SMSC發(fā)表JB2.2平臺具備多項增強(qiáng)音訊串流特性

　　半導(dǎo)體廠商SMSC今天發(fā)表最新一代的JukeBloxR 2.2(JB2.2)平臺，具備多項增強(qiáng)的音訊串流特性，包括啟動時間最快可提升4倍、采用新型WiFi多媒體(WMM)標(biāo)準(zhǔn)的改良式WiFiR效能、低功率待機(jī)模式、以及自動網(wǎng)絡(luò)喚醒功能等。JB2.2還可提供JB Connect 2.0和JB iLink等更好的網(wǎng)絡(luò)設(shè)定選項，以及令人興奮的新使用模式，可透過新的JB Direct功能，在個人或可攜式應(yīng)用程序中直接進(jìn)行連接與串流作業(yè)。

????????JB2.2完整的軟件開發(fā)套件(SDK)可提供更佳的應(yīng)用程序接口(API)與工具，當(dāng)實現(xiàn)這些新功能與減縮成本的集成，可進(jìn)一步簡化產(chǎn)品開發(fā)與客制化工程。JB2.2中的許多新功能都能透過變更軟件來實現(xiàn)，可進(jìn)一步擴(kuò)大對既有產(chǎn)品平臺的投資。SDK可提供核心庫，以因應(yīng)高階軟件層、媒體串流中介軟件、內(nèi)容存取、導(dǎo)航和系統(tǒng)控制、遙控配置檔案等各種功能的需求。

　　此外，由于充分運用功能強(qiáng)大、高效率的DM870A網(wǎng)絡(luò)媒體處理器，新設(shè)計還能藉由系統(tǒng)元件的集成，最高可減少20%的物料清單成本。JB2.2還啟用了SMSC處理器中的JB Host和JB數(shù)碼訊號處理器(DSP)新功能，以執(zhí)行個別的主機(jī)MCU和音訊DSP功能，因而可免除這些外部元件的成本。

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smsc(24271) smsc(24271)
JB2.2(5747) JB2.2(5747)
串流(6035) 串流(6035)

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2023-04-20 16:52:19

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NX7663JB-BC 數(shù)據(jù)表

2023-04-18 19:16:15

NX7563JB-BC 數(shù)據(jù)表

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NX7363JB-BC 數(shù)據(jù)表

2023-04-18 19:15:51

NX8663JB-BC 數(shù)據(jù)表

2023-04-10 19:06:02

C4532JB2A225K230KA

貼片電容（MLCC） 1812 2.2μF ±10% 100V JB

2023-04-05 01:01:37

C2012JB1V225M125AB

貼片電容（MLCC） 0805 2.2μF ±20% 35V JB

2023-04-05 00:58:25

C1608JB1V225K080AC

貼片電容（MLCC） 0603 2.2μF ±10% 35V JB

2023-04-05 00:46:45

C2012JB1C225M125AA

貼片電容（MLCC） 0805 2.2μF ±20% 16V JB

2023-04-05 00:46:16

C2012JB1E225K125AC

貼片電容（MLCC） 0805 2.2μF ±10% 25V JB

2023-04-05 00:46:13

C4532JB2A225M230KA

貼片電容（MLCC） JB 1812 100V ±20% 2.2μF

2023-04-05 00:36:45

C3216JB1H225M160AB

貼片電容（MLCC） 1206 2.2μF ±20% 50V JB

2023-04-05 00:36:07

C2012JB1H225M085AB

貼片電容（MLCC） 0805 2.2μF ±20% 50V JB

2023-04-05 00:35:52

C2012JB1V225K085AB

貼片電容（MLCC） 0805 2.2μF ±10% 35V JB

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C2012JB1V225K125AB

貼片電容（MLCC） 0805 2.2μF ±10% 35V JB

2023-04-05 00:35:35

C2012JB1E225K085AB

貼片電容（MLCC） JB ±10% 2.2μF 25V 0805

2023-04-05 00:34:35

C1608JB1E225M080AB

貼片電容（MLCC） 0603 2.2μF ±20% 25V JB

2023-04-05 00:34:28

C2012JB1E225M125AC

貼片電容（MLCC） 0805 2.2μF ±20% 25V JB

2023-04-05 00:34:27

C3216JB1E225M160AA

貼片電容（MLCC） 1206 2.2μF ±20% 25V JB

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C1608JB1C225M080AB

貼片電容（MLCC） 0603 2.2μF ±20% 16V JB

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C2012JB1C225K085AC

貼片電容（MLCC） 0805 2.2μF ±10% 16V JB

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C2012JB1A225M085AA

貼片電容（MLCC） 0805 2.2μF ±20% 10V JB

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C3225JB1H225K200AA

貼片電容（MLCC） 1210 2.2μF ±10% 50V JB

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C2012JB1H225M125AB

貼片電容（MLCC） 0805 2.2μF ±20% 50V JB

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C1608JB1C225K080AB

貼片電容（MLCC） 0603 2.2μF ±10% 16V JB

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C2012JB1A225K085AA

貼片電容（MLCC） 0805 2.2μF ±10% 10V JB

2023-04-05 00:27:39

C2012JB1H225K085AB

貼片電容（MLCC） 0805 2.2μF ±10% 50V JB

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C1608JB1E225K080AB

貼片電容（MLCC） 0603 2.2μF ±10% 25V JB

2023-03-30 21:13:55

攻克光子芯片制程中光刻、刻蝕、蒸鍍等多項核心工藝陜西先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺全面啟用

陜西光電子先導(dǎo)院先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺3月30日在西安全面啟用。該平臺具備光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項核心工藝，將為光子產(chǎn)業(yè)項目提供產(chǎn)品研發(fā)、中試、檢測等全流程技術(shù)服務(wù)，為光子產(chǎn)業(yè)各類

2023-03-30 19:09:10

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SMSC發(fā)表JB2.2平臺 具備多項增強(qiáng)音訊串流特性

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