以電阻系數(shù)標示電導率時，半導體的電阻系數(shù)介于10-4至108Ωcm區(qū)間，導體的電阻系數(shù)位于10-8至10-4Ωcm區(qū)間，絕緣體的電阻系數(shù)橫跨108至1018Ωcm范圍。
2024-03-19 11:33:03
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JW7109是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時序的要求。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關(guān)。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可編程導通上升時間的低25毫歐電阻單通道負載開關(guān)。它包含n溝道MOSFET，可以提供6A的最大連續(xù)電流。JW7106可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 在
2024-03-18 14:30:27
臺積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導體行業(yè)的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導體行業(yè)傳奇而動蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
意法半導體新推出的八路高邊開關(guān)兼?zhèn)渲悄芄δ芎驮O(shè)計靈活性，每條通道導通電阻RDS(on)(典型值)僅為110mΩ，保護系統(tǒng)能效，體積緊湊，節(jié)省 PCB 空間。
2024-03-12 11:41:49250 蓉矽半導體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領(lǐng)域的技術(shù)實力，也進一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領(lǐng)域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 意法半導體（STMicroelectronics）近日發(fā)布了兩款八路高邊開關(guān)——0.7A IPS8200HQ和1.0A IPS8200HQ-1，這兩款開關(guān)不僅具備出色的智能功能，還在設(shè)計上展現(xiàn)出極高
2024-03-12 10:47:42227 想問一下，半導體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
如何區(qū)別普通電阻和保險電阻？如何檢驗保險電阻好壞？ 普通電阻和保險電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細介紹如何區(qū)分普通電阻和保險電阻，并說明如何檢驗保險電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
半導體應變片和電阻絲應變片有什么不同？ 半導體應變片和電阻絲應變片是常用的兩種測量應變的傳感器。它們在測量應變的原理、結(jié)構(gòu)、性能等方面存在一些不同點。 首先，半導體應變片是利用半導體材料的特性來測量
2024-02-04 15:07:22438 安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，平臺采用先進的技術(shù)和設(shè)計，提供了卓越的開關(guān)特性和低導通電阻，從而實現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價低，在普通電子產(chǎn)品中應用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07136 
安建半導體推出具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設(shè)計確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應穩(wěn)定，性價比高。
2024-01-20 17:54:00916 
主要用于對電路中的浪涌電流進行限制和抑制，以保護其他電子元件不受到電流過大的損害。普通電阻則主要用于電路分壓、限流、衰減等基本電阻功能。 2. 結(jié)構(gòu)區(qū)別: 抗浪涌電阻通常由金屬氧化物電阻體、導體引線和封裝材料組成。金屬氧化
2024-01-18 16:16:58557 半導體放電管是一種采用半導體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開關(guān)特性。當浪涌電壓超過轉(zhuǎn)折的電壓VBO時，器件被導通，這時它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 1兆歐的電阻在半導體裝配中的主要作用是什么？ 1兆歐的電阻在半導體裝配中有著重要的作用。電阻是一個被設(shè)計為在電路中產(chǎn)生電壓降的元件，通過限制電流流過的能力來改變電路的特性。在半導體裝配中，電阻主要
2023-12-20 14:04:03220 用萬用表如何檢測普通電阻器？ 萬用表是一種多功能測量工具，用于測量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬用表來檢測普通電阻器的詳細步驟
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通電橋測電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測量工具，廣泛應用于實驗室和工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將詳細介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說明其測量電阻的優(yōu)勢和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根據(jù)不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機器設(shè)備和半導體器件這三種。
當靜電與設(shè)備導線的主體接觸時，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:56189 MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計人員需要在其傳導損耗和開關(guān)損耗之間進行權(quán)衡。傳導損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過導通電阻而造成；開關(guān)損耗則發(fā)生在MOSFET 開關(guān)期間，因為 MOSFET 沒有即時開關(guān)而產(chǎn)生。這些都是由 MOSFET 內(nèi)半導體結(jié)構(gòu)的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:33167 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10459 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個常見的元件，它被用來控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細介紹
2023-10-29 11:21:55933 “半導體”是一種特性介于“導體”和“絕緣體”之間的物質(zhì)，前者像金屬一樣導電，后者幾乎不導電。電流流動的容易程度與物質(zhì)電阻的大小有關(guān)。如果電阻高，電流很難流動;如果電阻低，電流容易流動。
2023-10-27 14:18:281011 
羅姆半導體推出了雙 MOSFET，該器件在單個封裝中集成了兩個 100V 芯片，使其適用于驅(qū)動通信基站和工業(yè)設(shè)備中的風扇電機。這五款新型號已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch
2023-10-23 15:44:02482 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設(shè)備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對運放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
一、磁場對通電直導體的作用 通電導體周圍存在磁場，將通電導體放入磁場中，根據(jù)磁體間的相互作用，它會受到磁場的磁力作用。 1、通電直導體受到均勻磁場作用力的方向，可用左手定則來判斷。 2、通電直導體
2023-10-07 15:35:20957 
? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
導通電阻測試就是用來檢測導線或連線情況是否正常的一種方法，是指兩個導體間在一定電壓下通過的電流所引起的電壓降之比，通俗的說就是導線通電后的電阻值。芯片引腳導通性測試是一個必要的步驟，用于驗證和檢測芯片引腳之間的連接是否正確，以確保芯片的正常工作。
2023-09-28 14:52:341152 
PTC 是 Positive Temperature Coefficient 的縮寫,意思是正的溫度系數(shù),泛指正溫度系數(shù)很大的半導體材料或元器件.通常我們提到的 PTC 是指正溫度系數(shù)熱敏電阻,簡稱
2023-09-28 06:52:22
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導體芯片的制作和半導體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 07:55:12
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
什么是PN結(jié)的導通電壓？? PN結(jié)是半導體器件中最常見的元器件之一，它將p型半導體和n型半導體的材料在一起，通過電場使它們連接在一起，并形成一個電子流的管道。在其中，導通電壓是PN結(jié)的一個重要參數(shù)
2023-09-13 15:09:292818 半導體熱敏電阻包括哪些 半導體熱敏電阻是一種基于半導體材料的電阻，其電阻隨著溫度的變化而變化。它的應用十分廣泛，涵蓋了所有需要測量或控制溫度的領(lǐng)域，如電子設(shè)備、醫(yī)藥、汽車工業(yè)和航空航天等。 半導體熱敏電阻
2023-09-08 10:39:471077 意法半導體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474 穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)洌酌?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常用的半導體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進步和應用范圍的擴大，射頻技術(shù)在越來越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 的特性，其中一些包括： 1. 非線性電阻性能：半導體的電阻隨著電壓的變化而變化，而且不是線性的。這是由于在半導體材料內(nèi)部存在多種電子軌道和能級，電子在能級間躍遷時會產(chǎn)生電流，從而導致電阻的變化。 2. 電子和空穴的導電
2023-08-29 16:28:581807 和管理者。今年，Nexperia（安世半導體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140 ，減少人力資源消耗，為半導體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測量、圖像拼接、環(huán)光獨立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測量需求，解決各行業(yè)尺寸測量難題。
2023-08-21 13:38:06
電子電路必須具有過流保護，以防止大電流造成損害。由于開關(guān)時間快且導通電阻低，MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）可用作過流保護電路中的開關(guān)。在本文中，我們將討論基于 MOSFET 的過流預防的簡單原理圖電路圖。
2023-08-18 17:32:582352 
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要
2023-08-18 08:32:56513 
1.串聯(lián)電阻R與半導體ESD電露布線與防浪涌關(guān)系串聯(lián)電阻R與半導體ESD電路布線中，哪個應放置靠近被保護IC?在信號線防浪涌保護中，信號線時常會串一顆小阻值的電阻作為保護器件來抑制浪涌電流，起到限流
2023-08-17 09:24:31538 先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
瑞森半導體超結(jié)MOSFET新品上市,RSF60R070F、RSF60R026W型號,打破行業(yè)常規(guī)?(TO-220F封裝70mΩ）,業(yè)內(nèi)優(yōu)勢導通電阻（典型值20mΩ）,國內(nèi)少有產(chǎn)品型號?技術(shù)領(lǐng)航
2023-08-08 11:04:05489 
瑞森半導體超結(jié)MOSFET新品上市,RSF60R070F、RSF60R026W型號,打破行業(yè)常規(guī)?(TO-220F封裝70mΩ）,業(yè)內(nèi)優(yōu)勢導通電阻（典型值20mΩ）,國內(nèi)少有產(chǎn)品型號?技術(shù)領(lǐng)航
2023-08-08 10:27:09304 
，由金屬氧化物半導體結(jié)構(gòu)組成。MOSFET是一種主要用于控制電流的無源器件，它具有高頻特性和高電阻特性。MOSFET可用于各種應用，包括電源管理、模擬電路和數(shù)字電路中的開關(guān)和放大器。
2023-08-04 15:24:152047 金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
優(yōu)恩半導體05D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應用提供了理想的電路保護解決方案。最大峰值浪涌電流可達0.8 ka (8/20 μs脈沖)，可防止間接雷擊干擾、系統(tǒng)
2023-07-12 17:33:26
優(yōu)恩半導體10D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應用提供了理想的電路保護解決方案。最大峰值浪涌電流可達3.5ka (8/20 μs脈沖)，以防止高峰值浪涌，包括間接
2023-07-12 15:29:27
優(yōu)恩半導體14D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應用提供了理想的電路保護解決方案。最大峰值浪涌電流可達6ka (8/20 μs脈沖)，以防止高峰值浪涌，包括間接雷擊
2023-07-12 14:41:14
優(yōu)恩半導體14DSC系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應用提供了理想的電路保護解決方案。最大峰值浪涌電流可達6ka (8/20 μs脈沖)，以防止高峰值浪涌，包括間接
2023-07-12 14:31:06
優(yōu)恩半導體20D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻為低直流電壓應用提供了理想的電路保護解決方案，在這種小圓盤中提供比以往更高的浪涌額定值，極限峰值浪涌電流額定值可達10ka (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接
2023-07-12 14:19:50
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu)，對其導通電阻的構(gòu)成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
鎵器件大約在2015年推出市場，與具有相同導通電阻和額定電壓的硅功率MOSFET相比，其價格更低 。從那時起，產(chǎn)量繼續(xù)提升、氮化鎵器件的價格持續(xù)下降、氮化鎵技術(shù)不斷改進和芯片進一步更小化。下圖顯示了
2023-06-25 14:17:47
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
目錄 ⊙擊穿電壓 ⊙導通電阻 ⊙跨導 ⊙閾值電壓 ⊙二極管正向電壓 ⊙功率耗散 ⊙動態(tài)特性 ⊙柵極電荷 ⊙dv/dt 能力 盡管分立式功率MOSFET的幾何結(jié)構(gòu)，電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路
2023-06-17 14:24:52591 
當前，第三代半導體中的碳化硅功率器件，在導通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對當前行業(yè)發(fā)展新趨勢，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
優(yōu)恩半導體20DYC系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應用提供了理想的電路保護解決方案。極限峰值浪涌電流額定值可達10KA (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接雷擊
2023-06-14 11:34:37
優(yōu)恩半導體32D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應用提供了理想的電路保護解決方案。極限峰值浪涌電流額定值可達30ka (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接雷擊干擾
2023-06-14 10:52:47
優(yōu)恩半導體40D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應用提供了理想的電路保護解決方案。極限 峰值浪涌電流額定值可達30ka (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接雷擊干擾
2023-06-14 10:39:23
廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
光伏與儲能是能源電力系統(tǒng)實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲利用的有效途徑，在推動碳達峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用，碳化硅憑借導通電阻低開關(guān)損耗小的優(yōu)勢，可有效助力光伏與儲能系統(tǒng)，節(jié)約能源，推薦使用國產(chǎn)基本半導體芯片
2023-06-12 14:58:36337 瑞森半導體在高速吹風機產(chǎn)品上主推平面高壓MOS，開關(guān)頻率高，控制方式簡單，響應速度快，導通電阻小，可靠性高
2023-06-09 15:01:59413 
瑞森半導體在高速吹風機產(chǎn)品上主推平面高壓MOS，開關(guān)頻率高，控制方式簡單，響應速度快，導通電阻小，可靠性高
2023-06-09 11:51:05370 
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 光伏與儲能是能源電力系統(tǒng)實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲利用的有效途徑，在推動碳達峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用，碳化硅憑借導通電阻低開關(guān)損耗小的優(yōu)勢，可有效助力光伏與儲能系統(tǒng)，節(jié)約能源，推薦使用國產(chǎn)基本半導體芯片
2023-05-29 10:16:48
場效應管是由多數(shù)載流子參與導電的半導體器件，也稱為單極型晶體管。它是一種電壓控制型半導體器件，具有噪聲小、功耗低、開關(guān)速度快、不存在二次擊穿問題，主要具有信號放大、電子開關(guān)、功率控制等功能，廣泛應用
2023-05-26 14:24:29
? 2023 年 5 月 24 日，中國 —— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM
2023-05-26 14:11:20701 
中國—— 意法半導體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項信息。 點擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導體的是負的？
2023-04-23 11:27:04
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導體分立器件行業(yè)已經(jīng)進入快速發(fā)展通道。目前，我國已經(jīng)成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場，根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 16:00:28
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導體分立器件行業(yè)已經(jīng)進入快速發(fā)展通道。目前，我國已經(jīng)成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場，根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 13:46:39
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
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