電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:18
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蘋果公司在官網推出了新款MacBook Air，搭載高性能M3芯片，提供13英寸和15英寸兩種尺寸選擇。新款MacBook Air不僅性能卓越，還擁有出色的電池續航，最長可達18小時，滿足
2024-03-13 17:37:56292 近日，全球電子組件領域的領軍制造商美國柏恩Bourns，宣布推出兩款全新的車規級高溫屏蔽功率電感器——SRR0735HA和SRR0745HA系列。這兩款電感器專為滿足現代汽車及其他應用對高性能、高可靠性的需求而設計，展現了Bourns在電源、保護和傳感解決方案領域的持續創新。
2024-03-13 10:52:03244 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 在電子元件領域不斷創新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業應用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經過改良設計的INT-A-PAK封裝。新款產品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產品特別適用于數據中心和光伏功率調節器等關鍵應用的開關電源，展現了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續創新。
2024-03-12 10:27:36255 在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統和能量轉換領域邁入了新的發展階段。
2024-03-12 09:53:5297 在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125 日前，Vishay 推出了新系列浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻，名為PTCEL系列，專為浪涌限流設計。這一系列熱敏電阻在25°C時阻值范圍廣泛，能夠處理高電壓和高能量，有助于提升汽車和工業應用中有源充放電電路的性能。
2024-03-08 11:47:07262 Vishay近期發布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運用Vishay領先
2024-03-08 11:45:51266 日前，Vishay 推出新系列浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻。Vishay BCcomponents PTCEL 系列器件 25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理和高能量吸收能力，
2024-03-08 11:34:20293 
日前，Vishay 推出五款采用改良設計的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成
2024-03-08 09:15:18177 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
英飛凌科技股份公司，憑借其豐富的磁性位置傳感器技術經驗與成熟的線性隧道磁阻（TMR）技術，成功研發出新款磁性位置傳感器XENSIV? TLI5590-A6W。
2024-01-31 11:08:26345 Vishay威世科技日前宣布，其光電子產品部推出了一款全集成超小型接近傳感器——VCNL36828P。這款傳感器專為提高消費類電子應用的效率和性能而設計。
2024-01-29 10:21:38283 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創新型封裝為 AOS 產品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 MALVER N 、中國 上海 — 2024 年 1 月 25 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其光電子產品部推出全集
2024-01-26 15:45:36925 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出新款低功耗藍牙（LE）片上系統（SoC），即DA14592。這款產品憑借其超低功耗和微型尺寸，成為瑞薩電子系列中功耗最低、體積最小的多核（Cortex-M33、Cortex-M0+）低功耗藍牙產品。
2024-01-19 16:18:15322 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
2023-12-26 16:54:45
集特推出新款龍芯主板GM9-3003
2023-12-14 16:03:07209 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工業應用節能。
2023-12-08 09:27:10394 
如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應用中，主要考慮哪些參數？在負載開關的功率MOSFET管導通時間計算，通常取多少比較好？相應的PCB設計，銅箔面積布設多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識
2023-11-23 09:06:38407 
電子發燒友網站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源.pdf》資料免費下載
2023-11-13 15:11:29
0 全球被動元件領導廠商-國巨集團，推出新款薄膜氮化鉭晶片電阻-NT系列。 NT系列產品具備抗濕、抗硫、高精密度、高穩定表現的特性，外殼尺寸從0402到1206 ，電阻范圍為100Ω-481KΩ，具有
2023-11-08 11:08:37370 MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
2023-11-07 21:16:18
MOSFET N-CH 30V SMD
2023-10-31 17:40:36
MOSFET P-CH 20V SC-70-6
2023-10-31 17:40:36
SiA400EDJ-T1-GE3是一款N溝道功率場效應管，具有以下參數 - 最大耐壓 30V- 最大漏極電流 5.8A- 導通時的電阻（RDS(ON)） 22mΩ@10V, 28m
2023-10-27 15:55:27
功率MOSFET選型的幾點經驗在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術文章有很多介紹MOSFET參數和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品 IXTY2P50PA。這個創新的產品設計能滿足汽車應用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 
V Vishay?推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降壓穩壓器，用來提高負載點 (POL) 轉換器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
功率MOSFET數據表參數
2023-08-24 09:13:06552 
特斯拉決定在推出新產品的同時，在國內市場降低價格銷售新型產品。8月14日，特斯拉在推特上表示，從今天起，Model Y長期型號的銷售價格將從31萬3900元下調到29萬9900元，Model Y高性能型號的價格將從36萬3900元下調到34萬9900元，分別下調1.4萬元。
2023-08-15 10:56:49860 隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
海凌科推出新款百元左右的路由模塊，集2.4G/5G雙頻段 + WiFi5 于一體，支持 5 路千兆路由，體積小巧，接口豐富，性價比高。 1 RM50產品介紹 HLK-RM50 是海凌科電子推出
2023-08-14 09:44:57657 Vishay 推出一種用于工業、計算機、消費和移動應用領域的新型反射式光傳感器。
2023-08-11 12:32:58538 倍加福推出新款 VOC工業事件相機 ，再次擴展工業視覺產品系列。該相機可以實現 在觸發信號前后長達 60 秒、以事件為驅動的視頻記錄 ，從而實現針對性的簡單遠程診斷以及 自動文檔記錄 。
2023-07-28 14:10:23513 MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區（對應GTR的截止區）;飽和區（對應于GTR的放大區）;非飽和區（對應于GTR的飽和區）。功率MOSFET在開關狀態下工作，即截止區域和不飽和區之間的轉換
2023-07-04 16:46:37975 
據麥姆斯咨詢報道，近日，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型固定增益紅外（IR）傳感器
2023-06-29 09:37:12404 功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關型應用中，發揮著開關的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢復整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤 DFN3820A封裝。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00523 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業內先進水平 Vishay? 推出一款業內先進的新型汽車級光電壓輸出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業內先進水平 Vishay? 推出一款業內先進的新型汽車級光伏 MOSFET 驅動器
2023-06-08 19:55:02374 
功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
分享功率MOSFET驅動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
同步整流技術就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術,就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
亮鉆推出新款核心板Y-3566，其采用四核Cortex-A55內核的瑞芯微RK3566處理器，主頻可達1.8GHz。郵票孔接口設計，支持8GB大內存，集成最高1Tops AI算力的NPU，為用戶提供“嵌入式”+“AI”解決方案平臺。
2023-05-17 15:57:27965 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出新款高速四通道數字隔離器“DCL54xx01”系列，該系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬態抑制（CMTI）和150Mbps的高速數據速率。該系列六款產品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-10 09:37:18600 
功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現？怎樣實現？
2023-05-08 16:16:27
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出加強版0805封裝抗浪涌厚膜電阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，額定功率高達0.5
2023-03-29 17:00:06694 
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70
2023-03-29 15:12:30
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
2023-03-29 15:11:32
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
2023-03-29 15:08:46
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
2023-03-29 15:08:42
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
2023-03-29 15:08:05
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L
2023-03-29 15:07:51
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
2023-03-29 15:06:42
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
2023-03-29 14:29:47
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
2023-03-29 14:29:24
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
2023-03-29 14:28:08
MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
2023-03-29 10:05:37
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
2023-03-29 10:04:39
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
2023-03-28 22:31:15
MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
2023-03-28 22:31:07
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
2023-03-28 22:30:40
MOSFET P-CH 20V 9A SC70
2023-03-28 22:28:00
MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6
2023-03-28 22:24:41
MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6
2023-03-28 22:24:35
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
2023-03-28 22:20:59
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
2023-03-28 22:20:52
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
2023-03-28 22:20:38
MOSFET - 陣列 N 和 P 溝道 20V 4.5A 7.8W 表面貼裝型 PowerPAK? SC-70-6 雙
2023-03-28 18:20:06
MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
2023-03-28 18:20:01
SIA471DJ-T1-GE3
2023-03-28 13:12:41
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