近日，國內半導體功率器件領軍企業揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產品
2024-03-16 10:48:19
558 服務范圍橫向科研技術?持和服務、軌道交通、核電、裝備領域板卡失效分析、可靠性壽命試驗方案及可靠性提升方案開發與執行。檢測項目基于壽命特征分析的板卡壽命及剩余壽命研究：l 板卡X-ray
2024-03-15 17:27:02
服務內容橫向科研技術支持和服務、高鐵裝備、零部件失效分析、可靠性試驗方案及可靠性提升方案開發與執行、裝備及系統健康管理技術方案開發及軟硬件平臺搭建。服務范圍● 車體部件：側窗、底部大部件、連接件等
2024-03-15 16:46:27
本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 的開關電源設計，能夠高效地將輸入的220V交流電壓穩定地轉換為12V直流輸出電壓，提供500mA的大電流輸出。這種設計不僅保證了電源的穩定性和可靠性，同時也有效降低了能源損耗，節省了電能。
除了高效率
2024-03-12 14:25:14
蓉矽半導體近日宣布，其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 近日，瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布，其650V GaN器件（EcoGaN?）已被臺達電子（Delta Electronics, Inc.，以下簡稱
2024-03-12 10:42:46123 3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
電子發燒友網站提供《半導體可靠性手冊.pdf》資料免費下載
2024-03-04 09:35:44
0 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
。在便攜儲能中，IGBT不僅確保了電能的有效轉換，還有助于提高整體系統的效率和可靠性。隨著新能源的發展，IGBT的需求也在不斷增長，顯示出其在能源轉換和管理領域的重要性。
2024-02-04 00:09:003569 英飛凌科技股份公司近日發布了全新的650V軟特性發射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個引腳，不僅增加了安規距離，提高了可靠性，而且適用于多種應用場景。
2024-02-01 10:50:02364 封裝可靠性最重要的可靠性測試，也是進行器件壽命模型建立和壽命評估的根本。服務范圍車規級功率器件模塊及基于分立器件的等效特殊設計產品。檢測標準● DINENISO/
2024-01-29 22:46:02
、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮（Autoclave）試驗服務，設備能力完全覆蓋以SiC為第三代半導體器件的可靠性試驗能力。服務背景AEC-Q101對對各類半導體
2024-01-29 21:35:04
標準。安森美(onsemi)作為一家半導體供應商，為高要求的應用提供能在惡劣環境下運行的產品，且這些產品達到了高品質和高可靠性。之前我們分享了如何對IGBT進行可靠性測試，今天我們來介紹如何通過可靠性審核程序確保IGBT的產品可靠性。
2024-01-25 10:21:16997 
在當今的半導體市場，公司成功的兩個重要因素是產品質量和可靠性。而這兩者是相互關聯的，可靠性體現為在產品預期壽命內的長期質量表現。任何制造商要想維續經營，必須確保產品達到或超過基本的質量標準和可靠性
2024-01-17 09:56:32448 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證，該產品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:24770 
產品的質量取決于其是否可以充分滿足指定的標準及特性；而半導體產品的可靠性，是指在一定時間內無故障運行，從而提高客戶滿意度和復購率的能力。以此為前提，失效是指在產品使用過程中發生的故障，而缺陷是指在產品制造或檢
2024-01-13 10:24:17711 
來源：半導體芯科技SiSC 功率半導體是電子產業鏈中最核心的器件之一，能夠實現電能轉換和電路控制，在電路中主要起著功率轉換、功率放大、功率開關、線路保護、逆流及整流等作用。后道封裝是保證器件可靠性
2024-01-12 17:00:06673 
功率半導體是一類特殊的半導體器件，具有高電壓、大電流和高溫等特點，廣泛應用于電力電子、電力系統、新能源等領域。本文將對功率半導體的原理和功能進行詳細介紹。 功率半導體的工作原理 功率半導體的工作原理
2024-01-09 16:22:11380 
什么是電光轉換效率電光轉換效率是衡量半導體激光器和半導體光放大器SOA芯片性能的一個重要指標，簡單概括講就是指將電能轉換為光能的能量轉換效率。η=P光/P電=(Pout-Pin)/IF*VFPout
2023-12-27 18:18:16456 
IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點，是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優勢，在行業內也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
Pout：輸出光功率(注意：對半導體光放大器SOA來說，如果ASE噪聲光功率不大，就取總輸出光功率，如果ASE噪聲大，取激光輸出光功率) Pin：輸入光功率 IF：前向電流 VF：前向電壓 電光轉換效率通常用百分比來代表。例如，一個光器件的電光轉換效率為20%，代表該光芯片20%的電能
2023-12-21 13:24:04196 
半導體可靠性測試主要是為了評估半導體器件在實際使用過程中的可靠性和穩定性。這些測試項目包括多種測試方法和技術，以確保產品的性能、質量和可靠性滿足設計規格和用戶需求。下面是關于半導體可靠性測試的詳細
2023-12-20 17:09:04696 Pout：輸出光功率(注意：對半導體光放大器SOA來說，如果ASE噪聲光功率不大，就取總輸出光功率，如果ASE噪聲大，取激光輸出光功率) Pin：輸入光功率 IF：前向電流 VF：前向電壓 電光轉換效率通常用百分比來代表。例如，一個光器件的電光轉換效率為20%，代表該光芯片20%的電能
2023-12-20 16:47:32177 
電子發燒友網站提供《瑞納斯半導體可靠性報告.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:22:001 產品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩGaNHEMT的準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片。DK045G檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS）,當VDS達到其最低值時開啟功率
2023-12-16 12:01:21224 
功率半導體冷知識：IGBT短路結溫和次數
2023-12-15 09:54:25311 
新半導體技術將提升功率轉換效率
2023-12-15 09:18:51165 
功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
功率電子材料和器件研發基本與國際同步，GaN功率器件邁向更廣的應用領域，更全電壓等級，從當前100V/650V拓展到30V~1200V，可靠性升級實現從消費到工業、車規的跨越。
2023-12-05 11:38:30383 
新的寬帶隙半導體技術提高了功率轉換效率
2023-11-30 18:00:18212 
。
CW32A030C8T7通過AEC-Q100車規可靠性測試
作為武漢芯源半導體首款車規級MCU產品，CW32A030C8T7產品順利通過AEC-Q100（Grade2）車規級可靠性測試，符合車用電
2023-11-30 15:47:01
SiC FET神應用，在各種領域提高功率轉換效率
2023-11-30 09:46:11151 
，應盡量簡化設計，簡化電路和結構設計，使每個部件都成為最簡設計。當今世界流行的模塊化設計方法是提高設備可靠性的有效措施。塊功能相對單一，系統由模塊組成，可以減少設計的復雜性，將設計標準化、規范化
2023-11-22 06:29:05
。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器
2023-11-21 08:14:06255 
?2023新能源電子可靠性與功率半導體技術大會將在上海盛大舉辦。大會聚焦新能源汽車、光儲能、電力電子、充電樁等就新能源電子可靠性設計、電磁兼容、第三代功率半導體、新能源汽車電驅電控、光伏逆變器、電源
2023-11-13 15:30:39244 
可靠性測試是半導體器件測試的一項重要測試內容，確保半導體器件的性能和穩定性，保證其在各類環境長時間工作下的穩定性。半導體可靠性測試項目眾多，測試方法多樣，常見的有高低溫測試、熱阻測試、機械沖擊測試、引線鍵合強度測試等。
2023-11-09 15:57:52744 
共封裝二極管，先進的發射器控制設計結合高速技術，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器、儲能系統（ESS）、電動汽車充電應用
2023-11-03 11:40:49644 
機械溫控開關的可靠性有多少？我看溫控開關的體積很小，價格便宜，可以用于一些溫度控制方面，不過可靠性有多少呢？
2023-10-31 06:37:26
系統更好，更高效地運行。 交流功率流 靜態同步補償器 （STATCOM）使用現代電力電子設備來控制通過交流（AC）傳輸網絡的功率流，從而提高電網的穩定性和可靠性。該器件有時被稱為靜態同步調振器 （STATCON），充當分流器，為電流通過電路創建一條低電
2023-10-25 16:07:19311 
SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
。
功率半導體器件作為電能轉換、驅動、控制等電力電子裝置的基礎和核心，是推動電力電子系統轉換效率、功率密度、體積重量等方面優化的關鍵因素之一。
下面以特斯拉來看看功率半導體IGBT的分布，下圖
2023-10-16 11:00:14
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
通過PLC組態軟件提高系統可靠性的幾項措施
2023-09-25 06:26:12
龍騰半導體建有功率器件可靠性與應用實驗中心，專注于產品設計驗證、參數檢測、可靠性驗證、失效分析及應用評估，公司參考半導體行業可靠性試驗條件和抽樣原則，制定產品可靠性規范并依此對產品進行完整可靠性驗證。
2023-09-20 16:29:21808 
硬件IIC與軟件IIC在使用上的區別，對產品可靠性與效率的影響
2023-09-20 07:53:05
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術設計了波長為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊，采用恒流充電技術設計了高效激光器驅動電路，整機具有散熱好、低功耗和高可靠性等優點。
2023-09-19 08:23:52
意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 ? 走進龍騰實驗室 功率器件可靠性試驗測試項目系列專題（一） ? 可靠性實驗室介紹 ? 龍騰半導體建有功率器件可靠性與應用實驗中心，專注于產品設計驗證、參數檢測、可靠性驗證、失效分析及應用評估，公司
2023-09-12 10:23:45698 
快設計周期提高設計安全性和可靠性，確保產品效率。·自動化：為工廠自動化和家居樓宇自動化提供節能環保高效的解決方案。
▌方案演示·邊緣人工及電機控制智能解決方案·智能工廠解決方案·200W無線充電
2023-09-11 15:43:36
意法半導體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經驗…? 適用于汽車的高生產率
2023-09-08 06:33:00
這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質因數（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
隨著全球新能源的發展，功率半導體行業正在快速發展。IGBT功率模塊在封裝焊接時有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產等需求
2023-09-01 15:06:571677 
設計用于驅動N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達650V。
特性
?650V無芯變壓器隔離驅動器IC
?軌到軌輸出
?保護功能
?浮動高側驅動
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23906 
，減少人力資源消耗，為半導體行業降本增效。Novator系列全自動影像儀創新推出的飛拍測量、圖像拼接、環光獨立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測量需求，解決各行業尺寸測量難題。
2023-08-21 13:38:06
柵場截止(FS)結構，在最高175℃的工作溫度下可提供超低導通和開關損耗性能與高耐用性。這可提高功率逆變器、感應加熱器、焊接設備和工業應用（如電機驅動和伺服、機器人、電梯、機器操作手和工業自動化等）的效率和可靠性。
2023-08-14 09:34:51326 功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:532 電子發燒友網站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復SJ功率MOSFET提高了效率和穩健性.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:09:541 650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
在半導體器件中，常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。 在大多數情況下，加速測試不改變故障的物理特性，但會轉移觀察時間。 加速條件和正常使用條件之間的轉移稱為“降額”。那么半導體可靠性測試有哪些？讓凱智通小編告訴你~
2023-07-13 14:47:182537 
圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
RJH65D27BDPQ-A0 數據表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 RJP65T54DPM-A0 數據表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJP65T43DPQ-A0 數據表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 器件，因為其產量不斷在增加、可靠性得到認證和價格持續下降。
此時，氮化鎵技術不再是一個“科學項目”，而是在15 V~650 V的應用中廣泛替代硅MOSFET器件。
結論
當今的氮化鎵技術在性能、可靠性
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
IGBT技術在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創新。新一代IGBT產品在提高開關速度、降低開關損耗、增強耐壓能力等方面取得了顯著進展，提高了系統效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919 單片GaN器件集成驅動功率轉換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
GaN功率集成電路可靠性的系統方法
2023-06-19 06:52:09
行業標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
功率晶體管與標準門極驅動器兼容，方便集成到現有系統中。 優秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統設計。 低開關損耗：采用先進的GaN技術，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34686 33A－1997 半導體分立器件總規范
GJB 63B－2001 有可靠性指標的固體電解質鉭電容器總規范
GJB 65B－1999 有可靠性指標的電磁繼電器總規范
GJB 597A－1996 半導體集成電路總
2023-06-08 09:17:22
非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統的效率提升和小型化 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
Nexperia | 用于汽車和工業的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300 半導體激光器一般具有質量輕、調制效率高、體積小等特點，在民用、醫療等領域應用比較廣泛。大功率半導體激光器的研究從20世紀80年代開始，從未停止，隨著半導體技術與激光技術的不斷發展，大功率也半導體激光器在功率輸出、功率轉換、可靠性等方面取得了比較大的進步。
2023-05-24 07:03:15656 
2023 年 5 月 19 日，中國 ——意法半導體高壓寬禁帶功率轉換芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關管準諧振 (QR
2023-05-22 17:08:11563 
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產
2023-05-18 16:34:23463 。 其他設計技巧包括：考慮在柔性電路上逐層錯開走線，以提供更高水平的靈活性。導體應始終垂直于彎曲半徑布線，以提高可靠性和靈活性。終端區域應使用加勁肋進行加勁。屏蔽應使用交叉陰影線而不是實心平面。通孔應
2023-04-21 15:52:50
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 失效率是可靠性最重要的評價標準，所以研究IGBT的失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導作用。
2023-04-20 10:27:041117 
）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
評估，以改善動態特性和可靠性，并開發有助于實現碳中和的更具吸引力的高性能功率半導體器件。新研發的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18
PCB設計中的可靠性有哪些？ 實踐證明，即使電路原理圖設計正確，如果PCB設計不當，也會對電子設備的可靠性產生不利的影響。舉個簡單的例子，如果PCB兩條細平行線靠得很近的話，則會造成信號波形
2023-04-10 16:03:54
半導體元器件在高溫環境下的可靠性是制造商和用戶十分關注的問題。高溫試驗是一種常用的測試方法，通過模擬實際使用中的高溫環境，可以評估元器件在高溫下的性能和可靠性。高溫試驗需要仔細設計實驗方案，包括選擇
2023-04-07 10:21:03765 
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
。 因此，硬件可靠性設計在保證元器件可靠性的基礎上，既要考慮單一控制單元的可靠性設計，更要考慮整個控制系統的可靠性設計。
2023-03-27 17:01:30685 RJH65D27BDPQ-A0 數據表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 RJP65T54DPM-A0 數據表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 IGBT模塊作為汽車電驅系統最常昂貴的開關元件。IGBT同時具有功率MOSFET導通功率小及開關速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導通電阻小）高電壓和大電流處理能力的半導體元件
2023-03-23 16:01:54
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