美高森美推出新一代1200V非穿通型IGBT

　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8?技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，總體開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準(zhǔn)電焊機(jī)、太陽(yáng)能逆變器和不間斷與開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用。

　　美高森美新的分立元件產(chǎn)品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些器件可以單獨(dú)提供，或者與任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基(Schottky) 二極管組合封裝提供，以便簡(jiǎn)化產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和制造。其它特性包括：

　　·相比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開(kāi)關(guān)性能;

　　·硬開(kāi)關(guān)運(yùn)行頻率大于80 KHz，實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換;

　　·易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù))，提升大功率應(yīng)用的可靠性;以及

　　·額定短路耐受時(shí)間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，在需要短路能力的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)作

　　APT40GR120B晶體管采用TO-247封裝，APT40GR120S采用表面安裝D3 PAK封裝，APT40GR120B2D30則是T-MAX? 封裝器件，包含了一個(gè)30A反并聯(lián)超快恢復(fù)二極管，采用美高森美的專(zhuān)有“DQ”系列低開(kāi)關(guān)損耗、額定雪崩能量二極管技術(shù)制造。

　　供貨

　　美高森美新型NPT IGBT中的最初兩款產(chǎn)品已具有以上全部待征并已量產(chǎn)，可通過(guò)當(dāng)?shù)胤咒N(xiāo)商或美高森美銷(xiāo)售代表獲取樣品。

閱讀全文

IGBT(242698) IGBT(242698)
美高森美(32465) 美高森美(32465)
模擬芯片(50716) 模擬芯片(50716)

評(píng)論

相關(guān)推薦

FZ1200R12KF4NOSA1

IGBT MODULE 1200V 1200A

2024-03-14 21:24:04

FZ1200R12KL4CNOSA1

IGBT MODULE 1200V 1200A

2024-03-14 21:24:04

Qorvo發(fā)布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē)充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽(yáng)能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

2024-03-06 11:43:19

282

安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出采用了新的場(chǎng)截止第7代(FS7)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)的1200VSPM31智能功率模塊(IPM

2024-03-05 08:29:51

安森美推出第七代IGBT智能功率模塊

安森美，智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)，今日宣布推出SPM31智能功率模塊（IPM），該模塊采用了創(chuàng)新的場(chǎng)截止第7代（FS7）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術(shù)。SPM31 IPM以其更高的能效、更小的尺寸和更高的功率密度，顯著降低了總體系統(tǒng)成本，為行業(yè)樹(shù)立了新的標(biāo)桿。

2024-03-01 09:53:53

163

安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗

納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出采用了新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31 智能功率模塊 (IPM)。與市場(chǎng)上其他領(lǐng)先的解決方案相比， SPM31

2024-02-27 16:04:04

458

安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗

第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31 智能功率模塊 (IPM)。與市場(chǎng)上其他領(lǐng)先的解決方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而總體

2024-02-27 15:42:11

121

安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出采用了新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。

2024-02-27 11:38:59

344

智譜AI推出新一代基座大模型GLM-4

智譜AI近日宣布推出新一代基座大模型GLM-4。這一模型在整體性能上相較上一代實(shí)現(xiàn)了大幅提升，其表現(xiàn)已逼近GPT-4。

2024-01-17 15:29:37

378

國(guó)產(chǎn)六核CPU，三屏異顯，賦能新一代商顯

處理器共同推出米爾MYC-YD9360核心板及開(kāi)發(fā)板，賦能新一代車(chē)載智能、電力智能、工業(yè)控制、新能源、機(jī)器智能等行業(yè)發(fā)展，滿(mǎn)足多屏的顯示需求。

2023-12-22 18:07:58

1EDC05I12AHXUMA1 一款IGBT驅(qū)動(dòng)器IC

描述 EiceDRIVER?緊湊型 - 寬體封裝電流隔離式單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器IC，采用CT技術(shù)，適用于600V / 1200V IGBT模塊。特性 ? 根據(jù)

2023-11-08 15:42:59

IXA20PG1200DHG-TUB

IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD

2023-11-01 14:51:09

IXA30PG1200DHG-TUB

IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD

2023-11-01 14:51:09

IXA40PG1200DHG-TRR

IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD

2023-11-01 14:51:09

IXA40PG1200DHG-TUB

IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD

2023-11-01 14:51:09

IXA40RG1200DHG-TUB

IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD

2023-11-01 14:51:09

IXA20PG1200DHG-TRR

IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD

2023-11-01 14:51:08

IXA30PG1200DHG-TRR

IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD

2023-11-01 14:51:08

FF1200R12KE3NOSA1

IGBT MODULE 1200V 5000W

2023-11-01 10:26:39

思嵐科技推出新一代融合型DTOF雷達(dá)產(chǎn)品RPLIDAR C1

為滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)激光雷達(dá)產(chǎn)品兼顧距離、高靈敏的性?xún)r(jià)雙優(yōu)需求，思嵐科技發(fā)揮在三角測(cè)距&DTOF測(cè)距上的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，推出新一代融合型DTOF雷達(dá)產(chǎn)品 — RPLIDAR C1。

2023-10-31 09:42:55

324

國(guó)星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證后

2023-10-25 18:28:10

422

凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開(kāi)關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng)，能夠滿(mǎn)足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。

2023-10-20 09:43:26

485

IGBT基礎(chǔ)知識(shí)及國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商盤(pán)點(diǎn)

開(kāi)發(fā)技術(shù)和設(shè)計(jì)能力，是國(guó)內(nèi)新一代功率半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)航企業(yè)。陸芯科技功率半導(dǎo)體產(chǎn)品包括：最新一代Trench Field-Stop技術(shù)的400V 200A-400A系列IGBT、650V 10A-200A

2023-10-16 11:00:14

Magnachip瞄準(zhǔn)電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)

來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯 Magnachip開(kāi)始全面量產(chǎn)用于電動(dòng)汽車(chē)PTC加熱器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V絕緣

2023-09-19 16:04:38

306

搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶(hù)認(rèn)可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應(yīng)用在PrimePACK模塊中，再次刷新

2023-09-14 08:16:10

430

“新一代人造太陽(yáng)”“中國(guó)環(huán)流三號(hào)”托卡馬克裝置

工程應(yīng)用產(chǎn)學(xué)研融合發(fā)展。交流會(huì)期間，西南某院在論文【模塊化緊湊型高壓電源系統(tǒng)的研制】中提出：為研究高比壓、高參數(shù)的聚變等離子體物理，我國(guó)建成了新一代“人造太陽(yáng)”裝置中國(guó)環(huán)流三號(hào)裝置。要提高中性束注入

2023-09-07 10:39:35

一周新品推薦：ODU MEDI-SNAP連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET

DigiKey?Daily? 短視頻本期DigiKeyDaily 向大家推薦兩款產(chǎn)品—— ODU MEDI-SNAP 連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET 1 產(chǎn)品一： ODU

2023-09-06 20:20:08

280

英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門(mén)型號(hào)

型號(hào)：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應(yīng)用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導(dǎo)通

2023-08-25 16:58:53

1477

采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管

JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀(guān)和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。

2023-08-25 15:40:57

1056

新品 | 用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。產(chǎn)品型號(hào)：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低

2023-07-31 16:57:59

584

用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。

2023-07-28 14:22:44

231

1200V高壓硅基氮化鎵功率器件動(dòng)態(tài)特性實(shí)測(cè)

在此方向上，青桐資本項(xiàng)目伙伴「量芯微半導(dǎo)體（GaNPower）」（以下簡(jiǎn)稱(chēng)「量芯微」）在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn)，并于近日與泰克科技（Tektronix Inc.）合作進(jìn)行了器件測(cè)試。

2023-07-19 16:37:30

1366

RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-15A-IGBT / Application: Inverter)

RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)

2023-07-12 19:18:50

RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-20A-IGBT /Application: Inverter)

RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)

2023-07-12 19:18:35

RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-25A-IGBT / Application: Inverter )

RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )

2023-07-12 19:18:22

RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-35A-IGBT/Application: Inverter)

RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)

2023-07-12 19:11:33

IGBT模塊MG75HF12LEC1，75A/1200V介紹第一期結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

IGBT

YS YYDS發(fā)布于 2023-06-27 18:35:04

士蘭微電子推出高性能汽車(chē)驅(qū)動(dòng)模塊—600A/1200V IGBT模塊

的汽車(chē)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)“充電五分鐘續(xù)航百公里”的效果。 ? 針對(duì)這一需求，士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車(chē)驅(qū)動(dòng)模塊——600A/1200V IGBT模塊（B3模塊）, 它能夠提升新能源汽車(chē)充電速度和行駛動(dòng)力，為用戶(hù)帶來(lái)更高的效率和更好

2023-06-20 11:36:48

735

安森美M1 1200 V SiC MOSFET動(dòng)態(tài)特性分析

之間的共性和差異，以便用戶(hù)充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供

2023-06-16 14:39:39

538

具有溫度不變勢(shì)壘高度和理想因數(shù)的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管

本產(chǎn)品說(shuō)明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車(chē)。溫度理想因子

2023-06-16 06:15:24

安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析

MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶(hù)充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位

2023-06-08 20:45:02

281

1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用

/引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)（650V&1200V）和三個(gè)系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EVcharger、焊機(jī)

2023-05-31 16:51:27

636

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。

2023-05-25 10:39:07

281

IGBT模塊MG150HF12LEC2，150A/1200V第一期介紹;結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

IGBT

YS YYDS發(fā)布于 2023-05-18 21:58:22

英飛凌推1200V SOI半橋柵極驅(qū)動(dòng)器2ED132xS12x系列

EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產(chǎn)品，用于高功率應(yīng)用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)（高達(dá)10kW）。

2023-05-18 16:18:24

315

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊

合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶(hù)的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英（左）賽米控丹佛斯

2023-05-17 13:35:02

938

激光退火工藝在IGBT制造中的應(yīng)用

的需要，IGBT背面退火越來(lái)越多應(yīng)用激光退火技術(shù)。01IGBT火技術(shù)在垂直方向上，IGBT結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了穿通型(pouchthrough，PT)，非穿通型(nonpouc

2023-05-16 10:45:11

897

RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-15A-IGBT / Application: Inverter)

RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)

2023-05-15 20:25:59

RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-20A-IGBT /Application: Inverter)

RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)

2023-05-15 20:25:48

RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-25A-IGBT / Application: Inverter )

RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )

2023-05-15 20:25:30

RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V-35A-IGBT/Application: Inverter)

RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)

2023-05-15 20:18:54

IGBT MG150HF12LEC2,150A,1200V，高頻，性?xún)r(jià)比高IGBT

IGBT

YS YYDS發(fā)布于 2023-05-12 22:05:13

賽米控丹佛斯推出配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

中，采用了羅姆的新產(chǎn)品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶(hù)的需求。 ROHM Co., Ltd.董事常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英（左）賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen（右）隨著全球電動(dòng)化技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)功

2023-04-26 15:27:11

517

配備羅姆 1200V IGBT的功率模塊

。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶(hù)的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英（左） ? 賽米控丹佛斯?

2023-04-26 09:17:51

606

安森美開(kāi)發(fā)IGBT FS7開(kāi)關(guān)平臺(tái)，應(yīng)用工業(yè)市場(chǎng)

以下文章來(lái)源于安森美，作者安森美領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領(lǐng)先的性能

2023-04-06 16:07:10

367

新品 | 1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7

新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿(mǎn)足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。產(chǎn)品特點(diǎn)得益于著名

2023-03-31 10:52:07

472

新品 | 1200V TRENCHSTOP? IGBT7 S7

新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號(hào)：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE

2023-03-31 10:49:58

674

已全部加載完成

搜索歷史

美高森美推出新一代1200V非穿通型IGBT

評(píng)論