英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181431 
利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:4667 
蓉矽半導體近日宣布，其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 在科技不斷進步和新能源汽車產業迅速崛起的當下，高效、穩定且符合車規標準的電子元器件成為市場的迫切需求。上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）憑借其深厚的碳化硅（SiC）半導體技術積累，成功開發
2024-03-07 09:37:27150 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19282 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35331 在通用PWM發電機中，我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化熱機械設計和裝配。
2024-02-29 12:50:34139 智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 。
三、結合鷓鴣云光伏系統的優勢進行推廣
鷓鴣云光伏系統作為一種先進的光伏技術，具有高效、穩定、環保等優勢。光伏企業在推廣過程中，可以充分結合這些優勢進行宣傳。例如，強調鷓鴣云光伏系統的高發電效率，能夠
2024-02-27 10:33:17
伏逆變器是光伏陣列系統中重要的系統平衡（BOS）之一，可以配合一般交流供電的設備使用。
光伏逆變器的轉換率是指逆變器將太陽能面板發出的電轉換成符合電網標準電力的效率。在光伏發電系統中，逆變器
2024-02-22 15:15:01
Qorvo，全球領先的綜合連接和電源解決方案供應商，近日發布了其全新車規級碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品。這款產品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝，實現了業界領先的9mΩ導通電阻RDS
2024-02-01 10:18:06202 中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型
2024-01-31 15:19:34486 
英飛凌科技股份公司近日宣布與全球領先的能源互聯網核心電力設備及解決方案領軍企業盛弘電氣股份有限公司達成合作。英飛凌將為盛弘電氣提供業內領先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半導體器件，并配合EiceDRIVER? 緊湊型1200V單通道隔離柵極驅動IC，共同提升儲能變流器的效率。
2024-01-31 11:13:36423 英飛凌技術公司與美國北卡羅來納州達勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家專門生產碳化硅（SiC）材料和功率半導體器件的制造商 — 已經擴大并延長了他們的現有長期150毫米碳化硅（SiC）晶圓供應
2024-01-30 17:06:00180 
適用SiC逆變器的各要素技術(SiCpower module,柵極驅動回路,電容器等)最優設計與基準IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續駛里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44144 
安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產品的卓越性能和可靠性，在國內領先的碳化硅晶圓代工廠流片，產能充裕，供應穩定，性價比高。
2024-01-20 17:54:00916 
近日，英飛凌與SiC晶圓供應商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項協議。
2024-01-19 10:00:07218 深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發布暨代理商大會。此次大會上，至信微發布了一系列行業領先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。
2024-01-16 15:45:17286 iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩定性等優點，廣泛應用于電動汽車、可再生能源、電力系統等領域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137 
SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩定性等優點，廣泛應用于電動汽車、可再生能源、電力系統等領域。設計SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:56190 ,GreenIndustrialPower）事業部，也可以看出英飛凌繼續加碼綠色能源市場的決心和信心。SiC作為英飛凌減碳事業的關鍵產品，一直以來英飛凌對SiC產品在多個關鍵應用市場推進付出了諸多
2024-01-10 08:13:51152 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 電子發燒友網站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:28:29
0 電子發燒友網站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:37:520 電子發燒友網站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:36:290 SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
并網式光伏氣象站WX-BGF11是一個集成了多種傳感器的智能系統，它能夠實時監測和預測氣象數據，為光伏發電提供精確的氣象預測和實時的氣象數據支持。這個系統的出現，不僅提高了光伏發電的效率，還為光伏
2023-12-12 14:34:20
據悉，國聯萬眾公司已研發出具備指標性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產品，部分型號產品已開始供應市場。另一方面，針對比亞迪在內的多方潛在客戶，該公司的電動汽車主驅用大功率MOSFET產品正在進行進一步洽談。
2023-12-12 10:41:48229 充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21152 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24171 
近日，芯塔電子自主研發的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V
2023-12-06 14:04:49322 
SiC FET神應用，在各種領域提高功率轉換效率
2023-11-30 09:46:11151 
還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優勢！
2023-11-29 16:49:23273 
產業鏈
近年來，國家陸續出臺了多項政策，鼓勵光伏逆變器行業發展與創新。2021年5月，國家能源局出臺《關于2021年風電、光伏發電開發建設有關事項的通知》，提出要2021年，全國風電、光伏發電發電量占
2023-11-21 16:07:04
伏逆變器是否符合電網接入要求，以確保光伏發電系統與電網的安全和穩定運行。以下是一些常見的光伏逆變器入網檢測要點：并網檢測：需要驗證光伏逆變器是否能夠正確地檢測電網的狀態，包括電壓、頻率、相位等，并能夠
2023-11-09 14:54:09
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10422 
繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后，近日，國星光電開發的1200V/80mΩ SiC-MOSFET（碳化硅-場效應管）器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:32605 2023年10月，凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異，開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動，能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
2023-10-20 09:43:26485 
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導體開關推出后，功率轉換產品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208 
基于碳化硅（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日，英飛凌科技宣布與中國的新能源汽車充電市場領軍企業英飛源達成合作
2023-10-12 08:14:48709 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
0.5us，輸出電流達0.5A，可直接驅動50A/1200V以內的IGBT。驅動器體積小，價格便宜，是不帶過電流保護的IGBT驅動芯片中的理想選擇。2）英飛凌1ED020I12-F2芯片
英飛凌公司
2023-10-07 17:00:40
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業主要進步發展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網等現代工業領域，在
2023-10-07 10:12:26
聯合SiC的FET-Jet計算器 — — 從SIC FET選擇中得出猜算結果
2023-09-27 15:15:17499 
SiC FET 耐抗性變化與溫度變化 — — 進行正確的比較
2023-09-27 15:08:29250 
本文作者：Qorvo應用工程師Mike Zhu SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導體開關推出后，功率轉換產品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關速度
2023-09-20 18:15:01233 
英飛凌推出了采用轉模封裝的1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），CIPOS? Maxi IPM IM828-XCC，這是業界在這一電壓級別上的第一款產品。
2023-09-19 14:45:56932 繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應用在PrimePACK模塊中，再次刷新
2023-09-14 08:16:10430 DigiKey?Daily? 短視頻 本期DigiKeyDaily 向大家推薦兩款產品—— ODU MEDI-SNAP 連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET 1 產品一： ODU
2023-09-06 20:20:08280 
太陽能逆變器系統框圖、光伏逆變應用分類、微型逆變器框圖、組串逆變器框圖、集中逆變器框圖、家用儲能系統框圖等。
2023-09-05 07:53:29
光伏120-400V；上電時市電工作檢測光伏電壓當光伏電壓足夠時繼電器吸合，市電斷開光伏電壓工作；當光伏電壓較低時繼電器斷開，市電介入通過同步整流buck給負載工作；考慮到萬一晚上上電，所以繼電器
2023-08-31 20:27:27
華為逆變器SUN2000-100kTL-M2智能光伏控制器技術參數：產品型號：SUN2000-100KTL-M2產品名稱：華為光伏逆變器100KW、華為智能光伏控制器、華為光伏并網100KW逆變器
2023-08-29 17:01:25
型號：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導通
2023-08-25 16:58:531477 
沛城科技新品發布：5KW離/并網逆變電源在效率上，整機轉換效率高達92% ，使儲能系統效率更穩定在設計上，整機功能模塊集成優化，電路拓撲結構更簡單可靠在性能上，集成MPPT最優跟蹤，光伏
2023-08-25 16:32:12
監測，以了解電站的運行環境情況。最后，需要對光伏電站的累計發電量、組件和逆變器的運行情況等進行檢測和分析，以便及時采取相應的維護措施。GB/T 38946-2020《分布式光伏發電系統集中運維技術規范
2023-08-22 13:53:44
，可以模擬太陽能電池板輸出 I-V特性曲線，主要用于光伏逆變器的研發與生產測試。內置 Sandia，EN50530等標準法規，可測試光伏逆變器的靜態 MPPT與動態 MPPT。設備自帶的 PV功能僅支持
2023-08-16 11:33:11
有個光伏電源控制器板，220V到500V輸入，220V單相輸出，太陽能轉交流電
2023-08-02 16:33:22
NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。產品型號：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低
2023-07-31 16:57:59584 增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44231 光伏儲能系統是利用太陽能進行光伏儲能發電的系統，其中光伏設備會吸收太陽能轉化成電能，儲能設備會將光伏設備產生的電能進行存儲，當光伏系統電力不足時，儲能系統會通過轉換，將存儲的電能轉換為所需的交流電
2023-07-27 10:44:09
在此方向上，青桐資本項目伙伴「量芯微半導體（GaNPower）」（以下簡稱「量芯微」）在全球范圍內率先實現1200V 硅基GaN HEMT的商業化量產，并于近日與泰克科技（Tektronix Inc.）合作進行了器件測試。
2023-07-19 16:37:301366 
逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復合年增長率為27%。
2023-07-17 11:33:24277 
等特性，從而降低了能耗并縮小了系統尺寸。特別是在光伏、儲能、充電和電動汽車等高壓大功率應用中，碳化硅材料的優勢得以充分發揮。 納芯微全新推出1200V系列SiC二極管產品，該系列產品專為光伏、儲能、充電等工業場景而設計。 其
2023-07-10 15:45:02324 
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導體的開發和市場導入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。
2023-06-15 14:46:47495 
機械斷路器損耗小，但速度很慢，且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態解決方案解決這些問題，并且損耗也會持續降低。
2023-06-12 09:10:02400 
1200 V 絕緣體上硅（SOI）三相柵極驅動器之后，現又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，進一步擴展其產品組合。該驅動器 IC系列的半橋配置補充了現有的 1200V SOI 系列
2023-06-06 11:03:03420 
/引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EVcharger、焊機
2023-05-31 16:51:27636 智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實現更出色的能效和更低系統成本。
2023-05-25 10:39:07281 牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構建下一代牽引逆變器系統，業界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 來實現更高的可靠性、效率和功率密度。
2023-05-23 15:09:46385 
EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產品，用于高功率應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器、泵和風機（高達10kW）。
2023-05-18 16:18:24315 合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
UF3C120080B7S產品簡介Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 11:54:23
光伏單相逆變器并網能接入三相電供負載嗎？
2023-05-06 17:37:49
三相組串式光伏并網逆變器怎么連接組件的？與單相的差別是什么？
2023-05-06 16:36:27
英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作，將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB)，以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:31518 
賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市） 在開發SiC（碳化硅） 功率模塊方面，已有十多年的良好合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊
2023-04-26 15:27:11517 
。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51606 
太陽能發電系統分為并網光伏發電和離網光伏發電。并網光伏發電是指太陽能發電系統與市政電力并網，由市政電力調節的一種用電方式。離網光伏發電系統是一種獨立的太陽能發電系統。它不需要與市政當局連接。通過
2023-04-25 16:33:02
不等，為家用電器和照明提供電力。在一些沒有電的偏遠地區，如高原、島嶼、牧區和邊境哨所，太陽能光伏發電系統已成為解決供電問題不可或缺的設備之一。
工廠太陽能發電系統
工廠的太陽能發電系統使用工
2023-04-25 16:31:31
范圍：1、光伏展區◆光伏組件、電池片、逆變器、匯流箱、控制器、接線盒、晶硅/薄膜材料、光伏支架、追蹤系統、光伏電纜、封裝玻璃、光伏生產設備、光伏運維及檢測系統等光伏配套產品及設備、光伏路燈、光伏熱水器
2023-04-08 10:36:29
在中央光伏逆變器應用中，基于1200 V IGBT的3電平中性點箝位拓撲是一種常用方法。然而，考慮到高額定電流、低雜散電感和具有廣泛可用性的標準化外殼的要求，找到合適的功率模塊通常具有挑戰性。因此
2023-04-07 09:32:46
簡介 光伏并網發電系統就是太陽能光伏發電系統與常規電網相連，共同承擔供電任務。當有陽光時，逆變器將光伏系統所發的直流電逆變成正弦交流電，產生的交流電可以直接供給交流負載，然后將剩余的電能輸入
2023-04-06 15:23:46
最低成本解決光伏板同時給大小兩組電瓶同時充電，防止電流倒灌，防止小電瓶過充問題， 同時解決電量不夠自動切換市電。
2023-03-31 13:36:07
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應用。產品特點得益于著名
2023-03-31 10:52:07472 SIC 1200V DIODE
2023-03-27 14:51:05
1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38
1200V,10A,SIC SBD,TO-247AD PACKA
2023-03-27 13:53:46
1200V,20A,SIC SBD,TO-247 PACKAGE
2023-03-27 13:39:39
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