透鏡 透明 非對(duì)稱 粘合劑，螺釘
2024-03-14 23:11:33
透鏡 透明 非對(duì)稱 螺釘
2024-03-14 23:11:32
僅透鏡，需固定座 透明 非對(duì)稱
2024-03-14 23:11:32
透鏡 透明 非對(duì)稱 膠帶
2024-03-14 23:11:32
透鏡條 白色 非對(duì)稱 卡入式
2024-03-14 23:11:32
G473使用TIM1非對(duì)稱模式做移相，用TIM8Combined PWM模式做對(duì)角的移相與門輸出，為啥占空比對(duì)了時(shí)序不對(duì)？
2024-03-14 07:49:55
為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
376 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 為什么三相短路是對(duì)稱故障？單相短路是非對(duì)稱故障呢？ 三相短路是對(duì)稱故障，而單相短路是非對(duì)稱故障，其根本原因在于電網(wǎng)中的相量關(guān)系和電壓分布。 首先，對(duì)稱故障指的是三相之間的關(guān)系相同，而非對(duì)稱故障指的是
2024-02-18 11:41:26341 時(shí)導(dǎo)電溝道是低阻狀態(tài)，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
為使P溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加正向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制
2024-01-30 11:38:27
的設(shè)備提供全面安全防護(hù)。采用恒定電流/恒定電壓線性控制，與內(nèi)部P溝道功率MOSFET結(jié)合，確保充電過程穩(wěn)定可靠，杜絕電池?fù)p傷風(fēng)險(xiǎn)。
便捷輕松應(yīng)用：
ZCC1130T設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔，只需極少外部元器件，使其
2024-01-08 15:55:16
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對(duì)N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:152269 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對(duì)n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282843 
加密芯片是對(duì)內(nèi)部集成了各類對(duì)稱與非對(duì)稱算法，自身具有極高安全等級(jí)，可以保證內(nèi)部存儲(chǔ)的密鑰和信息數(shù)據(jù)不會(huì)被非法讀取與篡改的一類安全芯片的統(tǒng)稱。
2023-12-20 09:28:54402 
AD5290的datasheet中有寫其供電電壓范圍：+20 V to +30 V single-supply operation 或者±10 V to ±15 V dual-supply operation，對(duì)于雙電源供電，我的應(yīng)用是正電源是12V，負(fù)電源是-3V。這樣的非對(duì)稱電源供電是否可以？
2023-12-15 08:19:27
、實(shí)現(xiàn)方式和安全性等方面。 一、加密芯片的功能 數(shù)據(jù)加密：加密芯片采用對(duì)稱或非對(duì)稱加密算法，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行加密操作。對(duì)稱加密算法使用相同的密鑰進(jìn)行加密和解密，而非對(duì)稱加密算法使用公鑰和私鑰進(jìn)行加密和解密。加密芯片可以支持多種加密算法
2023-12-13 15:03:14688 通過非對(duì)稱有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合固態(tài)電解質(zhì)的協(xié)同效應(yīng)，改善了不同陰極（LiFePO4和LiNi0.8Mn0.1Co0.1O2）/鋰電池的循環(huán)穩(wěn)定性，顯著拓寬了電化學(xué)穩(wěn)定窗口（5.3 V）并大大增強(qiáng)了鋰枝晶的抑制。
2023-12-10 09:23:42522 
;應(yīng)用簡(jiǎn)介：FR3505是一款高功率N溝道MOSFET，適用于高電流、高功率的應(yīng)用，常見于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源開關(guān)和電池管理等領(lǐng)域模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其
2023-12-06 15:31:48
的管理和傳遞困難。 非對(duì)稱加密 非對(duì)稱加密算法使用一對(duì)密鑰，即公鑰和私鑰。公鑰用于加密，私鑰用于解密。常見的非對(duì)稱加密算法有RSA、DSA、ECC。非對(duì)稱加密算法的優(yōu)點(diǎn)是密鑰的管理和傳遞相對(duì)容易，缺點(diǎn)是加密解密速度較慢。 哈希加密 哈希加密算法
2023-12-04 15:32:46235 本帖最后由 Tronlong創(chuàng)龍科技 于 2023-12-1 09:36 編輯
“非對(duì)稱AMP”雙系統(tǒng)是什么
AMP(Asymmetric Multi-Processing)，即非對(duì)稱
2023-12-01 09:35:26
p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分？ 區(qū)分p溝道和n溝道的關(guān)鍵在于材料的雜質(zhì)摻入和本征類型。在材料中摻入不同類型的雜質(zhì)能夠改變材料的導(dǎo)電性質(zhì)，從而使其成為p溝道或n溝道。 首先，讓我們來(lái)了
2023-11-23 09:13:422314 USB
電源和適配器電源工作。
由于采用了內(nèi)部 PMOSFET 架構(gòu)，加上防倒充電
路，所以不需要外部檢測(cè)電阻器和隔離二極管。熱
反饋可對(duì)充電電流進(jìn)行自動(dòng)調(diào)節(jié)，以便在大功率操
作或高環(huán)境溫度條件下
2023-10-27 10:46:26
電流應(yīng)用，如電源開關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高效率和降低功率損耗。適用領(lǐng)域與模塊：適用于高電流電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率放大器等領(lǐng)域模塊。
2023-10-26 16:36:04
功率芯片通過封裝實(shí)現(xiàn)與外部電路的連接，其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持，在大功率場(chǎng)合下通常功率芯片會(huì)被封裝為功率模塊進(jìn)行使用。芯片互連（interconnection）指芯片上表面的電氣連接，在傳統(tǒng)模塊中一般為鋁鍵合線。
2023-10-24 10:52:091783 
DGD0597FUQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DGD0597FUQ這是一款高頻高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)半橋配置中的 N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá)
2023-10-24 10:45:14
DGD05473FNQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DGD05473FNQ這是一款能夠驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET 的高頻柵極驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá) 50V
2023-10-24 10:17:47
傳統(tǒng)的功率模塊基本結(jié)構(gòu)分層圖來(lái)說(shuō)說(shuō)其構(gòu)成：可見，我們前面聊的很多的半導(dǎo)體芯片，只是功率模塊中的一部分，除此之外還包括其他的成分。而這些成分的選擇和搭配，再結(jié)合半導(dǎo)體芯片的特性，將決定功率模塊的整體性
2023-10-24 09:45:033032 
在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢(shì)需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)
2023-10-23 16:49:36372 
AS7202是一種次級(jí)側(cè)同步整流器回程轉(zhuǎn)換器。它集成了超低導(dǎo)通狀態(tài)電阻45V功率MOSFET，即可替代肖特基二極管的高效率。AS7202支持高側(cè)和低側(cè)應(yīng)用。AS7202內(nèi)置高壓電源的VDD電容器
2023-10-17 17:53:58
， 電感電流檢測(cè)單元,電池電壓檢測(cè)電路和內(nèi)置場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路等，具有外部元件少， 電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。
當(dāng)電池電壓低于輸入電壓或電池短路時(shí),YB5082 在內(nèi)部N溝道MOSFET和P溝道MOSFET
2023-10-12 15:36:55
的隔離電源。
VPS8702內(nèi)部集成兩個(gè)N溝道功率MOSFET和兩個(gè)P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內(nèi)部集成振蕩器提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)，能有效確保兩路功率MOSFET驅(qū)動(dòng)的高度對(duì)稱
2023-10-12 10:23:07
1~~2W的隔離電源。
VPS8701B內(nèi)部集成兩個(gè)N溝道功率MOSFET和兩個(gè)P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內(nèi)部集成振蕩器提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)，能有效確保兩路功率MOSFET驅(qū)動(dòng)
2023-10-12 10:04:51
、輸出功率1~2W的隔離電源。
VPS6501芯片內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在工作過程發(fā)生偏磁。芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有高精度的死區(qū)控制電路確保在各種工作條件下不出現(xiàn)共通現(xiàn)象。
2023-10-12 09:52:32
、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8505芯片內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在
2023-10-12 09:49:26
、輸出功率13W的隔離電源。
VPS8504C內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在工作
2023-10-12 09:43:02
輸出、輸出功率1~~~3W的隔離電源。
VPS8504N內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免
2023-10-12 09:38:22
輸出、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8504B內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在
2023-10-12 09:30:19
功率模塊一直是汽車應(yīng)用中最常見的封裝結(jié)構(gòu)之一。傳統(tǒng)的IGBT功率模塊主要由IGBT芯片，氧化鋁覆銅陶瓷基板，封裝互連材料，鍵合線，電連接端子等組成圖1傳統(tǒng)單面冷卻
2023-09-26 08:11:51586 ZXMS81090SPQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXMS81090SPQ是一款單通道高側(cè)電源開關(guān)，采用 SO-8EP（E 型）裸露散熱器封裝，具有保護(hù)和診斷功能。該器件包括一個(gè)單片 n
2023-09-25 13:24:38
N 溝道垂直功率 MOSFET，具有集成溫度和電流傳感器以及電荷泵柵極電源，并且在關(guān)斷狀態(tài)下具有低靜態(tài)電流。該器件通過輸入端的高電平有效 3.3V 和 5V 邏輯
2023-09-25 12:52:36
ZXMS81045SP 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXMS81045SP 是一款單通道高側(cè)電源開關(guān)，采用 SO-8EP（E 型）裸露散熱器封裝，具有保護(hù)和診斷功能。該器件包含一個(gè)單片 N
2023-09-25 11:20:37
BSP75N 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 BSP75N 自保護(hù)低側(cè) MOSFET。單片過溫、過流、過壓（有源鉗位）和 ESD 保護(hù)邏輯電平功能。旨在作為通用開關(guān)。 產(chǎn)品規(guī)格
2023-09-23 17:58:56
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-19 17:29:11
0 查看 rtsp 服務(wù)是否實(shí)時(shí)推流
2023-09-18 07:36:13
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
這里先來(lái)認(rèn)識(shí)一個(gè)新的概念叫 PDU ，PDU 的官方解釋是協(xié)議數(shù)據(jù)單元，但是它其實(shí)指的就是計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)這幾層模型里面所描述的數(shù)據(jù)單元，比如應(yīng)用層交換的就是應(yīng)用數(shù)據(jù)，TCP 層的 PDU 交換的就是段。
2023-09-13 15:58:48226 
“非對(duì)稱AMP”雙系統(tǒng)是什么AMP(AsymmetricMulti-Processing)，即非對(duì)稱多處理架構(gòu)。“非對(duì)稱AMP”雙系統(tǒng)是指多個(gè)核心相對(duì)獨(dú)立運(yùn)行不同的操作系統(tǒng)或裸機(jī)應(yīng)用程序
2023-09-13 08:07:11761 
的低SWR通過最小化不匹配不確定性進(jìn)一步提高了精度。這些傳感器還配有雙量程電源，對(duì)波動(dòng)信號(hào)具有更高的靈敏度。憑借高精度和穩(wěn)定性，N8485A可幫助您自信、快速地進(jìn)行測(cè)試。
2023-09-12 14:09:03
使用 LM20 雙通道高功率放大器可以設(shè)計(jì)一個(gè)非常簡(jiǎn)單的 2005 瓦安培電路電子項(xiàng)目，旨在為汽車應(yīng)用提供最佳性能和可靠性。LM2005 20 W安培電路具有高電流能力 （3.5A），使器件能夠
2023-09-08 17:08:50
輸出側(cè)采用較小尺寸的MOS， 兩側(cè)尺寸之比n：1，形成故意失配結(jié)構(gòu)，兩側(cè)電流之比也為n：1。
增益由輸出側(cè)視入電阻、輸入對(duì)管跨導(dǎo)確定：此表達(dá)式與對(duì)稱結(jié)構(gòu)完全一致！節(jié)省了非輸出側(cè)的版圖面積以及靜態(tài)功耗
2023-09-01 13:42:42
mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面
2023-08-25 15:11:258241 2ED020I06-FI是一款高電壓，高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有聯(lián)鎖高側(cè)和低側(cè)參考輸出。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器可以直接供電，也可以通過二極管和電容供電。除了每個(gè)驅(qū)動(dòng)器的邏輯輸入外
2023-08-24 18:21:45
FD2H001BA/BY/BH 低功率霍爾開關(guān)芯片
一般說(shuō)明
FD2H001B是一種低功率集成霍爾開關(guān)，設(shè)計(jì)用于感知所應(yīng)用的磁通密度并給出數(shù)字輸出，這表明了所感知的大小的現(xiàn)狀。這些應(yīng)用的一個(gè)例
2023-08-22 13:15:09
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應(yīng)用場(chǎng)景：適用于高效率開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和照明應(yīng)用等，可用于電源因數(shù)校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
和 MM
用于低噪聲和低波長(zhǎng)相關(guān)性的InGaAs 檢波器
Keysight 81635A 雙光功率傳感器是對(duì)光纖元器件進(jìn)行精確功率測(cè)量的選擇。 該模塊化雙傳感器可安裝在所有 Keysight 816x
2023-08-10 13:49:18
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 450 W；48V；3600 – 3700 兆赫GTRA374902FC 是一款 450 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管
2023-08-02 17:38:32
高功率 RF LDMOS FET 650 W；48V；755 – 805 兆赫PTRA087008NB 是一款 650 瓦 LDMOS FET。它設(shè)計(jì)用于 755 MHz 至 805 MHz 的多
2023-08-02 16:49:23
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 280 W；48V；3400 – 3600 兆赫 GTRA362802FC 是一款 280 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率
2023-08-02 15:46:20
39.5 dBm GaN on SiC 功率放大器模塊；3300-3800兆赫WS1A3640 是一款非對(duì)稱 Doherty 功率放大器模塊 (PAM)，在采用先進(jìn)散熱技術(shù)的多層層壓基板上集
2023-08-02 14:25:31
39.5 dBm GaN on SiC 功率放大器模塊；3700-3980兆赫WS1A3940 是一款非對(duì)稱 Doherty 功率放大器模塊 (PAM)，在采用先進(jìn)散熱技術(shù)的多層層壓基板上集
2023-08-02 14:22:54
38.5 dBm GaN on SiC 功率放大器模塊；2496-2690兆赫WS1A2639 是一款非對(duì)稱 Doherty 功率放大器模塊 (PAM)，將 Wolfspeed GaN
2023-08-02 14:20:00
緊湊的5針L165IC一般由單個(gè)非對(duì)稱電源穩(wěn)定對(duì)稱電源組成。然而，輸出電壓是輸入電壓的一半。需要添加紋波濾波電容C1、C2、C3和C4以及一些電阻器來(lái)設(shè)置對(duì)稱性。在構(gòu)建電路時(shí)，將電容器C1和C2放置在盡可能靠近IC的位置。
2023-07-24 11:37:23525 
NP75N055YUK55 V - 75 A - N 溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
2023-07-07 18:42:170 NP90N04VLK40 V - 90 A - N 溝道功率 MOS FET應(yīng)用：汽車
2023-07-07 18:41:240 RBA250N10CHPF-4UA02 100V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-07-04 20:37:360 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-07-04 20:37:240 現(xiàn)代密碼學(xué)依賴于兩種基本算法——非對(duì)稱密鑰和對(duì)稱密鑰。非對(duì)稱密鑰算法使用私鑰和公鑰的組合，而對(duì)稱算法僅使用私鑰，通常稱為密鑰。雖然這兩種方法都可以成為數(shù)字安全策略的一部分，但每種方法都適用于特定
2023-06-28 10:22:39472 
N76E003使用雙串口，下載程序不穩(wěn)定，有時(shí)檢測(cè)不到芯片
2023-06-19 06:18:02
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數(shù)設(shè)計(jì)校正(PFC)和非對(duì)稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應(yīng)用程序。在升壓PFC設(shè)計(jì)中，采用了GaNSense功率ic，以實(shí)現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
工程師說(shuō)道。
HK32U3009采用了ARM-Cortex和RISC-V異構(gòu)雙核架構(gòu)，填補(bǔ)國(guó)產(chǎn)異構(gòu)多核MCU芯片技術(shù)空白。該芯片還帶有MMU硬件級(jí)系統(tǒng)資源訪問權(quán)限管理，采用自研IPC雙核通訊協(xié)議
2023-06-15 18:32:06
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
時(shí)間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時(shí)的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運(yùn)輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
供應(yīng)PTS4842 MOS場(chǎng)效應(yīng)管-30V/7.7A雙N溝道高級(jí)功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-10 14:45:17
、電機(jī)驅(qū)動(dòng)安全穩(wěn)定等特點(diǎn)，可大大提升剪發(fā)效率的同時(shí)兼顧安全性。小編將為大家介紹一套完整的電推剪方案。其中涉及，電源管理芯片，單片機(jī)，PCB文件等內(nèi)容。
一．原理及組成部分：電機(jī)、刀頭、電路板、鋰電池
2023-06-07 15:49:31
產(chǎn)品簡(jiǎn)介： 雙極性脈沖電源（正負(fù)脈沖）是在單脈沖電源的基礎(chǔ)上增加反向脈沖輸出，產(chǎn)品具備正脈沖、負(fù)（換向）脈沖、比例脈沖、間隔脈沖、計(jì)數(shù)脈沖、計(jì)時(shí)
2023-06-03 11:07:33
實(shí)現(xiàn)了一種基于非均勻非對(duì)稱定向耦合器的新型寬帶波長(zhǎng)平坦3dB光耦合器。在1300-1600nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了3 dB± 0.3 dB的分束比。
2023-05-30 17:04:261002 
AEROPULSE FS50工業(yè)級(jí)高功率飛秒激光器NKTAEROPULSE FS50工業(yè)級(jí)高功率飛秒激光器是NKT基于優(yōu)異的的光子晶體光纖平臺(tái)的新型50W工業(yè)級(jí)飛秒光纖激光器。aeroPULSE
2023-05-24 14:02:03
JASPER X0高功率飛秒光纖激光器JASPER X0高功率飛秒光纖激光器可提供能量高達(dá) 100 μJ 和 60 W 平均功率的脈沖。該激光器內(nèi)置真正的單片全光纖放大振蕩器，可提供快速預(yù)熱時(shí)間
2023-05-24 10:23:46
Jasper Flex高功率飛秒光纖激光器 Jasper Flex高功率飛秒光纖激光器是用于微處理的新型高功率飛秒激光器。其緊湊的尺寸使其更易于使用和集成到
2023-05-24 10:14:45
1.是N溝道，耗盡型的場(chǎng)效應(yīng)管，是耗盡型。像圖上這樣的話，帶？的那端應(yīng)該是什么極？是源極還是漏極？
2.電路不接管子之前電流還可以，接上場(chǎng)效應(yīng)管，上電就短路，焊下來(lái)后測(cè)量柵極和源極之間不導(dǎo)通，源漏
2023-05-16 14:24:38
，
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片其浮動(dòng)通道可
用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作電壓可達(dá) 700V。高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片采用
SOIC8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內(nèi)工作
2023-05-10 10:05:20
推薦一款雙功率橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，帶有精確的電流監(jiān)控，電流控制和電流限制徹底解決傳統(tǒng)功率橋芯片電流控制復(fù)雜的問題。提高控制感性線圈負(fù)載的電流精度。內(nèi)置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
有跡象表明客戶可以使用 KEK 來(lái)包裝密鑰
我“注入”到 SE05x 密鑰庫(kù)中。不幸的是，將密鑰注入零件不符合該客戶的要求。相反，他們可以使用 KEK 來(lái)包裝他們使用 sss_key_store_generate_key() API 在 SE05x 上生成的非對(duì)稱密鑰嗎？
2023-05-06 08:15:59
LPCMP 模塊有 2 種功耗模式——高功耗和低功耗模式。(CMP_HPMD 寄存器)
有什么區(qū)別？
使用低功耗模式有什么好處？
僅供參考，我僅將 LPCMP 模塊用于 WKPU。
所以我想知道哪種模式在待機(jī)時(shí)更好。
2023-05-05 11:41:23
我想知道 NXP 是否提供了使用加密模塊實(shí)現(xiàn)非對(duì)稱密鑰導(dǎo)入（RSA 或 ECC）的示例？
RTD 中的示例僅實(shí)現(xiàn)對(duì)稱密鑰導(dǎo)入 (AES)。
2023-04-28 06:54:24
接下來(lái)幾篇將做一個(gè)流水燈電路，本文是流水燈電路的第一節(jié)，介紹用反相器產(chǎn)生非對(duì)稱式多諧振蕩器。
2023-04-26 14:51:041438 
MASW-011087-DIE AlGaAs SP4T 反射式開關(guān) MASW-011087 是一款高功率、對(duì)稱 SP4T 開關(guān)
2023-04-18 16:49:10
低阻低TCR高功率厚膜貼片電阻是一種被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的電阻器件。它主要由薄膜電阻材料、基底材料、電極端子等組成。厚膜電阻器相比于薄膜電阻器具有更高的功率承載能力和更佳的溫度穩(wěn)定性，因此常常
2023-04-18 14:45:16
我有 DNA 424 NFC 標(biāo)簽，但遇到了問題。標(biāo)簽是對(duì)稱加密的。這意味著我不能與其他想要獨(dú)立驗(yàn)證掃描的來(lái)源共享密鑰（這是我的實(shí)現(xiàn)想要允許的）。更具體地說(shuō)，該實(shí)現(xiàn)將使用區(qū)塊鏈，我不能將對(duì)稱密鑰放在
2023-04-14 06:21:54
作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
2023-03-31 12:44:271882
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