Ω@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.81V- **封裝:** SOT23**詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:**1. **SOT23封裝:** 小型SOT
2024-03-18 17:49:37
ELM13415CA-S-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET,采用SOT23封裝。以下是該器件的詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- **參數(shù):** - 封裝類型
2024-03-18 17:36:33
DTS03K16-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝N溝道場效應(yīng)晶體管。以下是其詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介:**詳細(xì)參數(shù):**- 封裝類型:SOT23- 溝道類型:N溝道- 額定電壓(Vds):20V-
2024-03-18 14:03:01
額定電流:6A- 開態(tài)電阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V- 閾值電壓(Vth):0.45~1V**封裝:** SOT23**詳細(xì)參
2024-03-16 17:26:20
):6A - 開態(tài)電阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V - 閾值電壓(Vth):0.45~1V- 封裝:SOT23應(yīng)用
2024-03-16 17:07:03
VBsemi DMG3420U-7-F-VB是一款SOT23封裝的N—Channel溝道場效應(yīng)晶體管,適用于各種電子應(yīng)用。以下是該產(chǎn)品的詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- **參數(shù)說明:** 
2024-03-16 16:58:32
DMG3415U-13-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET,采用SOT23封裝。以下是該器件的詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- **參數(shù):** - 封裝類型
2024-03-16 16:53:22
(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓(Vth):1.2~2.2V封裝:SOT23詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:CTN2304-VB是一款N-溝道類
2024-03-16 16:22:53
:4A- 開通電阻:RDS(ON)=85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓:Vth=1~3V**封裝:** SOT23**產(chǎn)品應(yīng)用簡介:**CMN
2024-03-16 14:49:20
型號(hào):CJK3407-VB絲印:VB2355品牌:VBsemi封裝:SOT23**詳細(xì)參數(shù)說明:**- 溝道類型:P—Channel- 最大承受電壓:-30V- 最大電流:-5.6A- 開態(tài)電阻
2024-03-16 14:44:56
CES2304-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝的N—Channel溝道MOSFET。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介:- 參數(shù): - 工作電壓:30V - 額定電流
2024-03-15 15:55:09
BSS314PE-VB是VBsemi品牌的P—Channel溝道場效應(yīng)晶體管,采用SOT23封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- **參數(shù)說明:** - 絲印: VB2355 
2024-03-15 14:06:39
型號(hào):BSH203-VB絲印:VB2355品牌:VBsemi封裝:SOT23參數(shù):- 溝道類型:P—Channel- 最大漏極電壓:-30V- 最大漏極電流:-5.6A- 靜態(tài)漏極-源極電阻:RDS
2024-03-15 11:42:57
VBsemi BSH108-VB是一款SOT23封裝的N—Channel溝道場效應(yīng)晶體管,適用于多種電子應(yīng)用。以下是該產(chǎn)品的詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- **參數(shù)說明:** - 封裝類型
2024-03-15 11:35:18
:-5.6A- 開啟電阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓:-1V**封裝:** SOT23**詳細(xì)參數(shù)說明:**- **溝道類型(Ch
2024-03-15 11:26:16
(ON):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓:Vth=1.2~2.2V應(yīng)用簡介:BM3406-VB是一款SOT23封裝的N—Channel溝道場效
2024-03-15 11:24:03
=4.5V, VGS=8V- 閾值電壓:0.45~1V應(yīng)用簡介:BM2300-VB是一款N-Channel溝道類型的SOT23封裝MOSFET。具有20V的額定電壓,6A
2024-03-15 11:12:23
APM2314AC-TRL-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝N-Channel溝道場效應(yīng)晶體管。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介:**詳細(xì)參數(shù):**- 封裝:SOT23- 極性:N-Channel-
2024-03-14 17:38:56
APM2312AC-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝N溝道場效應(yīng)晶體管。以下是其詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介:**詳細(xì)參數(shù):**- 封裝類型:SOT23- 溝道類型:N溝道- 額定電壓(Vds
2024-03-14 17:35:35
APM2305BAC-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET,采用SOT23封裝。以下是該器件的詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- **參數(shù):** - 封裝類型
2024-03-14 17:21:36
=4.5V、VGS=12V時(shí))- 閾值電壓:-0.81V應(yīng)用簡介:APM2301BAC-VB適用于需要P—Channel MOSFET的電路設(shè)計(jì)。其SOT23封裝和穩(wěn)
2024-03-14 16:57:40
APM2301AAC-TRL-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝的P-Channel溝道場效應(yīng)晶體管。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介:- 參數(shù): - 工作電壓:-20V 
2024-03-14 16:55:31
最大電流:-5.6A- 開啟電阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓:-1V**封裝:** SOT23**詳細(xì)參數(shù)說明:**- **溝道
2024-03-14 14:11:32
VBsemi AP2324GN-HF-VB是一款N-Channel溝道的SOT23封裝場效應(yīng)晶體管。以下是詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- 額定電壓(VDS): 30V- 額定電流(ID): 6.5A-
2024-03-14 13:52:19
:AP2322GN-VB是VBsemi品牌的N—Channel溝道場效應(yīng)晶體管,采用SOT23封裝。具有20V的額定電壓和6A的額定電流,RDS(ON)在VGS=
2024-03-14 13:47:22
~1V;封裝:SOT23**詳細(xì)規(guī)格:**- 封裝類型:SOT23- 晶體管類型:N-Channel- 電壓額定:20V- 電流額定:6A- 導(dǎo)通電阻:24mΩ
2024-03-14 11:59:54
電阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓: Vth = 1.2~2.2V封裝: SOT23詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:AP23
2024-03-14 11:47:58
AP2302N-VB是VBsemi品牌的N溝道場效應(yīng)晶體管,采用SOT23封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- 參數(shù): - 工作電壓(VDS):20V - 連續(xù)漏極電流(ID
2024-03-13 17:50:07
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT-23封裝中的低功率DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器TPS6104x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 09:57:180 **封裝:** SOT23**參數(shù):**- **溝道類型:** P—Channel- **最大漏極電壓:** -30V- **最大漏極電流:** -5.6A-
2024-03-11 17:44:58
通電阻(RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓(Vth): -1V應(yīng)用簡介:41YA-VB是一款SOT23封裝的P-Cha
2024-03-08 15:12:51
: RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓: Vth = -1V應(yīng)用簡介:3J14-VB是一款SOT23封裝的P-Channel
2024-03-08 14:45:47
以下是VBsemi品牌的SOT23封裝N溝道場效應(yīng)晶體管359B-VB的詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- **參數(shù)說明:** - 封裝:SOT23 - 溝道類型:N溝道 
2024-03-08 14:41:59
VBsemi的3403A-VB是一款SOT23封裝的P-Channel溝道MOSFET,以下是詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- **電壓規(guī)格(VDS):** -30V- **電流規(guī)格(ID
2024-03-08 14:13:51
**VBsemi 3401-VB**- **絲印:** VB2355- **品牌:** VBsemi- **封裝:** SOT23**參數(shù):**- 溝道類型:P—Channel- 最大耐壓
2024-03-08 14:06:26
型號(hào):3401A-VB絲印:VB2355品牌:VBsemi封裝:SOT23**詳細(xì)參數(shù)說明:**- 溝道類型:P—Channel- 最大承受電壓:-30V- 最大電流:-5.6A- 開態(tài)電阻(RDS
2024-03-08 13:55:48
3400-VB是VBsemi品牌的N溝道場效應(yīng)管,絲印為VB1330,采用SOT23封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介:- 參數(shù): - 溝道類型:N溝道 - 額定電壓
2024-03-08 13:53:58
=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.81V- **封裝:** SOT23**詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:**1. **SOT23封裝:** 小型SOT23封裝適合
2024-03-08 13:46:20
(ON):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓:Vth=1.2~2.2V應(yīng)用簡介:3338-VB是一款SOT23封裝的N—Channel溝道場效應(yīng)晶體管
2024-03-08 11:39:26
Ω@VGS=10V,VGS=20V- 閾值電壓:Vth=-1.87V封裝:SOT23詳細(xì)參數(shù)說明:該器件采用SOT23封裝,為P—Channel溝道MOSFET,
2024-03-08 11:11:15
(ON):3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 閾值電壓:Vth=-1.87V封裝:SOT23詳細(xì)參數(shù)說明:該器件采用SOT23封裝,為P—Channel溝
2024-03-07 17:16:16
=-2.5V 封裝:SOT23詳細(xì)參數(shù)說明:- 型號(hào):2SJ209-VB- 絲印:VB2101K- 品牌:VBsemi- 參數(shù): - 封裝類型:SOT23&
2024-03-07 17:02:31
**2369-VB 詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:****產(chǎn)品概述:**2369-VB是由VBsemi生產(chǎn)的P-通道MOSFET,采用SOT23封裝。具有-20V的最大電壓額定和-4A的最大電流額定,該
2024-03-07 16:15:36
(ON)):在VGS=10V、VGS=20V時(shí)為30mΩ- 閾值電壓(Vth):1.2~2.2V應(yīng)用概述:2344GEN-HF-VB 是一款SOT23封裝的N-通道MOSF
2024-03-07 16:08:05
型號(hào):2343-VB絲印:VB2355品牌:VBsemi封裝:SOT23**詳細(xì)參數(shù)說明:**- 溝道類型:P—Channel- 最大承受電壓:-30V- 最大電流:-5.6A- 開態(tài)電阻(RDS
2024-03-07 16:05:07
2318GEN-VB 是VBsemi 品牌的N溝道場效應(yīng)晶體管,采用 SOT23 封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- 參數(shù): - 額定電壓:30V - 額定電流
2024-03-07 15:49:16
RDS(ON):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓:Vth=1.2~2.2V應(yīng)用簡介:該產(chǎn)品適用于SOT23封裝,屬于N—Channel溝道類
2024-03-07 15:41:53
:-5.6A- 開啟電阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓:-1V**封裝:** SOT23**詳細(xì)參數(shù)說明:**- **溝道類型(Ch
2024-03-07 15:39:47
靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓 (Vth): -1V**封裝:**- 封裝類型: SOT23**
2024-03-07 15:36:57
, VGS=20V- 閾值電壓:1.2~2.2V**應(yīng)用簡介:**適用于SOT23封裝的2316GN-HF-VB可廣泛用于各種領(lǐng)域的電路設(shè)計(jì),特別是在需要N—Ch
2024-03-07 15:31:10
2315GN-VB是VBsemi品牌的P—Channel場效應(yīng)晶體管,采用SOT23封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介:- **參數(shù)說明:** - 額定電壓(VDS): -30V 
2024-03-07 15:25:35
電流:-5.2A- 開啟電阻:RDS(ON)=40mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓:Vth=-2V**封裝:**- 封裝類型:SOT23**詳
2024-03-07 15:00:30
2311GN-HF-VB是VBsemi品牌的P—Channel溝道MOSFET,采用SOT23封裝。以下是該產(chǎn)品的詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介:- **參數(shù)說明:** - 類型:P—Channel
2024-03-07 14:56:30
: 4A- 開通電阻 (RDS(ON)): 85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓 (Vth): 1~3V**應(yīng)用簡介:**適用于SOT23封裝的
2024-03-07 14:53:03
Ω @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓(Vth):1~3V封裝:SOT23應(yīng)用簡介:2310N-VB是一款N溝道場效應(yīng)晶體管,采用SOT23封裝。其主
2024-03-07 14:48:16
:4A- 開通電阻:RDS(ON)=85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓:Vth=1~3V**封裝:** SOT23**產(chǎn)品應(yīng)用簡介:**2310
2024-03-07 14:44:49
VBsemi的2309-VB是一款SOT23封裝的P-Channel溝道MOSFET,以下是詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- **電壓規(guī)格(VDS):** -30V- **電流規(guī)格(ID
2024-03-07 14:23:26
2309GN-HF-VB是VBsemi品牌的P—Channel溝道場效應(yīng)晶體管,采用SOT23封裝。以下是該器件的詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- **型號(hào):** 2309GN-HF-VB- **絲印
2024-03-07 14:15:01
Ω @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓(Vth):-1V封裝為SOT23。該器件適用于SOT23封裝。**應(yīng)用簡介:**這款晶體管適用于各種電源管理和開關(guān)
2024-03-07 14:12:00
型號(hào):2309AGN-VB絲印:VB2355品牌:VBsemi封裝:SOT23參數(shù):- 溝道類型:P—Channel- 最大漏極電壓:-30V- 最大漏極電流:-5.6A- 靜態(tài)漏極-源極電阻
2024-03-07 14:05:34
2307-VB 是 VBsemi 公司生產(chǎn)的 P-Channel 溝道場效應(yīng)晶體管,采用 SOT23 封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:- **參數(shù)說明:** - 封裝類型
2024-03-07 13:53:59
(ON):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓:Vth=1.2~2.2V應(yīng)用簡介:10ABC-VB是一款SOT23封裝的N—Channel溝道場效應(yīng)晶
2024-03-07 10:26:41
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT23降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 10:14:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30VN通道MOSFET PL3902 SOT23數(shù)據(jù)手冊(cè)》資料免費(fèi)下載
2024-02-22 14:48:270 一般說明PL2628是一個(gè)恒定頻率、6引腳SOT23電流模式升壓轉(zhuǎn)換器,旨在用于小型、低功耗的應(yīng)用。PL2628的開關(guān)頻率為1.2MHz,并允許使用2毫米或更低高度的微小、低成本的電容器和電感器
2024-02-21 14:32:280 :0.3A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):2800mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓(Vth):1.6V**封裝:** SOT23**詳細(xì)參
2024-02-19 17:11:11
(ON)=47mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=-1V **封裝:** SOT23 **詳細(xì)參數(shù)說明:** -
2024-02-19 16:52:37
;RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V;Vth=-0.81V **封裝:** SOT23 **詳細(xì)參數(shù)說明:** &
2024-02-19 16:00:18
開通電阻(RDS(ON)): 2800mΩ @ VGS=10V, 20V- 閾值電壓(Vth): 1.6V應(yīng)用簡介:BSS138N-VB是一款SOT23封裝的N-
2024-02-03 11:47:04
一般說明PL2628是一個(gè)恒定頻率、6引腳SOT23電流模式升壓轉(zhuǎn)換器,旨在用于小型、低功耗的應(yīng)用。PL2628的開關(guān)頻率為1.2MHz,并允許使用2毫米或更低高度的微小、低成本的電容器和電感器
2024-01-05 09:22:374 ;Vth=-1V;封裝: SOT23**詳細(xì)參數(shù)說明:**- **型號(hào)**: SM2323PSA-VB- **絲印**: VB2355- **品牌**: VBsemi
2024-01-02 11:44:24
(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓(Vth):1.2~2.2V應(yīng)用簡介:AO3434A-VB是VBsemi推出的一款SOT23封裝的N—C
2024-01-02 10:44:45
);SOT23封裝:SOT23詳細(xì)參數(shù)說明:- 型號(hào):FDN327N-NL-VB- 絲印:VB1240- 品牌:VBsemi- 溝道類型:N溝道- 最大耐壓:20V-
2023-12-20 15:22:40
);SOT23封裝:SOT23詳細(xì)參數(shù)說明:- 型號(hào):PMV48XP-VB- 絲印:VB2290- 品牌:VBsemi- 溝道類型:P溝道- 最大耐壓:-20V- 最大電
2023-12-20 14:58:54
, 8Vgs (±V)- 閾值電壓:0.45~1V (Vth)- 封裝:SOT23應(yīng)用簡介:ST2300S23RG-VB是一款低壓降的N溝道MOSFET器件,適用于多種
2023-12-19 17:24:07
的RDS(ON)為30mΩ,在4.5V下為33mΩ,閾值電壓范圍為1.2V到2.2V,使得這款MOSFET具有多種用途。其SOT23封裝確保了安裝和布局的便利性。N
2023-11-30 14:14:09
低導(dǎo)通電阻,在10V下為47mΩ,4.5V下為56mΩ,且閾值電壓為-1V。采用SOT23封裝,便于安裝與布局。該款I(lǐng)RLML5203TRPBF MOS管在電子領(lǐng)
2023-11-30 14:00:33
阻,在10V下為47mΩ,4.5V下為56mΩ,且閾值電壓為-1V。采用SOT23封裝,便于安裝與布局。該款A(yù)PM2305AC MOS管在電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,特
2023-11-29 17:03:33
的RDS(ON)為30mΩ,在4.5V下為33mΩ,閾值電壓范圍為1.2V到2.2V,使得這款MOSFET具有多種用途。其SOT23封裝確保了安裝和布局的便利性。AP2
2023-11-29 16:57:41
阻為47mΩ,4.5V時(shí)為56mΩ。閾值電壓為-1V,采用SOT23封裝,便于安裝和布局。AO3401 MOSFET在電子領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用,尤其在以下領(lǐng)域:電源管理
2023-11-23 11:58:58
(ON)為30mΩ,在4.5V下為33mΩ,閾值電壓范圍為1.2V到2.2V,使得這款MOSFET具有多種用途。其SOT23封裝確保了安裝和布局的便利性。AO3400
2023-11-23 11:57:19
這期我們將給大家分享另外四種常見封裝。
第一種:TO晶體管外形封裝(Transistor Outline),主要分為通孔插裝類TO封裝和表面貼裝類TO封裝,命名規(guī)則都是由封裝代號(hào)加管腳數(shù)組成,例如
2023-11-22 11:30:40
頻率 (1.2MHz)操作
?自動(dòng)軟啟動(dòng)可降低浪涌電流
?關(guān)斷電流 <1A
?短路保護(hù)
?無電感器
?采用扁平 6 引腳 SOT23 封裝
應(yīng)用
?2節(jié)AA電池至3.3V
?移動(dòng)中的 USB 設(shè)備
?白光 LED 驅(qū)動(dòng)器
?手持設(shè)備
2023-11-21 12:12:53
請(qǐng)問LT1175-5這種固壓版本的LDO,輸出是5V還是-5V?SOT-223封裝沒有SHDN引腳,最大輸出電流是多少呢?
2023-11-15 06:14:56
今天我們來結(jié)合SS8050 SOT23封裝手冊(cè)說下三極管選型。
2023-11-05 17:23:501331 該SDB2F5是一個(gè)恒定頻率,5引腳SOT23電流模式升壓轉(zhuǎn)換器的小低功耗應(yīng)用的目的。SDB2F5交換機(jī)位于1.2MHz,并允許使用微小的,低成本的電容器和電感器高度2毫米或更小內(nèi)部軟啟動(dòng)導(dǎo)致小浪涌
2023-10-27 15:59:010 的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,MAX9634: nanoPower, 4-Bump UCSP/SOT23, Precision Current-Sense Amplifier Data
2023-10-16 19:17:55
UCSP and 5 SOT23 Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,MAX9060-MAX9064: Ultra-Small, nanoPower Single
2023-10-16 18:38:05
Transceiver with ±40V Fault Protection, ±25V CMR, and ±40kV ESD in 8-Pin SOT23 Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)
2023-10-13 18:33:18
SDB628是一個(gè)恒定頻率、6針腳SOT23電流模式升壓轉(zhuǎn)換器,旨在用于小、低功率的應(yīng)用。開關(guān)為1.2MHz,并允許使用2mm或更低高度的微型、低成本的電容器和電感器。內(nèi)部軟啟動(dòng)導(dǎo)致小的涌電流,延長電池壽命。SDB628的特點(diǎn)是在光負(fù)載下自動(dòng)切換到脈沖調(diào)頻模式。
2023-08-23 15:32:501064 SOT23封裝是一種小型表面貼裝封裝,常用于集成電路(IC)和半導(dǎo)體器件。SOT23代表"Small Outline Transistor 23",SOT23封裝具有緊湊的尺寸、良好的散熱性能和適應(yīng)性,因此在許多電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。
2023-08-16 11:29:311306 什么是SOT23封裝,你知道嗎? SOT23是一種非常常見的表面貼裝封裝,它是一種小型封裝,具有三個(gè)引腳(也有其他版本有5個(gè)或6個(gè)引腳),引腳之間的間距為0.95mm。SOT23封裝廣泛應(yīng)用于各種
2023-08-11 11:48:132092 SOT封裝是一種常用的集成電路封裝類型,常見的SOT封裝類型包括3引腳(如SOT-23)、4引腳(如SOT-89和SOT-223)和6引腳(如SOT-363),可以適應(yīng)不同的電路設(shè)計(jì)和功能要求。具有
2023-07-19 16:38:291729 SOT23-16封裝是一種表面貼裝技術(shù)(SMT)封裝,具有許多優(yōu)勢。以下是一些關(guān)于SOT23-16封裝的主要優(yōu)勢的簡要說明,包括其尺寸、易用性、電氣性能和熱特性。 尺寸優(yōu)勢:SOT23-16封裝
2023-07-18 17:43:26542 是否可以獲得HVQFN148 SOT2111-1封裝的3D STEP模型?
2023-05-12 07:21:34
如圖這顆芯片是一顆DC-DC降壓IC,SOT23-6封裝的,請(qǐng)問下這顆芯片的型號(hào)是什么? 哪個(gè)品牌的? 謝謝!
2023-05-08 12:59:59
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET,特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET,這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 一般說明FSB628 是一款恒定頻率、6 引腳 SOT23 電流模式升壓轉(zhuǎn)換器,適用于小型低功耗應(yīng)用。FSB628 的開關(guān)頻率為 1.2MHz,允許使用纖巧、低成本的電容器和高度為 2mm 或更小
2023-03-31 14:43:38
ASDM2301ZA/SOT23
2023-03-29 21:56:48
評(píng)論
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