功率器件是指用于控制和調節電能的器件,其主要功能是將電能轉換為其他形式的能量,如電機的驅動、電源的變換等。功率器件一般分為三類:晶閘管、功率二極管和場效應管。晶閘管主要用于大功率開關控制,功率二極管
2024-03-20 14:43:16105 IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
2024-03-18 16:30:39261 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。
2024-03-07 14:28:43103 英飛凌為基于CYW43012的設計降低功率峰值提供了哪些指導。
開機和喚醒時似乎出現浪涌功率峰值。
基于 CYW43012 的模塊似乎需要大約 600ma-700mA 的峰值電流消耗。
是否有偏移或序列函數的選項,這些函數需要較大的浪涌才能將峰值電流限制在 500mA 以內?
2024-02-29 07:34:38
元件完成電路的升降壓嗎?尤其是在同步整流中,前級輸入有LCL濾波裝置,LCL僅僅起到一個濾波的作用嗎,對整流的升降壓有沒有起到作用,低壓三相380同步整流輸出電壓范圍510-710V左右。
此時的功率器件是采用MOSFET還是IGBT什么的?
2024-01-17 16:26:41
/導讀/英飛凌作為全球功率半導體市場絕對的領軍者,對全球“減碳”事業的探索也一直走在前列。2023年4月,英飛凌還將工業功率控制事業部正式更名為零碳工業功率(GIP
2024-01-10 08:13:51152 英飛凌,全球半導體技術的領導者,于2023年12月23日榮獲了年度國際功率器件行業卓越獎,其獲獎產品為160V MOTIX?三相柵極驅動器IC。這一榮譽充分體現了英飛凌在寬禁帶半導體技術和創新方面的杰出貢獻。
2024-01-03 15:32:19319 逆變電路中的功率開關器件是實現直流電轉換為交流電的關鍵元件,其主要作用是在控制信號的作用下,將直流電源輸出的電能轉換為交流電能。在逆變電路中,功率開關器件的性能直接影響到整個逆變器的效率、可靠性
2023-12-30 17:02:00702 英飛凌是全球半導體領域的領導者,12月23日,英飛凌160VMOTIX三相柵極驅動器IC獲得年度國際功率器件行業卓越獎。本次評獎活動由世紀電源網舉辦,旨在通過客觀、真實、公開的評選方式,評選
2023-12-30 08:14:04173 %的年度營收。根據Omdia9月公布的最新數據,英飛凌功率半導體器件繼續穩居全球第一,占據超20%的市場份額。今天,小編帶著大家一起來盤點下2023年英飛凌在零碳道
2023-12-29 08:14:04152 碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統的硅基功率器件具有許多優勢,主要體現在以下幾個方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰
2023-12-21 11:27:09285 是一種重要的關鍵技術,被廣泛應用于能源轉換和能量控制系統中。 首先,我們來了解一下什么是IGBT模塊。IGBT模塊是一種功率半導體器件,是繼MOSFET和BJT之后的第三代功率開關器件。它具有低導通壓降、高開關速度和高耐受電壓的特點,適用于高
2023-12-07 16:45:21469 功率半導體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導體器件。典型的功率處理,包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導體器件:大功率二極管
2023-12-03 16:33:191134 碳化硅MOSFET導通損耗低,開關速度快,dv/dt高,短路時間小,對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士,在2023IPAC
2023-12-01 08:14:10212 高壓功率器件的開關技術簡單的包括硬開關技術和軟開關技術
2023-11-24 16:09:22534 深圳市三佛科技有限公司供應SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅動芯片SOP8,原裝現貨 半橋柵極動心片.半橋柵極驅動芯片是一種用于驅動半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 -通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機電路板尺寸- ? 中國上海, 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產品,適用于空調、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款600V小型智能功率器件(IPD)—“TPD4163K”和“TPD4164K”,可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:54657 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模塊SPE10S60F-A(600V/10A)的波輪洗衣機控制方案,FU6813是一款集成電機控制引擎(ME)和8051內核的高性能電機驅動專用芯片,內置高
2023-09-20 17:03:22
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET,根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點,使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(下稱“Toshiba”)推出了兩款適用于直流無刷電動機應用領域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度,使其適用于高功率和高頻率應用,如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能,氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942 器件描述:漏源電壓(Vdss):600V 連續漏極電流(Id)(25°C 時):4A(Tc) 柵源極閾值電壓:4.5V @ 50uA 漏源導通電阻:2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
酷睿?SoC-600是ARM嵌入式調試和跟蹤組件家族的成員。
CoreSight?SoC-600提供的部分功能包括:
·可用于調試和跟蹤ARM SoC的組件。
這些SoC可以是簡單的單處理器設計,也
2023-08-17 07:45:56
報告中介紹,隨著功率半導體應用領域逐漸擴大,當應用在計算機和航空電子等領域中時,低導通壓降能夠縮小整機的冷卻系統,從而降低整機尺寸和成本,所以用戶對器件的導通電阻提出了更高的要求。
2023-08-09 16:21:36326 碳化硅功率器件主要應用于新能源車的電驅電控系統,相較于傳統硅基 功率半導體器件,碳化硅功率器件在耐壓等級、開關損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優勢,有助于實現新能源車電力電子驅動系統輕量化、高 效化。
2023-08-02 10:49:59363 功率半導體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產業鏈中最核心的一類器件之一。能夠實現電能轉換和電路控制,在電路中主要起著功率轉換、功率放大、功率開關、線路保護、逆變(直流轉交流)和整流(交流轉直流)等作用。
2023-07-27 16:17:151630 供應ID5S609SEC-R1 600V高低側柵極驅動芯片可代換IR2304,提供id5s609芯片資料關鍵參數 ,廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片可替代ir2304,提供ID5S609SEC-R1 關鍵參數 ,廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供應ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅動IC,提供ID7U603規格書關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:11:044 供應ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片可代換IR2104,提供ID7U603SEC-R1關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
CR08AS-12A 數據表 (600V - 0.8A - Thyristor / Low Power Use )
2023-07-14 09:39:210 RJH60D5BDPQ-E0 數據表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:470 RJH60M5DPQ-E0 數據表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:090 RJH60M7DPQ-E0 數據表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160 RJH60M6DPQ-E0 數據表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:310 RJS6005TDPP-EJ 數據表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:54:020 RJS6004TDPP-EJ 數據表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:53:520 RJK6011DJE 數據表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching )
2023-07-13 18:52:500 RJK6011DJA 數據表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching)
2023-07-13 18:52:300 RJS6004WDPK 數據表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:51:450 RJS6005WDPK 數據表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-07-13 18:49:070 RJH60T04DPQ-A1 數據表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-07-12 20:22:020 RJP60V0DPM-80 數據表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430 RJP60V0DPM 數據表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320 BCR16PM-12LC 數據表 (600V - 16A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:54:190 BCR12PM-12LC 數據表 (600V - 12A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:54:010 BCR8PM-12LE 數據表 (600V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:53:310 BCR2PM-12RE 數據表 (600V - 2A -Triac / Low Power Use)
2023-07-12 18:53:140 了 “R60xxVNx系列” (含7款機型)。 此外,高速開關型600V耐壓Super Junction MOSFET產品陣容中也新增了導通電阻更低的 “R60xxYNx系列” (含2款機型
2023-07-12 12:10:08437 RJH60A83RDPD-A0 數據表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450 RJH60A81RDPD-A0 數據表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:310 RJH60A01RDPD-A0 數據表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:170 RJU60C6SDPQ-A0 數據表(600V - 25A - Single Diode Fast Recovery Diode)
2023-07-11 20:15:110 的MOSFET系統快一個數量級)。假設典型的600V高壓軌,這會導致(600V/5ns)= 120kV/μs的開關瞬態。
2023-06-28 14:33:33275 1 Buck 變換器的功率器件設計公式 (1):Buck 變換器的電路圖: (2):Buck 變換器的主要穩態規格: (3):功率器件的穩態應力: -- 有源開關 S: -- 無源開關 D: 上述
2023-06-26 10:06:01434 線。該器件采用超級結結構,耐壓600V,適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品,于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比,600V DTMOSVI系列產品的
2023-06-13 16:38:50712 BCR16PM-12LC 數據表 (600V - 16A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:01:170 BCR12PM-12LC 數據表 (600V - 12A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:01:010 BCR8PM-12LE 數據表 (600V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:00:230 BCR2PM-12RE 數據表 (600V - 2A -Triac / Low Power Use)
2023-05-15 20:00:080 RJH60A83RDPD-A0 數據表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590 RJH60A81RDPD-A0 數據表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:390 RJH60A01RDPD-A0 數據表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:270 RJU60C6SDPQ-A0 數據表(600V - 25A - Single Diode Fast Recovery Diode)
2023-05-15 19:04:130 功率器件可以在各種非正常工況下保護自己并報錯會大大提高功率器件自身的可靠性和整個系統的安全性。以下圖中英飛凌的智能高邊經典產品PROFET系列為例,它集成了診斷和保護功能(Protect)的功率器件
2023-05-02 15:44:00927 GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793 IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
2023-04-06 11:45:301042 開關電源功率是由開關管的最大電流決定嗎?例如5v1a的電源,開關管選多大的電流,這個電流是如何算出來的?謝謝
2023-04-04 16:56:04
iso功率器件可用于接受消隱信號,并利用它們來控制開關噪聲對高精度測量的負面影響,從而提高測量精度。
2023-04-04 11:06:59707 供應ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ,提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規格書參數 ,更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:39:344 供應電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105 供應50a 600v igbt 驅動電路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:592 供應SGT30T60SD3PU伺服電機控制igbt 600V、30A規格參數,提供SGT30T60SD3PU關鍵參數 ,可應用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領域,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:09:042 供應全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7關鍵參數 ,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開關逆變器,提供SGT20T60SD1F關鍵參數 ,是士蘭微IGBT代理商,更多產品手冊、應用料資請向驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:40:25
供應5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS規格書參數 ,可應用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領域,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:131 CR08AS-12A 數據表 (600V - 0.8A - Thyristor / Low Power Use )
2023-03-31 19:28:150 RJH60D5BDPQ-E0 數據表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480 RJH60M5DPQ-E0 數據表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:15:310 RJH60M7DPQ-E0 數據表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000 RJH60M6DPQ-E0 數據表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:09:070 RJS6005TDPP-EJ 數據表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:24:000 RJS6004TDPP-EJ 數據表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:23:430 RJK6011DJE 數據表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching )
2023-03-30 19:22:410 RJK6011DJA 數據表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching)
2023-03-30 19:22:280 RJS6004WDPK 數據表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:21:350 RJS6005WDPK 數據表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-03-30 19:18:180 RJH60T04DPQ-A1 數據表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-03-30 18:47:000 RJP60V0DPM-80 數據表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470 RJP60V0DPM 數據表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340 NUT/SCREWDRIVERSETW/HANDLE2PC
2023-03-29 21:00:14
逆變器、全橋驅動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930
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