電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT。但其驅動電路復雜，驅動功率大。
2024-03-07 17:06:38
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串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過。而最經濟易行的方法
2024-03-06 20:49:11
達林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達林頓對（Darlington Pair），是由兩個或更多個雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復合結構。通過這種結構，第一個雙極性晶體管放大的電流可以進一步被放大，從而提供比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53508 
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 雙極性晶體管是利用兩種離子導電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統，其整體上是呈現電中性的，當其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
電子發燒友網站提供《80 V，1 A PNP中等功率晶體管BC53xPAS系列數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-19 10:24:04
0 晶體管偏置電阻的計算主要是為了確定適當的基極電流以確保晶體管正常工作和線性放大。
2024-02-05 15:06:28313 
晶體管的偏置是指為了使晶體管正常工作，需要給晶體管的基極或發射極加上適當的電壓，從而使晶體管的工作點處于穩定的狀態。
2024-02-05 15:00:43368 
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切換晶體管時遇到了一個問題。我正在嘗試讓 LED 通過晶體管閃爍。當我從評估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時，該程序有效。但是當我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會先上升后下降，因為電壓降在下降而電流在上升。功率最大點在中間位置。
3、當基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時，晶體管進入飽和，此時無論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
傳統的雙極晶體管是一種電流驅動型放大器，對其信號放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發射極工作狀態時，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:03371 
如何去識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？ IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導體器件，結合了雙極型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）的特點。IGBT通常用于高電壓和高電流應用，例如工業
2024-01-12 11:18:10350 對于一個含有晶體管，場效應管，運放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時不應該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱
2024-01-03 15:14:22268 
事通訊設備產品規格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術應用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
電子發燒友網站提供《BSH201場效應功率晶體管英文資料.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:08:450 晶體管的問世，是20世紀的一項重大發明，是微電子革命的先聲。晶體管出現后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發明又為后來集成電路的降生吹響了號角。
2023-12-13 16:42:31427 
晶體管作為現代電子技術的核心組件之一，尤其是雙極結型晶體管（BJT），在眾多應用中扮演著開關的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開關，并闡明其在切斷區和飽和區的工作原理。
2023-11-28 11:15:58337 
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
為什么要功率放大？ 當一個放大電路比如說晶體管放大電路當電壓放大時，由歐姆定律負載上的電流不就變大了嗎？這個我不太理解在功率放大電路中。希望有人給我講一下 謝謝！
2023-11-23 07:36:14
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結到環境的熱阻JA的數據，我需要結到外殼的熱阻Jc的數據，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數目是多少？
2023-11-21 06:54:43
如何避免晶體管損壞？ 晶體管是半導體器件的一種，應用廣泛，可以在計算機、電視、手機等各種設備中使用。晶體管工作時非常穩定，但是如果不注意使用、維護，很容易損壞。下面為您介紹幾種避免晶體管損壞的方法
2023-10-31 10:37:46382 在電源與充電樁等高功率應用中，通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管？ 電源與充電樁等高功率應用通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管，主要是出于以下幾個方面的考慮。 首先，最后一級
2023-10-22 14:47:33409 無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優勢。
2023-09-28 17:44:221864 
專業圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術的重大進步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
晶體管的三種基本接法是什么 晶體管是一種半導體器件，是現代電子技術中的重要組成部分，可用于放大、開關和穩壓等電路。晶體管的三種基本接法是共射極、共集電極和共基極。下面將詳細介紹這三種接法
2023-08-25 15:35:173144 晶體管和芯片的關系介紹 晶體管和芯片是現代電子技術中最重要的兩個概念，二者有密不可分的關系。晶體管是一種半導體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:372440 晶體管和電子管的區別 晶體管和電子管都是電子器件，它們分別代表了不同的技術水平。由于晶體管取代了電子管并成為了現代電子技術的基石，兩者之間的主要差異有助于我們了解晶體管的優點。 一、結構差異 晶體管
2023-08-25 15:21:016859 分立晶體管是電子設計中最常見的元器件之一。該產品適用于眾多應用，從簡單的小信號晶體管到大型高功率器件，以及高頻/高功率器件。
2023-08-16 17:08:45171 該晶體管功率放大器電路僅使用準互補放大器配置中的四個晶體管，即可以低成本向 4 歐姆負載提供 90W 的功率。
2023-08-10 15:29:341000 
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17964 
解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現上述目標，隨著該項技術商用步伐的加快，在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優點 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優點呢？GaN在品質因數（
2023-08-03 14:43:28225 的制造商生產半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管及其應用。
2023-08-02 12:27:481044 
的制造商生產半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益，可用于麥克風輸入，第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
這是基于功率晶體管TIP33C和TIP34C為主要部分構建的40W功率放大器的電路圖。它采用對稱/雙電源供電。必須使用散熱器來防止晶體管過熱。
2023-07-31 16:19:101136 
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規格書
2023-07-24 14:27:530 MRF422射頻功率晶體管規格書
2023-07-24 14:24:070 功率MOS場效應晶體管電參數指標中規定的電參數一般分為三大類：直流參數、交流參數和極限參數。
2023-07-05 14:57:19336 
產品發射區結構設計為梳狀結構。晶體管版圖中發射區半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 11:23:34360 
TTL晶體管開關電路按驅動能力分為小信號開關電路和功率開關電路。按晶體管連接方式分為發射極接地（PNP晶體管發射極接電源）和射手跟隨開關電路。
2023-07-03 10:12:181936 
高效的400-800V充電和轉換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
ZXTP25020CFF 產品簡介DIODES 的 ZXTP25020CFF（PNP, 20V, 4.5A, SOT23F）先進的工藝能力和封裝最大限度地提高了這種小外形晶體管的功率處理
2023-06-12 18:11:45
引言: 在當今科技迅猛發展的時代，高效能的功率電子器件對于各個領域的應用至關重要。潤新微電子的RX65T125HS1B功率晶體管作為一款先進的產品，憑借其出色的性能和廣泛的應用領域，成為了眾多工程師
2023-06-12 16:48:161016 功率晶體管與標準門極驅動器兼容，方便集成到現有系統中。 優秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統設計。 低開關損耗：采用先進的GaN技術，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34686 如果您認為僅使用兩個小晶體管構建一個像樣的功率放大器是不可能的，那么您可能錯了。
2023-06-10 17:32:001407 
微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設計低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271639 
晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種
2023-05-30 15:32:362177 我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數據表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
數字晶體管是帶有電阻的晶體管。 有的只在基極串聯一個電阻，一般稱為R1，有的還在基極和發射極之間并聯一個電阻R2。 電阻R1有多種電阻，類似于標準電阻系列。 電阻器 R2 類似于 R1。 電阻R1和電阻R2可以有多種匹配方式，因此數字晶體管的種類很多。
2023-05-29 16:18:48559 ) 比上一代同類產品提高40%。 ? 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身，實現高效的開關性能。因此
2023-05-26 14:11:20701 
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
柵型場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
這種音頻功率放大器電路由幾個晶體管組成，這些晶體管以這樣的方式排列以形成一個固體音頻放大器電路并合格。該放大器使用四個晶體管，每個晶體管都有自己的功能。
2023-05-16 17:39:491813 
晶體管是什么器件 晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:12:59831 晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 單結晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
雙極結晶體管電路輸入振幅變大為什么會導致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號“PCAL6408ABSHP”中有關工藝節點和晶體管數量的信息。NXP 網站上是否有一個位置可以找到 NXP 部件號的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴展模塊控制步進電機嗎？
2023-04-17 14:13:13
采用晶體管互補對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請問BJT工藝的線性穩壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒有負觸發導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
對 Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內外最新研究進行了概括總結，展望了Ga2O3在未來的應用與發展前景。
2023-03-30 11:49:16229 我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
高壓快開關NPN功率晶體管
2023-03-24 10:10:47
高壓快開關NPN功率晶體管
2023-03-24 10:10:45
例：開關雙極晶體管2SD2673時的波形（100μs/div） ? ? 由于隨后要計算開關時的功率損耗，所以要確認OFF→ON時和
2023-03-23 16:52:27762 
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