 1400 兆赫 PTVA123501EC 和 PTVA123501FC LDMOS FET 設計用于 1200 MHz
2023-08-09 09:45:33
高功率 RF LDMOS FET 200 W;50V;960 – 1600 兆赫PTVA102001EA 是一款 200 瓦 LDMOS FET,適用于 960 至 1600 MHz 頻段
2023-08-09 09:39:16
高功率 RF LDMOS FET 50 W;50V;1200 – 1400 兆赫PTVA120501EA LDMOS FET 設計用于 1200 至 1400 MHz 頻段的功率放大器應用。其特點
2023-08-09 09:36:05
高功率 RF LDMOS FET 12 W;50V;390 – 450 兆赫PTVA030121EA 是一款 LDMOS FET,適用于 390 MHz 至 450 MHz 頻段的功率
2023-08-09 09:26:07
高功率 RF LDMOS FET 350 W;50V;470 – 860 兆赫PTVA043502EC 和 PTVA043502FC 是 LDMOS FET,設計用于 470 至 860 MHz
2023-08-07 14:43:55
高功率 RF LDMOS FET 350 W;50V;470 – 860 兆赫PTVA043502EC 和 PTVA043502FC 是 LDMOS FET,設計用于 470 至 860 MHz
2023-08-07 14:41:58
高功率 RF LDMOS FET 250 W;50V;470 – 806 兆赫PTVA042502EC 和 PTVA042502FC LDMOS FET 設計用于 470 MHz 至 806 MHz
2023-08-07 14:21:44
高功率 RF LDMOS FET 250 W;50V;470 – 806 兆赫PTVA042502EC 和 PTVA042502FC LDMOS FET 設計用于 470 MHz 至 806 MHz
2023-08-07 14:18:38
3A輸出峰值電流
10V至100V寬工作電壓范圍
內置功率MOSFET
110KHZ固定開關頻率
軟啟動
輸出短路保護
>90%的效率
輸出電壓1.25至50V可調
采用ESOP8封裝
過熱保護
逐
2023-08-02 17:06:37
,外置功率管,輸出電流外部可調。
SL8311A采用高端電流檢測方式,通過外部電阻可以設定LED輸出的平均電流,并可以通過DIM引腳接收模擬調光和很寬范圍的PWM調光信號。當DIM的電壓低于0.33V
2023-07-28 10:55:41
HS耐共模瞬變:50V/ns
峰值驅動電流:3A/-4A
兼容CMOS/TTL電平輸入
輸入互鎖功能
高低側輸出獨立UVLO保護
集成高壓自舉二極管
輸入輸出延時小于16ns
高低邊傳輸延時匹配小于
2023-06-27 15:14:07
性 LED 恒流芯片,外圍簡單、內置功率管,適用于6- 60V 輸入的高精度降壓 LED 恒流驅動芯片。最大電流1.0A。AP5101B 可實現內置MOS 做 1.
2023-06-21 17:20:47
,我設計了一個可調節的50V/5A電源,具有0V至50V的可變輸出和0A至5A的可調電流限制。大多數簡單的電源無法使輸出精確到0V或0A。但在本電路中,差分放大器在(-3V)時具有負電源軌,可將輸出拉低至零。
2023-06-18 15:31:58924 ,結合了高電流操作、極低的 V CE(SAT)和高 H FE,從而導致極低的導通狀態損耗。這種雙晶體管非常適合用于各種高效驅動功能,包括電機、燈、繼電器和螺線管,
2023-06-06 19:29:30
我在網上讀到 LDMOS 晶體管需要具有高電阻才能有效,他們提到 MegaOhms,我在 gs 上的讀數是 1.9 KOhms,在 ds 上是 137KOhms,mosfet 在板上。假設您了解什么是 MRFE6VS25N 的電阻。
2023-06-05 09:02:14
50W,4.4~6GHz,氮化鎵高電子遷移率晶體管 UG4460-50F 是一款 50W 應用頻率高達 4.4~6GHz 的氮化鎵射頻功率放大管。這款放大管具有 高效率、高增益的特性。這款放大管提供
2023-05-31 18:12:07
一個6腳的電源芯片絲印12J441,看電路1腳地,2腳驅動外部功率管,3腳cs,4腳FB,5腳空,6腳芯片供電,為原邊反饋,請問有知道型號的,或者代用型號的沒?
2023-05-27 07:45:39
>90%的效率
輸出電壓1.25至50V可調
采用ESOP8封裝
過熱保護
逐周期過流保護
應用
高電壓功率轉換
汽車系統
電池供電系統
電動車車載設備
平衡車
工業電力系統
2023-05-24 16:39:12
請教一下大神大功率管IGBT(H20T120)怎么檢測呢?
2023-05-16 17:15:04
自動調低輸出電
流。
特點
寬輸入電壓范圍:5V~50V
可外擴MOS提高輸入電壓
可設定電流范圍:10mA~
1000mA
可外擴MOS
PWM 調光
過溫保護
CS 參考電壓:300mV
ESOP8 封裝
應用領域
電動車,摩托車燈照明
汽車燈照明
手電筒
原理圖
2023-05-05 14:24:13
。
SL6015B 內部集成功率管,采用高端電流檢測方式。并可以通過DIM引腳接收模擬調光和
PWM信號。當DIM腳電壓低于0.3V時,芯片內部功率管關斷,SL6015B 進入低功耗待機模式。
SL6015B 內部
2023-04-25 15:48:34
我在 AWR 中模擬 LDMOS MRFE6VS25N 時遇到問題。我使用 12 和 13 版本 64 位,但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 軟件模擬這個晶體管?
2023-04-23 09:07:17
我想知道我是否可以使用 MRF1K50H 而不是 MRF6VP11KH,因為它已停產且很難找到?有沒有人已經嘗試過這個?#MRF1K50H
2023-04-11 06:10:38
fe0d3587d905a8fa32a9830d177f97c90352fdc5chromium-ozone-wayland:在 Linux [YOCIMX-6545] 上添加 V4L2VDA 支持 - 支持 i.MX 8 系列平臺。 - 8MM
2023-04-10 13:46:32
RF35111920 - 1980 MHz,3 V WCDMA 頻段 1 功率放大器模塊RF3511產品簡介 Qorvo 的 RF3511 單頻帶線性功率放大器支持 3.4V、50 歐姆
2023-04-06 14:46:06
開關電源功率是由開關管的最大電流決定嗎?例如5v1a的電源,開關管選多大的電流,這個電流是如何算出來的?謝謝
2023-04-04 16:56:04
許±50V電阻隔離特性,以及從非隔離側電路到隔離側電路的容性功率傳輸。該器件采用+3.3或+5V單系統電源供電,僅需外部表面貼裝電容即可工作。與其他需要光耦合器和/或變壓器的隔離技術相比,總體保持低調。
2023-03-30 11:07:30943 TRANS RF LDMOS 1250W 50V
2023-03-29 14:15:44
TRANS RF LDMOS 600W 50V
2023-03-29 14:14:48
RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230
2023-03-29 14:12:30
RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230
2023-03-29 14:11:05
TRANS RF LDMOS 1250W 50V
2023-03-29 14:11:03
TRANS RF LDMOS 600W 50V
2023-03-29 14:11:01
RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 27dB 300W TO-270 WB-4
2023-03-29 14:10:39
RF Mosfet LDMOS 50V 10mA 512MHz 25.4dB 25W TO-270-2
2023-03-29 14:08:29
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
2023-03-29 14:07:49
更高頻率、更大功率開關電源的設計要求。高頻開關整流器用功率管是什么自20世紀80年代以來大功率、高反壓的絕緣柵場效應功率管問世之后,伴隨著開關電源專用集成控制電路的
2023-03-28 11:28:03533 一。 確定方案和目的 在電子電路和工業應用中,IGBT功率管被普遍應用,電磁爐中的開關管,變頻器中三相電機控制,程控電源,逆變器等。通過IGBT來控制大電流的快速開關實現不同的功能。本節來學習
2023-03-27 14:57:37
1 特點? 適用于 SSR 反饋方式反激變換器? CCM 和 DCM 模式兼容? 集成 90V/0.4Ω LDMOS? 集成無損電流采樣? 1.7A 峰值電流限制? 可編程功率管驅動速度
2023-03-26 17:46:02
采樣? 可編程峰值電流? 可編程功率管驅動速度? 可編程抖頻功能? 可編程輸入欠壓和過壓保護? 過流保護、短路保護和過溫保護? 輕負載逐級模擬降頻優化效率曲線? 內
2023-03-26 17:25:31
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