：60V - 最大工作電流：6A - 開通時內阻：27mΩ（在VGS=10V,VGS=20V時） - 門極閾值電壓：1.5V &n
2024-03-19 15:44:12
**VBsemi FDS9945S-NL-VB MOSFET芯片**- **絲印:** VBA3638- **品牌:** VBsemi- **參數:** - 2個N溝道MOSFET管，額定
2024-03-19 15:34:16
型號: D3N04H-VB絲印: VBA3638品牌: VBsemi參數:- 2個N-Channel溝道- 額定電壓: 60V- 額定電流: 6A- RDS(ON): 27mΩ @ VGS=10V
2024-03-16 16:37:54
=20V時）- 閾值電壓：1.5V封裝：SOP8應用簡介：AM9945N-T1-PF-VB是一款具有2個N溝道的場效應晶體管，工作電壓為60V，最大電流為6A。以下
2024-03-12 17:38:52
器件型號: AM4942N-T1-PF-VB絲印: VBA3638品牌: VBsemi參數:- 類型: 2個N-Channel溝道- 最大工作電壓: 60V- 最大電流: 6A- 開通電阻: 27m
2024-03-12 16:32:00
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 。 一、OC6700B的特點1、寬輸入電壓范圍：2.6V~60Vu 2、內置 60V 功率 MOSu 3、最大工作頻率：1MHzu&n
2024-02-22 17:30:38
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
**STP9N60M2-VB**- **絲印：** VBM165R12- **品牌：** VBsemi- **參數：** - 封裝：TO220 - 溝道類型：N
2024-02-20 11:01:43
**詳細參數說明：**- 型號：IPD15N06S2L-64-VB- 絲印：VBE1638- 品牌：VBsemi- 封裝：TO252- 類型：N-Channel溝道- 額定電壓：60V- 額定電流
2024-02-20 10:34:34
;- 類型：N—Channel溝道 - 額定電壓：60V - 額定電流：60A - RDS(ON)：9mΩ @ VGS=10V, 20
2024-02-19 17:58:28
**TPC8206-VB****絲印：** VBA3638 **品牌：** VBsemi **參數：** SOP8；2個N—Channel溝道, 60V；6A；RDS
2024-02-19 17:14:38
**1N60-TO251-VB****絲印：** VBFB165R02 **品牌：** VBsemi **參數：** TO251；N—Channel溝道, 650V；2
2024-02-19 15:47:39
VBsemi IRFR2905ZTRPBF-VB N—Channel MOSFET 參數：- 封裝：TO252- 溝道類型：N—Channel- 最大電壓：60V- 最大電流：60A- RDS
2024-02-19 10:46:42
VBsemi FQD60N03L-VB MOSFET 參數：- 封裝：TO252- 溝道類型：N—Channel- 最大電壓：30V- 最大電流：60A- RDS(ON)：10mΩ @ VGS
2024-02-03 14:10:10
VBsemi STD3NK60Z-1-VB MOSFET 參數：- 封裝：TO251- 溝道類型：N—Channel- 最大電壓：650V- 最大電流：2A- RDS(ON)：4300m
2024-02-03 13:48:58
主要是：電子設備和消費類電子產品等模塊供電，包括：BMS POE GPS儀器儀表 車充等等，它們有低功耗，大電流，大功率等特點，往往需要24V 36V 48V 60V 72V 100V 120V
2024-01-20 15:30:35
隨著科技的不斷進步，電動車控制器芯片作為電動車的核心部件，其性能和品質對于電動車的性能和安全性至關重要。SL3038 耐壓150V恒壓芯片是一款高效、可靠的降壓IC，適用于60V、72V、90V等
2024-01-18 16:54:36
支持寬電壓輸入的開關降壓型DC-DC，芯片內置100V/5A功率MOS，最高輸入電壓90V。SL3036具有低待機功耗、高效率、低紋波、優異的母線電壓調整率和負載調整率等特性。支持大電流輸出，輸出電流
2024-01-16 17:23:43
1、請問為什么同一個信號輸進去ADE7753的 V1N、V1P 和V2N、V2P。MODE = 0x4088，VRMS寄存器的數據會有2%的跳動，而IRMS寄存器里面的跳動只有0.5% 以下的跳動
2023-12-26 08:07:05
型號: 2SK1590-VB絲印: VB162K品牌: VBsemi參數: N溝道, 60V, 0.3A, RDS(ON) 2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.5V, 20Vgs
2023-12-21 16:06:28
型號：2N7002-VB絲印：VB162K品牌：VBsemi參數說明：- N溝道- 額定電壓：60V- 最大電流：0.3A- 靜態導通電阻(RDS(ON))：2800mΩ@10V, 3000m
2023-12-21 11:18:54
型號：FDG6303N-VB絲印：VBK3215N品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：2個N溝道- 額定電壓：20V- 額定電流：2A- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：150mΩ @ 4.5V
2023-12-21 10:44:17
型號：2N7002CK-VB絲印：VB162K品牌：VBsemi參數說明：- 類型：N溝道- 額定電壓：60V- 最大電流：0.3A- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：2800mΩ @ 10V
2023-12-20 16:05:17
型號：FQD20N06LE-VB絲印：VBE1638品牌：VBsemi參數：N溝道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V
2023-12-20 15:54:40
型號：CEM4228-VB絲印：VBA3638品牌：VBsemi參數：- 2個N溝道 MOSFET- 額定電壓：60V- 最大持續電流：6A- 靜態導通電阻 (RDS(ON))：27mΩ @ 10V
2023-12-20 15:18:25
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：2V- 封裝類型：TO252應用簡介：SPD09N05-VB是一款N溝道功率MOSFET，適用于多
2023-12-20 11:18:21
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：2.4V- 封裝：TO251**詳細參數說明：**FQU30N06L-VB是一款N溝道MOSFET，最大耐壓為60V，最大電流為25
2023-12-20 10:55:14
型號：SUD40N06-25L-VB絲印：VBE1638品牌：VBsemi參數：N溝道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V
2023-12-20 10:35:17
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：2V (Vth)- 封裝：TO252應用簡介:FQD2N60C-VB是一款高壓N溝道MOSFET器件，適用于多種高電壓應用
2023-12-19 15:34:59
型號: NDS9945-NL-VB絲印: VBA3638品牌: VBsemi參數:- 2個N溝道- 額定電壓：60V- 最大電流：6A- 開通電阻：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V
2023-12-19 11:48:35
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：1.8V (Vth)- 封裝：TO252應用簡介:FQD30N06-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET，適用于廣泛的高電壓和高電流
2023-12-19 11:37:24
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：1.8V (Vth)- 封裝：TO252應用簡介:4N06L30-VB是一款N溝道功率MOSFET，適用于各種高功率和高電壓應用。這款器
2023-12-19 11:22:53
根據提供的型號和參數，以下是對該 MOSFET 型號 IPD90N04S4-05-VB 的詳細參數和應用簡介：**型號：** IPD90N04S4-05-VB**絲印：** VBE1405**品牌
2023-12-18 17:18:54
型號：STN4828-VB絲印：VBA3638品牌：VBsemi參數說明：- 2個N溝道- 額定電壓：60V- 最大電流：6A- RDS(ON)：27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V
2023-12-18 11:54:00
）：** 60V，表示MOSFET的耐壓上限，可用于需要較高電壓的電路。- **持續電流（ID）：** 45A，表示MOSFET可以承受的最大電流。- **導通電阻（RDS(O
2023-12-18 09:05:59
型號：2N7002WT1G-VB絲印：VBK162K品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：60V- 最大電流：0.35A- 導通電阻（RDS(ON)）：1800m
2023-12-15 11:14:04
型號：MGSF2N02ELT1G-VB絲印：VB1240品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：20V- 最大電流：6A- 導通電阻（RDS(ON)）：24m
2023-12-14 16:48:20
型號：2N7002LT1G-VB絲印：VB162K品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：60V- 最大連續電流：0.3A- 靜態開啟電阻（RDS(ON)）：2800m
2023-12-14 16:06:16
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth)：2~4V- 封裝：TO220F應用簡介：2SK3148-VB是一款N溝道MOSFET，具有較高的額定電壓
2023-12-14 13:35:18
、12mΩ @ 4.5Vgs- 閾值電壓（Vth）：1.9V- 封裝類型：TO263應用簡介：STB60N06-14-VB是一款高性能的N溝道MOSFET（金屬氧
2023-12-14 09:42:47
Ω @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs- 閾值電壓（Vth）：1.6V- 封裝類型：SOT23應用簡介：2N7002ET1G-VB是一款小功率N溝道MOSFET（金屬
2023-12-13 17:31:52
詳細參數說明：- 型號：FDC6301N-VB- 絲印：VB3222- 品牌：VBsemi- 參數：2個N溝道, 20V, 4.8A, RDS(ON), 22mΩ @ 4.5V, 28m
2023-12-13 15:26:20
Ω@4.5V, 20Vgs(±V)；1.5Vth(V)；SOP8NCE6005AS-VB是一款VBsemi品牌的N溝道功率MOSFET。它具有2個N溝道，工作電壓為60V，
2023-12-13 15:01:50
UT3N06G-AE3-R (VB1695)參數說明：N溝道，60V，4A，導通電阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1~3V，封裝：SOT23。應用簡介
2023-12-13 11:27:23
IRFR1205TRPBF (VBE1638)參數說明:極性：N溝道；額定電壓：60V；最大電流：45A；導通電阻：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V；門源電壓范圍：20Vgs (±V
2023-12-08 15:21:47
BSS138-NL 參數：N溝道, 60V, 0.3A, RDS(ON) 2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V, 20Vgs(±V), 1.6Vth(V), SOT23 應用簡介
2023-12-06 14:02:30
2V7002KT1G 參數：N溝道, 60V, 0.3A, RDS(ON) 2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V, 20Vgs(±V), 1.6Vth(V), SOT23應用簡介
2023-11-30 16:46:14
RSR020N06TL是一款N溝道MOSFET產品，采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為60V，額定電流為4A，10V時的RDS(ON)參數為85mΩ，4.5V時為96mΩ，電壓限制
2023-11-30 14:19:32
達 90%固定 500kHz 頻率熱關斷逐周期過流保護寬輸入電壓范圍：5.5~60V采用SOT23-6 封裝
應用:電表分布式電源系統電池充電器線性穩壓器的預調節?
原理圖
2023-11-21 15:30:37
N溝道MOSFET截止，電感電流下降，電感中的能量轉移到電池中。當電感電流下降到外部電流檢測電阻設置的下限時，外置N溝道MOSFET再次導通，如此循環。當BAT管腳電壓第一次達到內部設置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
型號 30N06L-VB 絲印 VBE1638 品牌 VBsemi 參數 N溝道、60V、45A、RDS(ON)、24m
2023-11-20 17:21:08
該型號 FDS8949-NL-VB，絲印為 VBA3638，是VBsemi品牌生產的一款電子元器件。其參數為2個N溝道、60V、6A，RDS(ON)為27mΩ@10V、32mΩ@4.5V，20Vgs
2023-11-16 11:56:40
型號 IPD26N06S2L-35-VB絲印 VBE1638品牌 VBsemi參數說明 極性 N溝道
2023-11-13 11:48:57
型號 STB60N06-14-VB絲印 VBL1615品牌 VBsemi參數 溝道類型 N溝道 最大耐壓
2023-11-13 10:26:09
型號 2N7002ET1G-VB絲印 VB162K品牌 VBsemi參數 溝道類型 N溝道 最大耐壓
2023-11-11 11:43:37
型號 FDC6301N-VB 絲印 VB3222 品牌 VBsemi 參數 2個N溝道, 20V, 4.8A, RDS
2023-11-10 11:03:13
該型號為VBsemi品牌的N溝道晶體管IPD30N06S2L-13-VB，絲印為VBE1638。其詳細參數說明和應用簡介如下 電壓 60V 電流
2023-11-09 15:55:51
型號 30N06L-VB 絲印 VBE1638 品牌 VBsemi 參數 N溝道、60V、45A、RDS(ON)、24m
2023-11-08 17:17:38
ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N溝道功率MOSFET。絲印為VBE1307，具有以下詳細參數 額定電壓（Vds） 30V
2023-11-08 15:51:23
詳細參數說明 型號: 2SK3105-T1B-A-VB 絲印: VB1330 品牌: VBsemi 參數: N溝道,30V,6.5A,RDS
2023-11-08 11:12:50
型號描述中文"型號 FQU15N06L-VB 絲印 VBFB1630 品牌 VBsemi 參數 N溝道,60V
2023-11-07 11:15:33
型號 UD6004 絲印 VBE1638 品牌 VBsemi 參數 溝道類型 N溝道 額定電壓 60V 額定電流 45A 導通電阻 24m
2023-11-06 10:09:50
型號 2SK1273絲印 VBI1695品牌 VBsemi參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 60V 額定電流 5A RDS(ON) 76mΩ @ 10V，88mΩ @ 4.5V 門源電壓
2023-11-06 09:50:38
AM4902NT1PF詳細參數說明 極性 2個N溝道 額定電壓 60V 額定電流 6A 導通電阻 27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-11-03 10:11:50
型號 ME35N06G絲印 VBE1638品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 45A 導通電阻 24mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
2023-11-02 16:05:38
型號 2SK2415ZE1AZ絲印 VBE1695品牌 VBsemi參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 60V 額定電流 18A RDS(ON) 73mΩ @ 10V，85m
2023-11-02 09:48:45
電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓 1.6V 封裝類型 TO252應用簡介 B09N03A（絲印 VBE1307）是VBsemi公司生產的一款N溝道功率MOSFET。
2023-11-01 15:27:17
型號 AO4882絲印 VBA3410品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 2個N溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 12A 導通電阻 15mΩ @10V, 20m
2023-10-31 15:35:39
型號 2SK4033絲印 VBE1695品牌 VBsemi參數 N溝道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO252該產品具有
2023-10-30 15:04:52
AO4828詳細參數說明 極性 2個N溝道 額定電壓 60V 額定電流 6A 導通電阻 27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-10-30 10:36:46
型號 SQ9945BEYT1GE3絲印 VBA3638品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 2個N溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 6A 導通電阻 27mΩ @10V
2023-10-28 15:05:44
FDC5661N詳細參數說明 - 極性 N溝道- 額定電壓 60V- 額定電流 7A- 導通電阻 30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V- 門源電壓 20Vgs (±V
2023-10-27 17:10:05
輸出、輸出功率1~~~3W的隔離電源。
VPS8504N內部集成振蕩器，提供一對高精度互補信號以驅動兩個N溝道MOSFET。芯片內部按照對稱結構設計，能有效確保兩個功率MOSFET的高度對稱性，避免
2023-10-12 09:38:22
。ZXMS6008N8 非常適合在標準 MOSFET 不夠堅固的惡劣環境中作為由 3.3V 或 5V 微控制器驅動的通用開關。 產品規格 品
2023-09-25 11:11:04
ZXMS6001N3 產品簡介DIODES 的 ZXMS6001N3 適用于VIN=5V應用的低輸入電流自保護低側MOSFET。單片過溫、過電流、過電壓（有源箝位）和ESD保護邏輯級功能
2023-09-24 13:33:30
2N7002DWS 產品簡介DIODES 的 2N7002DWS 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想
2023-09-23 14:54:19
DMT6010LPS 產品簡介DIODES 的 DMT6010LPS 這款新一代 n 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時保持卓越的開關性能。該器件非常適合
2023-09-18 15:18:40
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
下載器3.3V的N76E003是5V供電下載不成功N76E003換3.3就可以了，用到的信號需要做電平轉換才可以嗎？
2023-09-01 09:59:27
Neoverse?N2內核是一款高性能、低功耗的產品，采用ARM?v9.0-A架構。
此實施支持所有以前的ARMv8-A架構實施，包括ARM?v8.5-A。
Neoversedsu n2核心在
2023-08-29 08:12:31
STF140N6F7內容簡介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET電子元器件，為廣泛的電壓范圍（30V至350V）應用提供了卓越的解決方案。采用TO-220FP封裝，以其N溝道結構
2023-08-21 16:34:33
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
新宇宙? N2是一款高性能、低功耗的產品，采用Arm?v9.0-a架構。此實現支持Arm?v8.6?A之前的所有Armv8-A體系結構實現。
2023-08-11 06:47:56
本文件描述了NeoverseTM N2汽車參考堆棧的底層硬件架構。
本文件適用于計劃評估和使用NeoverseTM N2汽車參考堆棧的軟件、硬件和系統工程師。重點是了解NeoverseTM N2汽車
2023-08-10 06:25:36
2. 本文介紹在NEVER N2中實施的不同性能監測單位(PMU)活動的行為。 NEVER N2有6個可編程32位計數器(對應0-5),每個計數器可編程以計數本文件所描述的PMU事件之一
2023-08-09 06:07:35
快（低開關損耗），極低的正向壓降（低電壓損耗），而且反向耐壓低，通常小于60V，適用于低壓（不高于12V）開關電源。
1N5819二極管的另一個用途是利用其反向特性來穩定電壓。因此，當耐壓低且電流
2023-07-31 16:07:44
想做一個120V 10A 1200W的電子負載，原本想用5個IRFP4568 5個管子分開控制也就是每個2A，但是后來發現電壓超過60V后
就會經常燒管子。但是管子承載的功率60V*2A=120W遠遠沒有達到規格書上所說的PD 517W，這是為什么，不應該是驅動導致的吧？求大神們解惑！
2023-07-31 11:32:44
NP90N06VLK60 V - 90 A - N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-07 18:40:17
0 NP90N06VDK60 V - 90 A - N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-07 18:40:020 –60V、–10、P 溝道熱 FET 電源開關
2023-07-05 18:56:510 嗨，
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設備。整個電路工作正常，但我的 ESP 變得非常熱（超過 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是，我認為熱量
2023-04-28 06:59:43
我想用A2T27S020N實現1420M-1530M的功率放大，需要線性達到6W功率。目前這款功放還沒有大功率型號。沒有模型嗎？
2023-04-26 06:18:02
概述 SL3036 是一款支持寬電壓輸入的開關降壓型DC-DC，芯片內置100V/5A功率MOS，最高輸入電壓90V。SL3036具有低待機功耗、高效率、低紋波、優異的母線電壓調整率和負載調整率等
2023-04-15 09:41:48
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