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2024-03-13 13:58:12
0 電子發燒友網站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩壓器數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030 電子發燒友網站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:340 電子發燒友網站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內存電源解決方案數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發燒友網站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內存電源解決方案同步降壓控制器數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 實時高性能需求尤其突出。面對以上挑戰，合作伙伴翌控科技基于米爾STM32MP135開發板發布開放式高實時高性能PLC控制器解決方案，將高精準數據采集、預處理、存儲、通信與高實時控制融為一體，為控制系統
2024-03-07 20:06:14
電子發燒友網站提供《TPS65295完整 DDR4 存儲器電源解決方案數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-06 10:17:540 使用SC584外擴DDR3，no_boot啟動模式，開發環境CCES-2.2.0版本，在線調試過程，程序可正常下載，但是在A5預加載過程中會出現SYS_FAULT拉高現象，經實際匯編單步調試發現
2024-01-12 08:11:46
）
DDR3內存條，240引腳（120針對每側）
DDR4內存條，288引腳（144針對每側）
DDR5內存條，288引腳（144針對每側）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數據線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內存條，240引腳（120針對每側）
DDR4內存條，288引腳（144針對每側）
DDR5內存條，288引腳（144針對每側）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數據線的分組
2023-12-25 13:58:55
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28
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法人方面解釋說：“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業主導，因此，中臺灣企業在半導體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業表現出強勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導體企業帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 DDR4和DDR3內存都有哪些區別？ 隨著計算機的日益發展，內存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內存的標準。隨著DDR4內存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，介紹MAX?II系列即時開啟非易失性CPLD基于0.18-μ，6層金屬閃存工藝，密度從240到2210個邏輯元件（LE）（128至22
2023-10-24 15:38:16
package, 0.5mm pitch封裝。與現有產品相比，擁有最高的功率密度。效率比市場上的其他解決方案高 2 倍、先進的控制優化了對電機的電流傳輸、節省高達 50% 的 PCB 空間、集成一流
2023-10-22 11:41:32
DDR3是2007年推出的，預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
DDR存儲器發展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲密度，從而實現更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內存技術進行詳細的比較，分析它們的技術特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內存技術，為讀者在購買和使用內存產品時提供參考依據。
2023-09-27 17:42:101088 我們在買DDR內存條的時候，經常會看到這樣的標簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
時，就需要外擴DDR SRAM二級存儲來滿足需求。
本期的主角盤古PGL50H FPGA就貼心的在核心板上，為我們配備了兩片DDR3的芯片，來完成二級存儲的需求。
兩片DDR3組成32bit的總線數據
2023-09-21 23:37:30
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內存下部設計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設計可以保證金手指和內存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計算之前，先弄清楚以下內存指標。
2023-09-15 14:49:462497 
一看到DDR,聯想到的就是高速，一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個問題點,當然其它3W，2H是基本點。
2023-09-15 11:42:37757 
內置校準: DDR3和DDR4控制器通常具有內置的校準機制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準和DLL (Delay Locked Loop)。這些機制可以自動調整驅動和接收電路的特性，以優化信號完整性和時序。
2023-09-11 09:14:34420 飛思卡爾的Kinetis設備提供FlexMemory技術，該技術為靈活的內存使用提供了多功能和強大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
本文介紹一個FPGA開源項目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文開源一個FPGA項目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測試》，如果在某些項目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
電子發燒友網站提供《存儲解決方案選型指南.pdf》資料免費下載
2023-08-23 14:28:100 MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細的介紹。
在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時，一些關鍵參數的選擇在手冊中并沒有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒有提供，請問這些信息應該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
復制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache（新建用于DDR3仿真的文件夾）下。
2023-08-12 11:08:27735 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
，不知道出現啥問題？求助解決方案，同時有個疑問DDR4是否可以使用，論壇中都是使用DDR3的教程。
log如下
2023-08-11 06:17:58
xilinx平臺DDR3設計教程之設計篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
電子發燒友網站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態隨機存儲器”。DDR是一種技術，中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 
DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對應的時延差異較大，必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38312 
型號的MT41J芯片）。該DDR3 存儲系統直接連接到了 PGL22G 的 Bank L1 及 Bank L2 上。PGL22G的DDR IP為硬核IP，需選擇正確的IP添加。
本次實驗目的為生成DDR3 IP
2023-06-25 17:10:00
視頻圖形顯示系統理想的架構選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數據，FPGA內部的存儲資源無法滿足存儲需求，因此需要配置外部存儲器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 解決方案，配置方式比較靈活，采用軟核實現 DDR memory 的控制，有如下特點：
?支持 DDR3
?支持 x8、x16 Memory Device
?最大位寬支持 32 bit
?支持裁剪的 AXI4
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗錯誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
memory 控制器解決方案，配置方式比較靈活，采用軟核實現 DDR memory 的控制，有如下特點：
?支持 DDR3
?支持 x8、x16 Memory Device
?最大位寬支持 32 bit
2023-05-19 14:28:45
一種便攜式存儲設備，當插入計算機時，被解析為內置硬盤設備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅動器是一種更受歡迎的可移動存儲形式。
5、RAM
RAM是一個易失性內存選項。一旦設備
2023-05-18 14:13:37
你好 ：
專家，我們想使用S32R45和DDR3，你能幫我在哪里找到示例項目或用例嗎？
2023-05-17 08:13:46
在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
車規級認證，經過長期的技術沉淀和積累，憑借著產品的創新、可靠的質量和穩定便捷的供應和支持，兆易創新車規級存儲產品累計出貨量達1億顆，這也進一步凸顯了兆易創新持之以恒的投入和承諾。未來，兆易創新將緊跟市場，持續完善車規級相關產品和解決方案的布局，助力行業發展。
2023-04-13 15:18:46
HongKe—助力高性能視頻存儲解決方案-2—-虹科方案-上篇文章《虹科方案|助力高性能視頻存儲解決方案-1》，我們分享了虹科&ATTO和Avid共同創建協作解決方案，助力高性能視頻存儲
2023-04-11 11:24:50332 
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
的RAM或常規的非易失性存儲。該存儲器真正是非易失性的，而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設備替代了多個零件?串行非易失性存儲器?帶鬧鐘的實時時鐘（RTC）?低VDD檢測驅動復位?看門狗窗口定時器
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲中，分為用戶應用程序存儲區CodeFlash，用戶非易失數據存儲區DataFlash,系統引導程序存儲區Bootloader，系統非易失配置信息存儲區InfoFlash。一般在使用時
2023-04-07 11:46:50
DDR內存1代已經淡出市場，直接學習DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 
SITE LICENSE DDR3 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR3 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
云存儲監控工具正在成為電子監控生態系統的支柱。云存儲監控解決方案提供完全私有的云數據存儲和備份選項，并具有強大的安全措施。下面，我們來討論一下云存儲監控解決方案的8大優勢。
2023-03-29 16:37:291725 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器
2023-03-28 18:30:16
DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器、2A LDO、緩沖基準
2023-03-28 18:25:17
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