下一代高能量密度電池有望以鋰金屬作為負(fù)極，然而金屬鋰內(nèi)在問題，尤其是枝晶生長，一直是其實際應(yīng)用的障礙。
2024-03-18 09:10:22
193 晶棒，通常用于制造半導(dǎo)體材料如單晶硅，是光伏產(chǎn)業(yè)、集成電路等高科技領(lǐng)域的關(guān)鍵部件。制備晶棒是一個復(fù)雜且需要高精度的過程，主要步驟包括原料準(zhǔn)備、晶體生長、切割和拋光等。
2024-03-13 18:10:05925 從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法（Czochralski）。半導(dǎo)體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。
2024-03-12 11:15:44146 
2月28日，Advanced Energy又迎來了一個激動人心的時刻 ，其電商平臺正式于AE官網(wǎng)上線啦！
2024-03-11 11:42:45176 在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。
2024-03-04 10:45:4166 
HTCVD法能通過控制源輸入氣體比例可以到達較為精準(zhǔn)的 Si/C比，進而獲得高質(zhì)量、高純凈度的碳化硅晶體，但由于氣體作為原材料晶體生長的成本很高，該法主要用于生長半絕緣型晶體。
2024-02-29 10:30:43172 
連接技術(shù)是推動生成式AI從云端到邊緣側(cè)再到終端側(cè)規(guī)模化擴展的關(guān)鍵因素。作為5G技術(shù)的演進第二階段，5G Advanced不僅是向6G過渡的關(guān)鍵橋梁，也是實現(xiàn)“智能計算無處不在”時代的重要路徑。5G Advanced通過支持更多擴展特性，滿足了全場景下多元化的業(yè)務(wù)需求，為各個行業(yè)帶來了前所未有的機遇。
2024-02-29 09:52:39134 在外加電場作用下折射率發(fā)生變化，從而使通過晶體的一束激光分解為兩束偏振方向相互垂直的偏振光，并產(chǎn)生一根位差效應(yīng)的晶體。
2024-02-27 11:09:03192 
隨著全球移動市場逐步邁向5G Advanced，無線網(wǎng)絡(luò)對于提升用戶體驗的關(guān)鍵性日益凸顯。
2024-02-22 17:23:37660 LED倒裝芯片的制備始于制備芯片的硅晶圓。晶圓通常是通過晶體生長技術(shù)，在高溫高壓的條件下生長出具有所需電特性的半導(dǎo)體材料，如氮化鎵（GaN）。
2024-02-06 16:36:432621 RISC-V 的芯片都出來很久了，現(xiàn)在RISC-V 都有哪家公司再推啊？以后是不是一種趨勢呀？
沁恒的產(chǎn)品如何？
2024-02-05 22:30:29
電耦合的石英晶體材料，如AT-或SC-cut石英晶體，可以顯著提高振蕩器的相位噪聲性能。 2. 優(yōu)化晶體產(chǎn)線制造工藝：晶體的制造工藝對噪聲性能有重要影響。通過優(yōu)化晶體的生長，切割和擇優(yōu)等工藝流程，可以降低內(nèi)部應(yīng)力和非均勻性，進而提高
2024-01-26 14:20:49147 2023年9月國星光電重磅推出全新GT1010系列產(chǎn)品（中文名為“星馳”），一經(jīng)問世便迅速獲得了行業(yè)客戶的高度認(rèn)可和好評，點燃市場“熱焰”。
2024-01-15 09:06:16240 
GT301機箱搭載了ARGB（可調(diào)節(jié)RGB）照明系統(tǒng)，為了提供更加靈活的燈光效果，配備了ARGB控制器。本文將詳細(xì)介紹GT301機箱ARGB控制器的接口及操作方法，以幫助用戶充分發(fā)揮機箱的燈光效果
2024-01-09 11:16:03395 一旦晶體在切割塊上被定向了，我們就可以沿著切割塊的這一根軸線打磨出一個平面或缺口(具體可以見下圖所示)。
2024-01-08 09:47:22131 
在晶體生長的過程中，由于某些條件的引入將會導(dǎo)致結(jié)構(gòu)缺陷的生成。
2024-01-05 09:12:33123 
阿聯(lián)酋綜合電信公司（EITC）旗下的du宣布，已聯(lián)合諾基亞在5G SA無線網(wǎng)現(xiàn)網(wǎng)成功完成阿聯(lián)酋首個5G-Advanced RedCap試驗。
2024-01-04 11:05:27147 浮區(qū)晶體生長是本文所解釋的幾個過程之一，這項關(guān)鍵性的技術(shù)是在歷史早期發(fā)展起來的技術(shù)，至今仍用于特殊用途的需求。
2023-12-28 09:12:07153 
我們看到的半導(dǎo)體晶圓是從一塊完整的半導(dǎo)體大晶體切成出來形成的。
2023-12-25 09:28:21213 
, 48mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：-1.5V- 封裝類型：SOP8應(yīng)用簡介：GT4953-VB是一款雙P溝道場效應(yīng)晶體管（FET）
2023-12-22 10:45:08
晶體材料可能有兩層原子結(jié)構(gòu)。首先是原子以特定的形狀排列在單個晶胞的特定的點上。
2023-12-22 10:21:17225 
）已達到12英寸的尺寸。同時，其熔體的制備方法更容易制備出厚度更大的晶錠，最高可達1米以上，大大降低了單位面積的襯底成本。因此，目前的制備方法和晶體尺寸的限制導(dǎo)致SiC襯底的市場價格很高，嚴(yán)重限制了下游行業(yè)[5]的進一步應(yīng)用。
2023-12-20 13:46:36827 
S7-PLCSIM Advanced是西門子公司推出的一款PLC仿真軟件，其中“PLCSIM”是“PLC simulation”的縮寫，即“PLC仿真”。
2023-12-18 09:33:301809 
在接下來的一個章節(jié)里面，我們將主要介紹用砂子制備半導(dǎo)體級硅的方法，以及后續(xù)如何將其轉(zhuǎn)化為晶體和晶圓片(材料制備階段)，以及如何來生產(chǎn)拋光晶圓的過程(晶體生長和晶圓制備)。
2023-12-18 09:30:21217 
單相電機啟動時如果電容壞了，用手推一下電機，電機會不會轉(zhuǎn)起來？
2023-12-18 07:33:49
隨著農(nóng)業(yè)生產(chǎn)技術(shù)的不斷發(fā)展，監(jiān)測戶外和大棚的作物生長環(huán)境確實變得至關(guān)重要。通過監(jiān)測作物生長環(huán)境，我們可以及時了解土壤養(yǎng)分、溫濕度、光照等關(guān)鍵參數(shù)的變化，從而優(yōu)化農(nóng)作物的生長條件，提高產(chǎn)量和質(zhì)量。同時
2023-12-15 13:09:13131 Crystals Group Ltd.執(zhí)行總裁Yuri MAKAROV做了“利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體”的主題報告。
2023-12-09 14:47:15567 
今日，真我realme舉辦新品發(fā)布會，正式推出全新旗艦——真我GT5 Pro。真我GT5 Pro搭載第三代驍龍8移動平臺以及超芯長焦影像系統(tǒng)，實現(xiàn)性能和影像的雙重越級，同時在屏幕、閃充續(xù)航、外觀設(shè)計等方面也帶來全面躍升的旗艦體驗。
2023-12-07 20:25:01707 晶體和非晶體的區(qū)別? 晶體和非晶體是固體材料的兩種基本結(jié)構(gòu)形態(tài)。晶體由具有規(guī)則排列的原子、離子或分子組成，而非晶體則是由無規(guī)則排列的原子、離子或分子組成。晶體和非晶體之間存在著許多顯著的差異，包括
2023-12-07 17:03:391701 算力到影像算法等多方面展開深度聯(lián)調(diào)。合作的成果將首先體現(xiàn)在真我GT5 Pro旗艦新品上，該產(chǎn)品將首發(fā)超芯長焦影像系統(tǒng)，為用戶帶來全新的長焦影像體驗，引領(lǐng)長焦影像新拐點。 首個第三代驍龍8+IMX890長焦組合 挑戰(zhàn)潛望長焦畫質(zhì)巔峰 作為真我realme傾心打造的全新旗艦
2023-11-26 14:29:44713 來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
"在材料科學(xué)中討論有關(guān)晶體的生長、變形、相變及性能等問題時，常需涉及晶體中原子的位置、原子列的方向（稱為晶向）和原子構(gòu)成的平面（稱為晶面）。為了便于確定和區(qū)別晶體中不同方位的晶向和晶面，國際上通常用米勒指數(shù)（Miller indices）來統(tǒng)一標(biāo)定晶向指數(shù)和晶面指數(shù)。"
2023-11-13 14:34:014261 
使用攝像頭進行網(wǎng)絡(luò)推流
2023-11-09 00:10:30
2023-11-08 08:32:04
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《硅單晶生長工藝.pdf》資料免費下載
2023-11-02 10:33:180 詳解SAC305錫膏在腐蝕環(huán)境的錫須生長
2023-11-01 09:19:51420 
近年來，基于鈮酸鋰單晶薄膜的集成光電子器件可實現(xiàn)單通100G以上超高帶寬的高速光調(diào)制，已經(jīng)成為國際上的研究熱點和開發(fā)的重點領(lǐng)域。鈮酸鋰是整個光通信世界的守門人，鈮酸鋰對于光通信來說，相當(dāng)于硅在半導(dǎo)體行業(yè)中的地位一樣。
2023-10-22 15:06:03550 為制備適用于300 mm RF-SOI的低氧高阻襯底，團隊自主開發(fā)了耦合橫向磁場的三維晶體生長傳熱傳質(zhì)模型，并首次揭示了晶體感應(yīng)電流對硅熔體內(nèi)對流和傳熱傳質(zhì)的影響機制以及結(jié)晶界面附近氧雜質(zhì)的輸運機制，相關(guān)成果分別發(fā)表在晶體學(xué)領(lǐng)域的頂級期刊《Crystal growth & design》
2023-10-20 14:30:45358 
科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40722 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX14937: Two Channel, 5kV<sub>RMS</sub> I<sup>2</sup>
2023-10-17 19:11:42
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX77962: 23V<sub>IN</sub> 3.2A<sub>OUT</sub> USB-C
2023-10-17 18:34:21
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX77960B-MAX77961B: 25V<sub>IN</sub>, 3A<sub>OUT</sub>
2023-10-16 19:22:44
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ADXL367: Micropower, 3-Axis, ±2 <em>g</em>/±4 <em>g</em>
2023-10-12 18:38:36
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ATG2128: I <sup>2 </sup>2 </sup>C <sup/sup>CMOS 8 × 12
2023-10-10 18:59:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LT3960:CAN-物理收發(fā)器數(shù)據(jù)表I <sup>2 </sup>C相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LT3960:CAN-物理收發(fā)器數(shù)據(jù)表
2023-10-10 18:50:00
地址和串流密鑰，組合在一起，就是你的推流地址了。
回到開發(fā)板，輸入下面的命令
ffmpeg -f v4l2 -i /dev/video0 -c:v libx264 -preset ultrafast
2023-10-09 23:01:57
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTM8080: 40V <sub>sub>In </sub>、雙500米A或單1AUltralow噪音、超高PSRR 微模調(diào)調(diào)
2023-10-09 19:21:17
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ADXL362:微電、3軸、2 < em>g < em>g/em>/%4 <em>g </em>
2023-10-09 19:06:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTM4702: 16V <sub>sub>In </sub>,8A Ultralow Noise Silent Switcher
2023-10-09 19:03:29
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTM4710-1:低V <sub>sub>IN </sub>,四八A硅開關(guān) 微模調(diào)控數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有
2023-10-08 16:38:54
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ACD5208F/ADG5209F:過失防護,-0.4 pC sub> INJ </sub > , 8:1/Dual 4:1 多車相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)
2023-10-08 16:38:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)AD5593R: 8-通道、12Bit、可配置的ACDC/DAC(芯片參考),I <sup>2 </sup>2 </sup>
2023-10-08 16:24:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)AD2437: A<sup>2 </sup>B收發(fā)器數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有AD2437: A<sup>2 <
2023-10-07 17:50:45
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTM4658:低V<subsu>/sub>、高效率 10A相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LTM4658:低V<subsu>
2023-10-07 17:47:30
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STM32G4 Advanced Timer Break功能詳解.pdf》資料免費下載
2023-09-19 15:09:041 半導(dǎo)體工程裝備、北方華創(chuàng)的主要品種是刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心技術(shù)裝備，廣泛應(yīng)用邏輯部件，存儲半導(dǎo)體零部件、先進封裝、第三代半導(dǎo)體照明、微機電系統(tǒng)、新型顯示、新能源，襯底材料制造等工藝過程。
2023-09-18 09:47:19578 查看 rtsp 服務(wù)是否實時推流
2023-09-18 07:36:13
據(jù)了解，此次信越化學(xué)工業(yè)與OKI開發(fā)的新技術(shù)，可以在特有的基板上噴射鎵系氣體，使晶體生長。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合，可以從基板上只揭下晶體，晶體放在其他基板上作為功率半導(dǎo)體的晶圓使用。
2023-09-08 16:31:15562 8月，天科合達開工建設(shè)位于徐州的碳化硅二期擴大生產(chǎn)工程，總投資8.3億元。該項目投入生產(chǎn)后，每年有16萬個碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力。該公司已經(jīng)6英寸和8英寸碳化硅制造的需要，可以滿足開發(fā)了以第五代晶體生長爐，到2024年8英寸碳化硅基片的少量供給為目標(biāo)，到2025年第三季度將確保穩(wěn)定的納涼。
2023-08-24 09:53:21745 報告期內(nèi)，晶盛機電設(shè)備及服務(wù)營業(yè)收入610693.24萬元，同比增長71.23%。材料業(yè)務(wù)營業(yè)收入1888274.7萬元，同比增長244.17%。截至2023年6月30日，公司未完成晶體生長設(shè)備及智能化加工設(shè)備合同共277.51億元，其中半導(dǎo)體設(shè)備合同33.24億元。
2023-08-22 11:34:22576 原位拉曼系統(tǒng)實時監(jiān)測半導(dǎo)體薄膜生長全過程前言原位拉曼系統(tǒng)可以實時監(jiān)測半導(dǎo)體薄膜生長全過程，利用共聚焦拉曼光譜的“In-Situ”方式，在石英爐中原位觀察半導(dǎo)體薄膜生長過程，并且通過監(jiān)控不同的生長因素
2023-08-14 10:02:34465 
近日，傳音旗下Infinix品牌鎖定海外年輕游戲玩家，推出全新產(chǎn)品線GT系列，并在印度首發(fā)該系列旗艦產(chǎn)品GT10 Pro。作為GT系列的首款重磅產(chǎn)品，GT 10 Pro一經(jīng)亮相，即以獨特的賽博朋克
2023-08-10 16:16:44603 晶棒的制備過程通常涉及液相或氣相生長技術(shù)。通過控制溫度、壓力和其他參數(shù)，使材料從熔融態(tài)或氣相重新結(jié)晶，逐漸生長出大尺寸的晶體棒。生長過程中，晶體結(jié)構(gòu)逐漸延伸，最終形成完整的晶體棒。
2023-08-03 15:32:342281 晚于用于制造 BJT 的合金結(jié)和生長結(jié)工藝。貝爾實驗室于 1954 年開發(fā)出第一個原型擴散晶體管。最初的擴散晶體管是擴散基極晶體管。
這些晶體管仍然有合金發(fā)射極，有時還有合金集電極，就像早期的合金結(jié)晶體
2023-08-02 12:26:53
run_cmax > ./starrc_cmax.logs 2>&1中的 2>&1是啥意思?
2023-07-30 14:44:171008 IDTP9165 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 18:53:080 IDTP9167 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 18:52:000 IDTP9122 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 18:35:520 IDTP9120 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 18:35:370 8英寸SiC晶體生長的難點在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題。
2023-07-05 14:59:33237 
GreenPAK Advanced Development Platform 用戶指南
2023-06-30 20:59:300 ，學(xué)生和家長可實時了解植物生長過程中的環(huán)境參數(shù)，方便學(xué)生進行記錄，為種植過程中的數(shù)據(jù)提供了有力保障，同時考慮到植物生長過程中澆水的需求，設(shè)計了遠(yuǎn)程澆水的功能，方便對植物進行澆水，本項目中設(shè)計的澆水系統(tǒng)為
2023-06-28 14:54:41
\\gt9xx\\gt9xx.c"(驅(qū)動用的是系統(tǒng)自帶的驅(qū)動代碼) 2. 電容觸控芯片GT9XX觸摸調(diào)試 2.1 調(diào)試總覽，調(diào)試步驟分析 步驟 ① 先將gt9xx驅(qū)動添加進SDK編譯規(guī)則 步驟
2023-06-13 10:47:321844 
HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:32276 由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過幾十年的不斷研究，并不斷嘗試?yán)貌煌耐庋?b class="flag-6" style="color: red">生長方法在Si
2023-06-10 09:43:44681 目前需要使用1126 rtsp推流，有沒有什么方向能夠減少直播過程中的延時
2023-06-08 16:40:51
碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483426 
新方法在整個8英寸晶圓上生長出一個光滑、高度均勻的層，而不像以前的方法，在將二維材料轉(zhuǎn)移到芯片或晶圓之前，要在其他地方生長二維材料。這一過程經(jīng)常導(dǎo)致不完美，對設(shè)備和芯片性能產(chǎn)生負(fù)面影響。
2023-05-05 14:29:54696 LabVIEW自帶一個執(zhí)行系統(tǒng)命令VI（System Exec.vi），位于函數(shù)選板的“互連接口”>>“庫與可執(zhí)行程序”>>“執(zhí)行系統(tǒng)命令”
2023-04-25 11:47:495809 
日前，廣汽埃安全新高端純電豪華品牌系列車型Hyper GT在2023上海車展正式亮相。仿佛穿越未來世界而來，Hyper GT擁有的不僅是科幻旋翼的炫酷金屬外觀，更具有智能硬核內(nèi)在：新車基于廣汽AEP
2023-04-21 11:15:04440 晶體很難均勻生長，探測器的光敏面以及不同芯片之間D*通常會發(fā)生變化，晶體生長困難增加了探測器成本；2、探測器制冷增加了尺寸和運行功耗；3、MCT含有重金屬元素汞，不符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。 InAsSb探測器的出現(xiàn)就可以很好地解決以上問題。接下來我們通過展示與
2023-04-07 07:31:05639 
供應(yīng)15A600V絕緣柵雙極型晶體管SGT15T60SD1T(F)(S)，提供SGT15T60SD1T(F)(S)關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:15:382 窄帶隙 (≈1.2 eV) Pb-Sn 合金鈣鈦礦太陽能電池是一種有前途的全鈣鈦礦串聯(lián)器件底部組件電池，有望提供比單結(jié)太陽能電池的理論Shockley-Queisser 極限更高的效率。
2023-04-01 17:25:181083 介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細(xì)節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:4817 IDTP9165 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-03-30 19:22:570 IDTP9167 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-03-30 19:21:510 IDTP9122 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-03-30 19:04:430 IDTP9120 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-03-30 19:04:280 STM32F103ZET6小系統(tǒng)板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25
STM32F407ZGT6小系統(tǒng)板 DEVB_50X80MM 5V
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