電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:18
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供應商器件封裝 P 14 x 8
2024-03-14 21:19:01
在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125 電子發燒友網站提供《封裝外形圖34引線功率四平面無引線（PQFN）塑料封裝介紹.pdf》資料免費下載
2024-01-31 10:04:17
0 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創新型封裝為 AOS 產品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 碳化硅器件的快速開關特性時面臨諸多問題，例如雜散電感參數大、高溫工作可靠性差以及多功能集成封裝與高功率密度需求等。 1.低雜散電感封裝技術 單管翻轉貼片封裝： 借鑒BGA封裝技術，采用單管的翻轉貼片封裝，通過金屬連接件將芯片背部電極翻轉到
2024-01-26 16:21:39218 
光伏IR相機是一種特殊的光電設備，它使用紅外線（IR）技術來檢測和捕捉光伏電池板上的熱圖像。這種相機的主要功能是檢測光伏電池板上的熱分布和異常，幫助工程師和科學家更好地了解光伏電池板的性能和存在的問題。
2024-01-23 11:36:23235 
2104全橋驅動電路原理 IR2104是一種高速、低成本的高和低電平電荷泵驅動器。它可通過邏輯輸入信號控制兩個N溝MOSFET或IGBT的驅動信號，實現全橋輸出。IR2104內部集成了一個高壓引發電荷泵、邏輯電平和電流檢測電路。其主要包括低側和高側驅動器。 低側驅動器：
2024-01-05 16:11:041106 近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
降低，為充分發揮 SiC 器件的優勢需要改進現有的封裝技術。針對上述挑戰，對國內外現有的低寄生電感封裝方式進行了總結。分析了現有的高溫封裝技術，結合新能源電力系統的發展趨勢，對 SiC 器件封裝技術進行歸納和展望。
2023-12-27 09:41:37621 
應用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規級器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL 封裝旨在優化功率半導體器件成為電動汽車發展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-15 11:26:49279 應用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規級器件是TO-Leadless (TOLL) 封裝。AOS TOLL 封裝旨在優化功率半導體器件成為電動汽車發展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-14 16:55:24949 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導體產品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中
2023-12-12 18:04:37494 
工程師必看！MOSFET器件選型的3大法則
2023-12-06 15:58:49209 ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 隨著晶圓級封裝技術的不斷提升，眾多芯片設計及封測公司開始思考并嘗試采用晶圓級封裝技術替代傳統封裝。其中HRP（Heat?Re-distribution?Packaging）晶圓級先進封裝工藝技術
2023-11-30 09:23:241119 
) MOSFET，并發布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia
2023-11-30 09:12:02432 
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 （Double In-line Package，DIP），主要有塑料封裝和金屬封裝，塑料封裝用于消費類電子產品，金屬封裝主要用于軍工或航天技術，這種封裝方式的芯片有兩排引腳，直插式元器件封裝的焊盤一般貫穿整個
2023-11-22 11:30:40
在高功率和高電流方面，電源模塊提供分立封裝和集成模塊，根據設備規格和使用條件為制造商提供競爭優勢。領先的公司供應數百種分立功率器件，但其中一些最常見的包括通孔封裝，例如帶長銀引線的 TO-247
2023-11-20 17:18:24498 
Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產品組合豐富，提供優異的散熱，極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:00319 
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 管理應用的 MRigidCSP? 封裝技術。AOS首顆應用該新型封裝技術的12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET——AOCR33105E，實現在降低導通電阻的同時提高CSP產品的機械強度。這項新升級
2023-11-13 18:11:28219 
，能夠像IGBT一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優化SiC柵極驅動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統性能和應用 。 封裝 WBG半導體使高壓轉換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:02333 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像
2023-10-18 16:05:02328 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 傳統的功率半導體封裝技術是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性，而且不具備足夠的堅固性。
2023-10-09 15:20:58299 
電子發燒友網站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰：傳統封裝
2023-09-24 10:42:40391 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 熱插拔專用 MOSFET(ASFET)，該系列產品采用緊湊型 8x8 mm
2023-09-22 09:08:10385 和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業和汽車應用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
供應商器件封裝 P 9 x 5
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供應商器件封裝 RM 8
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供應商器件封裝
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供應商器件封裝 E 13 x 7 x 4
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供應商器件封裝 RM 5
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供應商器件封裝 P 9 x 5
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供應商器件封裝 P 9 x 5
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供應商器件封裝 RM 6
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供應商器件封裝 E 6 x 3
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供應商器件封裝 RM 8
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供應商器件封裝 E 8 x 8
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供應商器件封裝
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供應商器件封裝 RM 4
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供應商器件封裝 E 6 x 3
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供應商器件封裝 E 6 x 3
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供應商器件封裝 E 6 x 3
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供應商器件封裝 RM 7
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供應商器件封裝 EP 7
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供應商器件封裝 P 9 x 5
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供應商器件封裝 P 9 x 5
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供應商器件封裝 P 7 x 4
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供應商器件封裝 P 14 x 8
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供應商器件封裝 RM 6
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供應商器件封裝 RM 8
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供應商器件封裝 EP 7
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供應商器件封裝 RM 4
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供應商器件封裝 P 9 x 5
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供應商器件封裝 RM 6
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:32731 
1 功率分立產品概述
2 IGBT 產品系列
3 HV MOSFET 產品系列
4 SiC MOSFET 產品系列
5 整流器及可控硅產品系列
6 能源應用
2023-09-07 08:01:40
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431202 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
KUU推出采用DFN5*6-8L無鉛塑料封裝的N-SGTMOSFET產品KM4110N-568。產品使用先進的屏蔽柵溝槽（ShieldGateTrench）技術，同時降低了器件導通電阻Ronsp
2023-08-19 08:30:24391 
產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導體材料，已經吸引了大量的研究關注。其優越的電氣性能、高溫穩定性和高頻響應使其在功率電子器件領域中具有巨大的應用潛力。但要完全發揮SiC功率器件的潛力，封裝技術同樣至關重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關鍵技術。
2023-08-15 09:52:11701 
微光電子機械系統（MOEMS）是一種新興技術，日前已成為熱門的技術之一。MOEMS是利用光子系統的微電子機械系統（MEMS），內含微機械光調制器、微機械光學開關、IC及其他構件，并利用了MEMS技術的小型化、多重性、微電子性，實現了光器件與電器件的無縫集成。
2023-08-14 11:21:42143 2023年8月1日，九峰山實驗室6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術服務能力。
2023-08-11 17:00:54226 對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57428 MOEMS器件按其物理工作原理分為干涉、衍射、透射、反射型（見表1），大多數采用反射型器件。MOEMS在過去幾年中已獲得顯著發展。近幾年，由于對高速率通信和數據傳輸需求的增長，大大激發了對MOEMS技術及其器件的研發。已開發出所需的低損耗、低EMV敏感性、低串話的高數據率反射光型MOEMS器件。
2023-08-03 14:43:50217 及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業，主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
鎵器件大約在2015年推出市場，與具有相同導通電阻和額定電壓的硅功率MOSFET相比，其價格更低 。從那時起，產量繼續提升、氮化鎵器件的價格持續下降、氮化鎵技術不斷改進和芯片進一步更小化。下圖顯示了
2023-06-25 14:17:47
（VLSI）設備采用的設計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應晶體管發展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結型晶體管（BJT)自身的局限性驅動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
采用了GaNSense?技術的NV6169 PQFN 8×8 GaNFast?功率IC，適用于更高功率的應用
2023-06-16 11:12:02
大部分從事后端設計的同行應該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經理、封裝同事等才會接觸這一部分內容。
2023-06-16 10:05:18674 
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
高速公路服務區的重要基礎設施，確保電動汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產品，通過優化器件結構設計，采用先進的工藝制造技術，進一步提高了產品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
蘭奈梅亨--(美國商業資訊)--Nexperia(安世半導體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領導者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術實現具有史上最低導通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
PRISEMI芯導產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產品組合 基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-26 09:52:42393 
“ 引言 ” 近年來，為了更好地實現自然資源可持續利用，需要更多節能產品，因此，關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術
2023-05-23 17:14:18618 
為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術正式注冊為JEDEC標準。
2023-04-29 03:28:004585 
大部分從事后端設計的同行應該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經理、封裝同事等才會接觸這一部分內容。
2023-04-21 09:31:091573 摘要半導體技術的進步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術的發展和進步，也由此產生了各種各樣的封裝形式。當前功率器件的設計和發展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征，器件封裝上呈現出模塊化
2023-04-20 09:59:41710 
MOSFET作為功率開關管，已經是開關電源領域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅動器件，其驅動表面上看來是非常簡單，但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間，一點點來解析MOSFET的驅動技術，以及在不同的應用，應該采用什么樣的驅動電路。
2023-04-18 09:19:31600 光電紅外（EO/IR）系統是一種傳感器技術，其采用光學和電子技術組合來檢測、跟蹤和識別紅外光譜中的物體或目標。
2023-04-15 10:10:34870 了BGA封裝的更多成本，直接采用板級封裝，這種封裝技術的進步是需要我們跟蹤和學習的。我們國內的TCB熱壓鍵合已經推出幾年了，取得了不錯的效果。原作者：真空回流焊中科同志
2023-04-11 15:52:37
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 采用溝槽MOSFET技術的超小型扁平引線SOT666表面安裝器件（SMD）塑料封裝中的雙P溝道增強型場效應晶體管（FET）
2023-03-28 18:19:58
TSUS4300 是一款采用 GaAs 技術的紅外 950 nm 發光二極管，采用藍色塑料封裝。
2023-03-28 13:02:41
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