半導體放電管TSS：原理及在電子領域的應用？|深圳比創達電子EMC半導體放電管TSS是一種高壓、高速、低電流的電子元件，廣泛用于電力電子、通訊、光電子等領域。本文將從TSS的定義、工作原理、應用場
2024-03-06 10:07:51
可以用于控制光通訊設備的輸出功率和波長，實現高速數據傳輸；2、射頻開關TSS可用于射頻開關中，用于控制高頻信號的開關和調制，實現信號的放大和捕獲。五、半導體放電管TSS的優勢和發展趨勢TSS具有響應速度
2024-03-06 10:03:11
ART1K6FHG功率LDMOS晶體管 這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進耐用技術 (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1
2024-02-29 20:57:46
BLF888B,112Ampleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.47 至 0.86 GHz，650 W，20 dB，50 V，LDMOS，SOT-539A零件號： BLF888B
2024-02-29 16:14:13
BLP15H9S30GXYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，30 W，21 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOS零件號：
2024-02-29 16:13:32
ART150PEGXYAmpleon 的 RF 功率晶體管RF功率晶體管，0.001至0.65 GHz，150 W，31.2 dB，65 V，LDMOSMMFEB21PP6-預分
2024-02-29 14:46:47
C4H27W400AVYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，2.3 至 2.69 GHz，400 W，15 dB，48 V，SOT1275-1
2024-02-29 14:00:41
BLP9G0722-20G 功率LDMOS晶體管20 W 塑料 LDMOS 功率晶體管，適用于頻率為 100 MHz 至 2700 MHz 的基站應用。BLP9G0722-20G
2024-02-29 13:46:41
？
再者在場效應管這種單極性導電半導體中，為什么只是有一種離子導電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導電，請問這是為什么？同樣對于場效應管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT），也被稱為半導體三極管或三極管，是一種具有三個終端的電子器件。它由三部分摻雜程度不同的半導體組成，這三部分分別是發射區、基區和集電區。這種晶體管的工作方式涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此被稱為雙極性的。
2024-02-19 15:15:05
290 
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會先上升后下降，因為電壓降在下降而電流在上升。功率最大點在中間位置。
3、當基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時，晶體管進入飽和，此時無論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
半導體工藝的歷史可以追溯到20世紀40年代末至50年代初，當時的科學家們開始使用鍺（Ge）和硅（Si）這類半導體材料來制造晶體管。1947年，貝爾實驗室的威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發明
2024-01-15 14:02:37202 IGBT）是一種半導體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優點集于一身，具有高輸入阻抗、低導通壓降、高電流密度等優點。IGBT廣泛應用于電力電子、軌道交通
2024-01-03 15:14:22268 
事通訊設備產品規格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術應用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
100米UHF發射電路圖進行詳細的介紹。 首先，我們需要了解UHF頻段。UHF（Ultra High Frequency）超高頻，是指頻率在300MHz-3GHz之間的無線電波。UHF頻段具有傳輸距離遠、抗干擾能力強、繞射能力好等特點，因此在無線通信領域得到了廣泛的應用。
2023-12-30 11:32:00480 
晶體管是一種半導體器件，用于放大電信號、開關電路和邏輯運算等。它是現代電子技術和計算機科學的核心之一。在晶體管中，有三個電極：基極、發射極和集電極。這三個電極的電壓之間的關系對于理解晶體管的工作原理
2023-12-20 14:50:491193 。超高頻RFID讀寫器其實是一種智能化的無線射頻識別設備，它可以一次性讀取多個標簽、識別距離遠、傳送數據速度快，可靠性高和壽命長、耐受戶外惡劣環境等特點，應用領域越
2023-12-13 16:32:44332 
【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
該陪審員同意了普度的意見，即電動汽車用充電器及其他產品使用的碳化物金屬氧化物半導體電場效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應用（high power power application）使用的晶體管的專利。
2023-12-06 13:55:23420 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機驅動等功率電子領域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個芯片上，形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57682 [半導體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導體
2023-11-29 16:24:59193 
功率半導體有多種類型，我們可以使用它們的應用甚至更多。基本上，所有功率半導體器件都可以分為三類：二極管、晶閘管和晶體管。
2023-11-27 13:24:26239 來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
RFID技術在安全門禁領域的應用已經十分成熟，根據不同的應用場景，可以將其細分為不同的設備，目前超高頻RFID在安全門禁中主要有會議通道、智能門禁、隱形門禁、安全通道這幾種。 RFID超高頻門禁類型
2023-11-17 10:58:48257 據悉，匯芯半導體成立于2020年，是一家專注于功率芯片及模塊開發和生產的企業，其主要產品包括高壓集成電路（HVIC）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、功率場效應晶體管（PowerMOS）、微控制單元（MCU）、傳感器（Sensor）及其集成化。
2023-11-09 14:41:48470 電子發燒友網站提供《超高頻RFID讀寫器部分電路設計.pdf》資料免費下載
2023-11-07 15:11:23
0 電子發燒友網站提供《一種超高頻RFID讀寫器的軟件設計與實現.pdf》資料免費下載
2023-11-06 16:07:531 電子發燒友網站提供《超高頻RFID無源讀寫器的硬件設計.pdf》資料免費下載
2023-11-06 10:15:072 有熟悉超高頻電磁加熱電路的工程師嗎？振蕩頻率為18MHz，請聯系我。
2023-10-18 17:29:31
根據專利摘要，該公開是關于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
請問有熟悉18MHz超高頻電磁感應加熱電路的嗎？
2023-10-10 15:25:59
專業圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
電源設計者只要熟悉雙極型晶體管的設計，掌握關于MOSFET管特性的基本信息，就可以很快學會使用MOSFET管進行電路設計。對電路設計者來說,決定MOSFET管特性的制造材料和固態物理結構并不太重要,這里
2023-09-28 06:33:09
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。
2023-09-27 10:59:402306 
介紹：
晶體管是一種用于放大或切換電子信號和電力的半導體器件。它是一種三端口半導體器件，這些引腳分別標記為集電極（C）、基極（B）和發射極（E）。現在，我將展示如何使用萬用表檢查晶體管。
2023-09-21 13:48:18832 
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 免費開放，點擊文末“閱讀原文”可獲取電子參觀證。 RFID的采用在衣物的識別與管理發揮重要的作用，采用超高頻RFID技術
2023-09-13 11:45:02284 
意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 深圳觸覺智能研發的PX30核心板應用于智能檔案柜，可采用先進的超高頻RFID（無線射頻識別即射頻識別技術），以RFID電子標簽作為信息存儲媒介并粘貼在檔案袋上，在RFID電子標簽中存儲該檔案
2023-09-07 08:35:15342 
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導體開關器件。
2023-09-06 15:12:291490 
復旦微電子單口模塊是一款高性能的嵌入式UHF超高頻電子標簽讀寫模塊，完全自主知識產權設計，結合專有的高效碰撞處理算法，在保持高識讀率的同時，實現對電子標簽的快速讀寫處理，可廣泛應用于物流、個人身份識別、會議簽到系統、門禁系統、防偽系統及生產過程控制等多種無線射頻識別（RFID）系統。
2023-08-30 17:39:37346 
晶體管是一種半導體元器件，它由三個層疊在一起的材料構成，分別是 P 型半導體、N 型半導體和 P 型半導體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個電極，分別是基極、發射極和集電極。
2023-08-25 17:17:47651 晶閘管和晶體管區別是什么？ 晶閘管和晶體管都屬于半導體器件的范疇，它們的出現都徹底改變了電子行業的發展。但是，晶閘管和晶體管之間存在著一些關鍵的區別，這些區別在分析它們的工作原理、特點、應用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現代電子設備的基礎，如計算機、手機、電視等。晶體管是一個半導體器件，它可以放大或開關電流信號。晶體管的工作原理是由三個不同類型的材料組成：N型半導體
2023-08-25 15:35:141791 晶體管和芯片的關系介紹 晶體管和芯片是現代電子技術中最重要的兩個概念，二者有密不可分的關系。晶體管是一種半導體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:372440 晶體管和芯片的關系是什么？ 晶體管和芯片是相互關聯的兩個概念，晶體管是芯片的核心組成部分之一。 晶體管是一種能夠控制電流的電子器件，由美國貝爾實驗室的William Shockley、John
2023-08-25 15:21:051513 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應用中,二極管發揮簡單的開關功能,只允許電流向一個方向流動,電極二極管擁有更大的動力、電壓和當前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 
的制造商生產半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管及其應用。
2023-08-02 12:27:481044 
的制造商生產半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
MRF300AN/MRF300BN射頻功率LDMOS晶體管規格書，這些設備被設計用于HF和VHF通信，工業、科學和醫療（ISM）以及廣播和航空航天應用程序。這些設備非常堅固，表現出高性能高達250MHz。
2023-07-28 17:45:470 這款UHF寬帶放大器（超高頻放大器）在10 – 15 MHz域頻率下的總增益為400至850 dB，因此可用于電視信號較弱的地方。
2023-07-26 15:42:231525 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規格書
2023-07-24 14:27:530 MRF428射頻功率晶體管規格書。主要設計用于高電壓應用，作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于船舶和基站設備。·規定的50伏、30 MHz特性-輸出功率=150 W（PEP）最小增益=13 db效率=45%·150 W時的互調失真
2023-07-24 14:26:520 MRF422射頻功率晶體管規格書
2023-07-24 14:24:070 這款UHF變送器專為低功率應用而設計，可作為車庫門和操作系統的遙控器、無線報警。這款UHFFM發射器只有一個晶體管，其工作頻率保留給低功率電波信號。
2023-07-23 17:15:561028 產品發射區結構設計為梳狀結構。晶體管版圖中發射區半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 11:23:34360 
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
本文介紹如何使用ADI信號鏈進行超高頻(UHF)局部放電在線監測系統的RF前端設計。該前端靈敏度低，動態范圍高，可以滿足中國國家電網企業標準Q/GDW11059.8-2013"電氣設備通電試驗裝置技術規范第8部分：超高頻局部放電檢測器的技術規范"的要求，并且提供不錯的裕量。
2023-06-15 16:28:01704 
和設計師的首選。本文將深入探討RX65T125HS1B功率晶體管的工作原理，并介紹其在不同應用領域中的突出應用。 一、RX65T125HS1B功率晶體管的工作原理 功率晶體管簡介： 功率晶體管是一種用于控制和放大電力信號的半導體器件。與傳統的小信號晶體管相比
2023-06-12 16:48:161016 器件的大規模集成化、大功率小型化、高效率低損耗、超高頻的發展而引發的電路發熱也迅速提高，電子封裝對基板材料的要求有：熱導率高、介電常數低、與芯片材料的熱膨脹系數相匹配、力學強度優良、加工性能好、成本低、耐熱沖擊和冷熱循環等。
2023-06-09 15:49:241816 
晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種
2023-05-30 15:32:362177 我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數據表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
柵型場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
防爆三防工業平板 超高頻 激光掃描頭Model:P1000功能 IP67 MTK6771 GGB+128GB 21MPCamera 8500mAH可拆卸 Androld10 NFC系統
2023-05-19 14:56:17
雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT)是一種半導體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導電性質的三極管。與場效應晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數和高頻特性等優點。
2023-05-17 15:23:134370 光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來自撞擊光的光子不會向基極發送電流，而是激活晶體管。這是因為光電晶體管由雙極半導體制成，并集中在通過它的能量上。
2023-05-16 15:59:06286 
迅遠P6300超高頻RFID三防平板電腦，采用防水、防塵、防跌落設計，并搭載了先進的超高頻RFID射頻模塊，讀寫距離可達0~7米。
2023-05-12 11:04:23284 差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
我在 AWR 中模擬 LDMOS MRFE6VS25N 時遇到問題。我使用 12 和 13 版本 64 位，但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 軟件模擬這個晶體管？
2023-04-23 09:07:17
）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
M2216模塊是基于IMPINJ 第二代射頻芯片R2000設計的十六通道超高頻讀寫模塊，專為高挑戰性RFID應用環境而設計的高性能讀寫模塊。
2023-04-17 14:57:31345 一個傳統的宏蜂窩包含覆蓋配置中多個小蜂窩(或準宏蜂窩)。在該方案中，宏蜂窩使用現有系統所采用的超高頻(UHF)頻帶(0.3～3 GHz)，而覆蓋小小區使用更高的頻帶，即低超高頻(SHF)頻帶(3～6 GHz)、高SHF頻帶(6～30 GHz)和甚高頻(EHF)頻帶(30～300 GHz)。
2023-04-08 10:04:37635 有沒有負觸發導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
DU2860U 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V
2023-03-31 10:37:00
DU2840S 射頻功率 MOSFET 晶體管 40W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管
2023-03-30 18:07:32
半導體分立器件是由單個半導體晶體管構成的具有獨立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應晶體管(結型場效應晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404 
半導體分立器件是由單個半導體晶體管構成的具有獨立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應晶體管(結型場效應晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457 超高頻晶體管陣列 SOIC14_150MIL 12V 8GHz
2023-03-28 13:04:45
超高頻晶體管陣列 SOIC14_150MIL 12V 8GHz
2023-03-28 13:04:45
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
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