SiC晶圓廠,也意味著8英寸襯底正式拉開量產(chǎn)大幕。 ? 那么8英寸襯底有哪些優(yōu)點(diǎn)以及技術(shù)難點(diǎn),目前國內(nèi)廠商的進(jìn)度又如何?近期包括天科合達(dá)、爍科晶體等廠商以及產(chǎn)業(yè)人士都分享了一些最新觀點(diǎn)。 ? 8 英寸碳化硅襯底的必要性 ? 正如硅基芯片所用到的
2023-06-22 00:16:002273 近日,成都辰顯光電有限公司成功點(diǎn)亮了國內(nèi)首款27英寸TFT基P0.7 Micro-LED拼接箱體。
2024-03-18 15:46:41214 在現(xiàn)代工業(yè)控制領(lǐng)域中,傳感器作為感知的核心元件,其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。而單晶硅和擴(kuò)散硅壓力變送器作為壓力測量領(lǐng)域的兩大主流。更是受到越來越多企業(yè)、工程師的青睞。那么今天浙江
2024-03-15 11:53:3958 關(guān)于蘋果現(xiàn)售機(jī)型方面,其目前在市場上銷售的最大尺寸筆記本電腦是16英寸款式的MacBook Pro。盡管此前曾有17英寸MacBook Pro“問世”,但早自2012年已經(jīng)停止生產(chǎn)。
2024-03-07 15:13:23103 和 UART_1
有限的解決方法:如果不使用完整
的 FIFO 緩沖區(qū)(只有 48 個(gè)字),問題就會(huì)消失:
* UART_0 TXFIFO = 8 個(gè)字
* UART_0 RXFIFO
2024-03-06 06:59:31
平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線傳來喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶,全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢。
2024-02-21 09:32:31336 單晶光伏板和多晶光伏板的區(qū)別? 單晶光伏板和多晶光伏板是目前最常用的兩種太陽能光伏電池板。它們在材料、生產(chǎn)工藝、性能和成本等方面存在一些明顯的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹單晶光伏板和多晶光伏板的區(qū)別。 首先
2024-02-03 09:19:22652 光伏板單晶和多晶哪個(gè)發(fā)電多? 太陽能光伏板是利用太陽光的能量轉(zhuǎn)換為電能的裝置。而光伏板的發(fā)電效率是一個(gè)衡量其性能的重要指標(biāo)。單晶和多晶是光伏電池的兩種常見制造工藝,它們在發(fā)電效率上有所不同。在這
2024-01-23 14:58:14349 碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色,已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向之一。SiC襯底分為導(dǎo)電型和半絕緣型兩種,各自適用于不同的外延層和應(yīng)用場景。
2024-01-17 09:38:29306 軟包裝復(fù)合膠粘劑龍頭——高盟新材(300200.SZ)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的投資取得新進(jìn)展、新成效。
2024-01-03 10:00:53353 2023年12月,日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼(VB)法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶。通過增加單晶襯底的直徑和質(zhì)量,可以降低β-Ga2O3功率器件的成本。
2023-12-29 09:51:35338 和48dB的小信號增益值。AM08011045SF-5H放大器模塊有6個(gè)螺母槽,適用于安裝在散熱片上。AM08011045SF-5H小巧輕便,重量較輕,寬度為6英寸(長)x4英寸(寬)x0.75英寸
2023-12-28 09:31:05
AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運(yùn)(PVT)是最適合AIN襯底制備的方法。
2023-12-28 09:20:22316 空間大 ? 國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距,另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來越大。這使得國內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中,無論是從市場需求,還是
2023-12-12 01:35:001175 MSD1820-Q1一大優(yōu)點(diǎn)在于它采用了可靠性一流的單晶技術(shù),是國內(nèi)首款采用此技術(shù)成功開發(fā)的RDS(ON)≤30mΩ的高邊智能開關(guān),成功填補(bǔ)了國內(nèi)采用高可靠性、單晶的高邊開關(guān)方面的空白。相比于傳統(tǒng)
2023-12-11 11:42:01409 第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開發(fā)企業(yè)作為中國電科集團(tuán)的“12大創(chuàng)新平臺(tái)之一,山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領(lǐng)域,已成為國內(nèi)實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底材料供應(yīng)鏈自主創(chuàng)新的供應(yīng)商之一。
2023-12-11 10:46:37463 單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽能光電設(shè)備,常用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個(gè)單晶硅太陽能電池片組成,每個(gè)電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上,并使用鋁框架進(jìn)行支撐和保護(hù)。
2023-11-29 09:46:061002 海納半導(dǎo)體(山西)有限公司半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地工程總投資5.46億元,占地約133.85畝,建筑面積約8.97萬平方米。利用海納的自主技術(shù),引進(jìn)120套單晶生產(chǎn)設(shè)備
2023-11-13 09:47:43427 用的是progisp寫熔絲,熔絲寫錯(cuò)會(huì)被鎖住嗎,我寫的時(shí)候好像沒遇到,選項(xiàng)里面也沒有看到,想確認(rèn)下,單片機(jī)是atmega8
2023-11-08 07:21:51
熔絲位的作用是什么?如何設(shè)置熔絲位?
給個(gè)清晰明白的理解。
2023-11-06 07:14:53
最近燒寫一個(gè)avr單片機(jī) ,F(xiàn)lash文件是唯一的 ,熔絲位應(yīng)該選擇內(nèi)部振蕩器,可是我選擇外部晶振一樣可以燒錄,并且上電可以讀出數(shù)據(jù),之前有說過熔絲位鎖死,不能寫錯(cuò),我又改寫了內(nèi)部振蕩器仍然可以寫入和讀出,難道這個(gè)熔絲位隨便寫,對電路沒有影響??
2023-11-06 07:10:45
Arduino用USBASP把328P的熔絲位弄亂了,芯片鎖死怎么辦
2023-11-06 06:42:00
誰用這個(gè)軟件設(shè)置過熔絲位,我的熔絲位沒有了,(USBASP)
正常是在中間有一個(gè)FFCD寫的,但是我的一打開就沒有了,那位大神用過指點(diǎn)
2023-11-03 06:17:45
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《硅單晶生長工藝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 10:33:180 最近在燒錄ATmega8的時(shí)候,之前的燒錄一直都選擇內(nèi)部振蕩器,最近試試看外部晶振也一樣工作,燒完內(nèi)部重新改寫成外部或者燒寫外部改寫成內(nèi)部,結(jié)果都一樣,那可是熔絲位選項(xiàng),我有點(diǎn)懵了,難道熔絲位選項(xiàng)是忽悠人的?
2023-11-02 07:28:13
2023-10-20 08:34:240 tft中有用到eeprom嗎?用到的是哪顆?
2023-10-17 07:16:58
據(jù)科創(chuàng)包頭透露,該計(jì)劃將在包頭、北京科創(chuàng)基地合作引進(jìn)計(jì)劃落地包頭市青山區(qū)裝備制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)總投資34.57億韓元。建設(shè)總事業(yè)建設(shè)周期將在3年正式啟動(dòng)時(shí),每年要投入能夠同時(shí)容納70萬6-8英寸單晶襯底生產(chǎn)線的碳化硅芯片和研磨加工和檢查等。
2023-10-16 14:14:52396 建設(shè),2017年投產(chǎn),成為國內(nèi)第一家擁有8英寸生產(chǎn)線的IDM產(chǎn)品公司,2020年實(shí)際月產(chǎn)能達(dá)到5~6萬片。2018年,公司12英寸特色工藝晶圓生產(chǎn)線及先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線在廈門開工建設(shè)。2020
2023-10-16 11:00:14
4.3寸TFTLCD怎么顯示圖片呢
2023-10-16 07:56:52
據(jù)介紹,單晶硫酸設(shè)備是濕式工程設(shè)備中難度最高的工程機(jī)械。至純科技s300 spm機(jī)器已交付許多國內(nèi)主流晶片工廠,并已應(yīng)用于國內(nèi)頭客戶的12英寸logic大量生產(chǎn)線。
2023-10-13 09:35:41396 , SPI , RMT , I2S , UART ,USB , JTAG
1 * ST7789 屏幕,1.9英寸,170*320分辨率,8bit 8080并口
1 * 旋轉(zhuǎn)編碼器
1 * 蜂鳴器
1 * 全彩
2023-09-07 10:11:27
一排排3米多高的碳化硅單晶生長設(shè)備整齊排列,設(shè)備內(nèi)部超過2000℃的高溫環(huán)境中,日夜不停地進(jìn)行著驚人的化學(xué)反應(yīng)——一個(gè)個(gè)碳化硅晶錠快速“生長”。
2023-09-07 09:25:10410 您好:
想要請教一下 Mini55跟 NM1200 兩顆MCU
看使用手冊,兩顆實(shí)在非常像,所以有點(diǎn)好奇
1. 能否使用一樣的程式撰寫這兩顆MCU
2. 兩顆MCU是否Pin to Pin
另外還想要請教一下兩顆MCU之間的差異
感謝!
2023-09-06 06:13:38
近日,日本化工企業(yè)旭化成(Asahi Kasei)旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布,公司生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁(AlN)襯底,展示了公司生長氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴(kuò)展性,以滿足各類應(yīng)用的生產(chǎn)需求。
2023-08-29 14:37:29846 硅太陽能電池一般可分為單晶、多晶和非晶硅太陽能電池,其中單晶硅電池是當(dāng)前開發(fā)最快的一種太陽能電池,它的構(gòu)造和生產(chǎn)工藝已經(jīng)定型,且廣泛用于空間和地面。「美能光伏」生產(chǎn)的美能四探針電阻測試儀,可以對最大
2023-08-22 08:36:291280 氮化鋁基板具有低缺陷密度、高紫外線透明度和低雜質(zhì)濃度、超寬帶差距及高熱傳導(dǎo)效率,對uvc led及電力配件等產(chǎn)業(yè)非常有魅力。根據(jù)目前uvc紫外線led的需求,4英寸基板的使用率超過80%。
2023-08-16 11:08:29603 碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:341001 碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03286 近日,成都辰顯光電有限公司(以下簡稱辰顯光電)在成都高新區(qū)成功點(diǎn)亮了國內(nèi)首款P0.5 TFT基無邊框29英寸Micro-LED拼接屏。該拼接屏采用了25微米LED芯片,由4個(gè)14.5英寸
2023-08-02 11:05:59741 CMP設(shè)備供應(yīng)商北京晶亦精微科技有限公司沖刺IPO,系國內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)8英寸CMP設(shè)備境外批量銷售的設(shè)備供應(yīng)商。 近日北京晶亦精微科技股份有限公司(后簡稱為晶亦精微)IPO已被上交所受理,擬在科創(chuàng)板上市
2023-07-14 11:01:15459 所CMP事業(yè)部早在2017年便研制出國內(nèi)首臺(tái)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的8英寸CMP設(shè)備,在CMP設(shè)備領(lǐng)域技術(shù)積累深厚,是國內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)8英寸CMP設(shè)備境外批量銷售的設(shè)備供應(yīng)商。目前,晶亦精微主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP設(shè)備,在報(bào)告期內(nèi)其
2023-07-11 17:25:01626 隨著新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場的快速發(fā)展,國內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進(jìn)入商業(yè)化階段。國際功率半導(dǎo)體巨頭對該產(chǎn)業(yè)表達(dá)了濃厚的興趣,并與國內(nèi)企業(yè)合作,積極追趕更先進(jìn)的8英寸工藝節(jié)點(diǎn)。
2023-07-10 15:21:241055 8英寸SiC晶體生長的難點(diǎn)在于:首先要研制出8英寸籽晶;其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問題。
2023-07-05 14:59:33237 請問一下8寸 原子層沉積設(shè)備ALD,單晶片。國內(nèi)設(shè)備大約在什么價(jià)位???
2023-06-16 11:12:27
什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面,主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423976 單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型,其主要區(qū)別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個(gè)晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是,制造過程成本較高,價(jià)格較貴。
2023-06-08 16:04:414914 我是 ESP8266 的新手。我想通過使用 Openweathermap 和 0.96 英寸 oled 來嘗試一個(gè)小氣象站。當(dāng)我嘗試編譯代碼時(shí),出現(xiàn)此錯(cuò)誤。怎么了?
調(diào)用使用屬性錯(cuò)誤聲明的“HTTPClient::begin”:過時(shí)的 API,使用 ::begin(WiFiClient, url)
2023-06-02 10:16:07
N型硅片存同心圓痛點(diǎn),低氧型單晶爐助力降本增效 新款單晶爐為何在2023年推出? 隨著N型電池片,尤其是TOPCon快速放量,N型硅片需求大幅提升。TOPCon 2022年 實(shí)際擴(kuò)產(chǎn)約110GW
2023-05-30 09:53:53612 硅片是一種薄而平整的硅材料,通常以6英寸、8英寸、12英寸等規(guī)格制造而成。
2023-05-18 10:33:472134 碳化硅單晶襯底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下簡稱SiC襯底)也是晶體材料的一種,屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優(yōu)勢,是制備大功率電力電子器件以及微波射頻器件的基礎(chǔ)性材料。
2023-05-18 09:54:341934 單晶爐,全自動(dòng)直拉單晶生長爐,是一種在惰性氣體(氮?dú)?、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯(cuò)位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 09:48:515624 63 之間的時(shí)鐘。postDivider = 16 不會(huì)對時(shí)鐘進(jìn)行任何更改。以下等式有任何限制嗎?當(dāng)我使用 loopDivider = 27 和 postDivider = 8 時(shí),屏幕會(huì)變成白色
2023-04-25 07:08:27
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號:JFKJ-21-206 作者:炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 我已將 i.MX8M NANO EVK 連接到 10.5 英寸 AMOLED 顯示器,顯示器無法運(yùn)行連接到顯示器/桌面時(shí)成功運(yùn)行的應(yīng)用程序,并且出現(xiàn)“無法啟動(dòng)終止 psplash-quit.service”錯(cuò)誤在 ssh 終端中觀察到,附上圖像 FYR。請指導(dǎo)我了解此錯(cuò)誤是什么以及解決錯(cuò)誤的步驟。
2023-04-20 08:48:57
我們正在使用 imx6 雙核,我們計(jì)劃從 imx6 雙核遷移到 imx8qm 我們正在使用雙幀緩沖區(qū)進(jìn)行應(yīng)用程序開發(fā)。 幀緩沖區(qū) 0 - 我們以固定分辨率運(yùn)行本機(jī) OpenGL 應(yīng)用程序 (/dev
2023-04-17 08:50:58
“JH7110”)。從外觀來看,PineTab-V擁有堅(jiān)固的深黑色金屬機(jī)身,配備了10.1英寸寬視角IPS液晶面顯示屏,分辨率達(dá)1200×800。此外,該平板電腦還擁有兩個(gè)USB-C端口(1個(gè)USB 3.0
2023-04-14 13:56:10
我如何在 imx8mm 上融合 SJC_DISABLE 或啟用安全 JTAG我在哪里可以找到熔絲位、字和銀行
2023-04-04 07:40:35
FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作,這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝,如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182458 中國電科46所氧化鎵團(tuán)隊(duì)從大尺寸氧化鎵熱場設(shè)計(jì)出發(fā),成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結(jié)構(gòu),突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術(shù),可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制,將有力支撐我國氧化鎵材料實(shí)用化進(jìn)程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2023-03-23 09:35:54998
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