電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱為Power BJT。但其驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)功率大。
2024-03-07 17:06:38
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串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個(gè)電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過(guò)。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法
2024-03-06 20:49:11
3月3日，聯(lián)合電子官微發(fā)布，推出面向跨域融合的新一代整車運(yùn)動(dòng)域控制器VCU8.6平臺(tái)。
2024-03-04 09:52:04413 
ART1K6FHG功率LDMOS晶體管 這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進(jìn)耐用技術(shù) (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應(yīng)用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1
2024-02-29 20:57:46
BLF647PS BLF647PS BLF647PS 寬帶功率LDMOS晶體管適用于廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)應(yīng)用的 200 W LDMOS RF 功率晶體管。該
2024-02-29 19:30:36
BLF888B,112Ampleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.47 至 0.86 GHz，650 W，20 dB，50 V，LDMOS，SOT-539A零件號(hào)： BLF888B
2024-02-29 16:14:13
BLP15H9S30GXYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，30 W，21 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOS零件號(hào)：
2024-02-29 16:13:32
ART150PEGXYAmpleon 的 RF 功率晶體管RF功率晶體管，0.001至0.65 GHz，150 W，31.2 dB，65 V，LDMOSMMFEB21PP6-預(yù)分
2024-02-29 14:46:47
BLP9G0722-20G 功率LDMOS晶體管20 W 塑料 LDMOS 功率晶體管，適用于頻率為 100 MHz 至 2700 MHz 的基站應(yīng)用。BLP9G0722-20G
2024-02-29 13:46:41
達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53508 
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出采用了新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管是單路徑分立式GaN on SiC HEMT，采用塑料包覆成型DFN封裝。該系列晶體管的工作頻率
2024-02-26 23:27:57
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管的偏置是指為了使晶體管正常工作，需要給晶體管的基極或發(fā)射極加上適當(dāng)?shù)碾妷海瑥亩?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的工作點(diǎn)處于穩(wěn)定的狀態(tài)。
2024-02-05 15:00:43368 
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切換晶體管時(shí)遇到了一個(gè)問(wèn)題。我正在嘗試讓 LED 通過(guò)晶體管閃爍。當(dāng)我從評(píng)估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時(shí)，該程序有效。但是當(dāng)我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會(huì)先上升后下降，因?yàn)殡妷航翟谙陆刀娏髟谏仙?b class="flag-6" style="color: red">功率最大點(diǎn)在中間位置。
3、當(dāng)基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時(shí)，晶體管進(jìn)入飽和，此時(shí)無(wú)論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
傳統(tǒng)的雙極晶體管是一種電流驅(qū)動(dòng)型放大器，對(duì)其信號(hào)放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發(fā)射極工作狀態(tài)時(shí)，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:03371 
如何去識(shí)別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？ IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了雙極型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的特點(diǎn)。IGBT通常用于高電壓和高電流應(yīng)用，例如工業(yè)
2024-01-12 11:18:10350 對(duì)于一個(gè)含有晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管，運(yùn)放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時(shí)，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
雙極型晶體管，電子工業(yè)的基石，引領(lǐng)著人類科技發(fā)展的重要引擎。
2023-12-28 15:55:25734 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSH201場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管英文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-26 10:08:45
0 Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN RF功率晶體管Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN射頻功率晶體管是375W分立式碳化硅基氮化鎵HEMT，工作頻率范圍為直流至
2023-12-20 16:11:06
晶體管的問(wèn)世，是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件，來(lái)代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來(lái)集成電路的降生吹響了號(hào)角。
2023-12-13 16:42:31427 
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2023-11-29 09:14:301 來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
為什么要功率放大？ 當(dāng)一個(gè)放大電路比如說(shuō)晶體管放大電路當(dāng)電壓放大時(shí)，由歐姆定律負(fù)載上的電流不就變大了嗎？這個(gè)我不太理解在功率放大電路中。希望有人給我講一下 謝謝！
2023-11-23 07:36:14
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
請(qǐng)問(wèn)下飛思卡爾SC120529VLL6 讀寫能用什么設(shè)備讀寫？求助芯片的針腳定義圖？
2023-11-07 07:00:50
如何避免晶體管損壞？ 晶體管是半導(dǎo)體器件的一種，應(yīng)用廣泛，可以在計(jì)算機(jī)、電視、手機(jī)等各種設(shè)備中使用。晶體管工作時(shí)非常穩(wěn)定，但是如果不注意使用、維護(hù)，很容易損壞。下面為您介紹幾種避免晶體管損壞的方法
2023-10-31 10:37:46382 在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中，通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管？ 電源與充電樁等高功率應(yīng)用通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管，主要是出于以下幾個(gè)方面的考慮。 首先，最后一級(jí)
2023-10-22 14:47:33409 用于L波段雷達(dá)的600 W ldmos功率晶體管的頻率范圍為1.2 GHz至1.4 GHz。
2023-10-19 16:55:490 飛思卡爾K60芯片通訊口正常，開通IO口就復(fù)位，有哪位大神能指點(diǎn)迷津啊
2023-10-08 08:07:45
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
在過(guò)去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開關(guān)速度,電源開關(guān)頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
設(shè)備等消費(fèi)電子、通訊和工業(yè)控制應(yīng)用領(lǐng)域。在這篇文章中，我們將深入探討晶體管的三種工作狀態(tài)。 一、截止?fàn)顟B(tài) 當(dāng)晶體管的控制電壓為零或負(fù)值時(shí)，電流無(wú)法通過(guò)晶體管，此時(shí)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)。在晶體管截止?fàn)顟B(tài)下，集電極的
2023-08-25 15:29:424363 650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管，采用5mm雙扁平無(wú)引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:51685 
分立晶體管是電子設(shè)計(jì)中最常見(jiàn)的元器件之一。該產(chǎn)品適用于眾多應(yīng)用，從簡(jiǎn)單的小信號(hào)晶體管到大型高功率器件，以及高頻/高功率器件。
2023-08-16 17:08:45171 該晶體管功率放大器電路僅使用準(zhǔn)互補(bǔ)放大器配置中的四個(gè)晶體管，即可以低成本向 4 歐姆負(fù)載提供 90W 的功率。
2023-08-10 15:29:341000 
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:17964 
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管及其應(yīng)用。
2023-08-02 12:27:481044 
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個(gè)前置放大器。2通道混音器電路的第一個(gè)前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個(gè)前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
MRF300AN/MRF300BN射頻功率LDMOS晶體管規(guī)格書，這些設(shè)備被設(shè)計(jì)用于HF和VHF通信，工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療（ISM）以及廣播和航空航天應(yīng)用程序。這些設(shè)備非常堅(jiān)固，表現(xiàn)出高性能高達(dá)250MHz。
2023-07-28 17:45:470 MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:530 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070 產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 11:23:34360 
TTL晶體管開關(guān)電路按驅(qū)動(dòng)能力分為小信號(hào)開關(guān)電路和功率開關(guān)電路。按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地（PNP晶體管發(fā)射極接電源）和射手跟隨開關(guān)電路。
2023-07-03 10:12:181936 
華為董事、ICT產(chǎn)品與解決方案總裁楊超斌在2023 MWC上海展5G Advanced論壇上宣布，2024年，華為將會(huì)推出面向商用的5.5G全套網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。這也標(biāo)志著ICT行業(yè)即將邁入5.5G時(shí)代。
2023-06-30 05:23:00430 高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場(chǎng)效晶體管
2023-06-16 10:07:03
引言: 在當(dāng)今科技迅猛發(fā)展的時(shí)代，高效能的功率電子器件對(duì)于各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用至關(guān)重要。潤(rùn)新微電子的RX65T125HS1B功率晶體管作為一款先進(jìn)的產(chǎn)品，憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了眾多工程師
2023-06-12 16:48:161016 潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計(jì)低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271639 
我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
AEROPULSE FS50工業(yè)級(jí)高功率飛秒激光器NKTAEROPULSE FS50工業(yè)級(jí)高功率飛秒激光器是NKT基于優(yōu)異的的光子晶體光纖平臺(tái)的新型50W工業(yè)級(jí)飛秒光纖激光器。aeroPULSE
2023-05-24 14:02:03
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說(shuō)RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說(shuō)的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
我在 AWR 中模擬 LDMOS MRFE6VS25N 時(shí)遇到問(wèn)題。我使用 12 和 13 版本 64 位，但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 軟件模擬這個(gè)晶體管？
2023-04-23 09:07:17
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號(hào)“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點(diǎn)和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個(gè)位置可以找到 NXP 部件號(hào)的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴(kuò)展模塊控制步進(jìn)電機(jī)嗎？
2023-04-17 14:13:13
采用晶體管互補(bǔ)對(duì)稱輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請(qǐng)問(wèn)BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒(méi)有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
UF2840GRF 功率 MOSFET 晶體管 5W，100-500 MHz，28VRF 功率 MOSFET 晶體管 5W，100-500 MHz，28V 特征N
2023-03-31 10:39:17
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
例：開關(guān)雙極晶體管2SD2673時(shí)的波形（100μs/div） ? ? 由于隨后要計(jì)算開關(guān)時(shí)的功率損耗，所以要確認(rèn)OFF→ON時(shí)和
2023-03-23 16:52:27762 
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