耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內部集成了開關管和同步整流管，通過它們進行電壓的轉換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過程中，該芯片通過PWM
2024-03-22 11:31:10
電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:58
0 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:19:400 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 近日，國內半導體功率器件領軍企業揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產品
2024-03-16 10:48:19558 本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 650V 高壓 MOSFET 和高壓啟動電路
?優化輕載噪音、提升系統抗干擾能力
?多模式控制、無異音工作
?支持降壓和升降壓拓撲
?默認 12V 輸出 (FB 腳懸空)
?待機功耗 <
2024-03-12 14:25:14
近日，瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）近期取得了一項重要的技術突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產品，分別為650V 40mΩ規格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 在科技不斷進步和新能源汽車產業迅速崛起的當下，高效、穩定且符合車規標準的電子元器件成為市場的迫切需求。上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）憑借其深厚的碳化硅（SiC）半導體技術積累，成功開發
2024-03-07 09:37:27150 英飛凌科技股份公司近日發布了全新的650V軟特性發射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個引腳，不僅增加了安規距離，提高了可靠性，而且適用于多種應用場景。
2024-02-01 10:50:02364 150V高耐壓降壓芯片是一種電源管理芯片，其主要功能是將輸入電壓降低到較低的輸出電壓。以下是一般的高耐壓降壓芯片的工作原理：
輸入電壓穩壓：首先，芯片會接收輸入電壓，這個電壓可能來自電池、電源適配器
2024-01-26 14:13:26
近日，廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導體創新中心中試平臺，成功在6英寸藍寶石襯底上實現了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證，該產品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:24770 
3AC400V變頻異步電機，連續工作的允許耐壓值是多少呢？
比如說，變頻器的直流母線電壓是650V的狀態下，3AC400V的電機能受得了嗎？
2024-01-09 07:20:21
基于SiC功率器件的整機應用系統解決方案，各項性能指標達到國際水平，提供各類規格參數的SiC MOS定制化服務。
2024-01-04 17:30:53271 
IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點，是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優勢，在行業內也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
產品概述：DK045G 是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的準諧振反激控制 AC-DC 功率開關芯片。DK045G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（V DS ）,當 V DS
2023-12-16 12:01:21
PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅動器，新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04361 SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
650A 1700V SIC HALF-BRIDGE
2023-12-13 05:43:29
650V高壓低功耗非隔離電源芯片，默認輸出12V，最大電流2A，具有輸出可設置3-24V
2023-12-01 19:19:030 11月27日，瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
SL3038的輸入電壓范圍為4.5V至150V，使得它能夠適應各種不同的電源電壓。這意味著您可以在不同的輸入電壓下使用SL3038，從而實現更靈活的應用。
2. 高耐壓能力
SL3038的最大
2023-11-28 17:03:22
、Buck-Boost 變換器拓撲應用。 BP8523D 內部集成了 650V 高壓 MOSFET、高壓啟動和自供電電路、電流采樣電路、電壓反饋電路以及續流二極管!采用先進的控制技術，無需外部 VCC
2023-11-21 10:32:19
IGBT MODULE 1700V 4150W
2023-11-20 12:17:01
有沒有高輸入阻抗低供電電壓3V的JFET運放
供電電壓只有3V
2023-11-20 06:54:00
SIC MOS TO247-4L 650V
2023-11-01 14:52:40
、1700V碳化硅開關以及其它衍生出的750V、900V和現在1250V耐壓的PowiGaN開關。 Power Integrations專有的1250V PowiGaN技術的開關損耗不到相同電壓下同等硅器件開關損耗的三分之一
2023-10-31 16:54:481866 SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導體開關推出后，功率轉換產品無疑受益匪淺。
2023-10-19 12:25:58208 
耐壓5V IO 在高電平驅動LED時弱亮說明耐壓5V I/O口在上電期間及NRST為low時，導致高電平驅動方式時的LED弱亮
2023-10-19 08:00:37
電源中，由于母線電壓和功率不同，一般會選用單管反激或雙管反激拓撲，無論那種拓撲都離不開核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:05759 
實現量產和穩定銷售，主要應用于新能源汽車、充電樁、工業電源、光伏逆變、通訊電源等大功率、高頻、高效率領域。
附：華潤微電子SiC SBD產品列表
附：華潤微電子SiC SBD料號列舉
650V SiC
2023-10-07 10:12:26
Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37263 芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升車輛電源系統整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31285 
對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57428 650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17964 
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業級第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續在碳化硅 (SiC) 領域
2023-07-28 14:21:34
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
開關電源芯片U6773D內置5A 650V 的MOS，支持準諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應用，僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01612 ）—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款產品（均為650V）中有7款產品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。 新產品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種
2023-07-13 17:40:02184 
圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負載條件下
2023-07-05 16:00:20
電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續正向電流6A，工作溫度范圍-
2023-07-05 15:54:11
*6 電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續正向電流6A，工作
2023-07-05 15:50:06
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
二極管中觀察到的電容恢復特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關斷dI/dt。在Si技術中，不切實際外延規范將肖特基二極管降級為< 600 V的應用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設計的，以盡量減少電容電荷，從而實現更快的開關瞬變。
2023-06-16 11:42:39
前幾天，三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀錄（.點這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:55855 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 ，1700V，60A，SIC，這個管子的Qg是256nC，Rg=1.8Ω，tdon和tr分別為52ns和32ns。IXDN609SI的一部分參數和驅動的電路原理圖如下
目前的狀況是ACPL-333J的輸出
2023-06-10 15:32:20
在我的項目中，我需要用 18650 電池為 esp12 供電。
我試過使用帶有 1uF 電容（Vin-GND、Vout-GND）的 mcp1700 3.3v，
此設置使 esp 無法啟動，所以我嘗試
2023-05-31 07:36:54
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
根據公司披露：上海瀚薪具備多年的車規級SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發及量產經驗。量產產品均在各市場龍頭企業得到認可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903 
非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統的效率提升和小型化 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。
2023-05-24 15:19:34447 
Nexperia | 用于汽車和工業的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300 鈺泰ETA9880/9881/高輸入耐壓5V2.4A
ETA9880，20V輸入耐壓，2.4A Charger+2.4A/5V Boost+電量指示，兼容替代ETA9870，適用于移動電源等集成開關
2023-05-18 16:58:36
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產
2023-05-18 16:34:23463 UJ3N065080K3S產品簡介Qorvo 的 UJ3N065080K3S 是一款 650 V、80 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常開 JFET 晶體管。該器件具有超低導通電阻 (RDS
2023-05-15 09:35:18
UJ3N065025K3S 產品簡介Qorvo 的 UJ3N065025K3S 是一款 650 V、25 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常開 JFET 晶體管。該器件具有超低導通電
2023-05-15 09:27:58
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 1700V 50A SIC SBD PARALLEL
2023-03-29 15:19:22
SIC SCHOTTKY DIODE 1700V TO247-2
2023-03-29 15:13:55
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
650V 6A SIC SBD
2023-03-27 14:50:34
1700V 15A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
2023-03-27 14:49:29
SIC DIODE TO220 650V
2023-03-27 14:49:15
DIODE SIC SCHOTTKY 1700V 10A
2023-03-27 14:48:42
10A, 1700V, G5 ZREC SIC SCHOTTKY
2023-03-27 14:48:35
SIC DIODE 650V
2023-03-27 14:48:27
SIC DIODE 650V
2023-03-27 14:46:13
SIC DIODE 1700V 25A TO-247-2
2023-03-27 14:44:42
SIC DIODE 650V 4A
2023-03-27 14:43:20
SIC DIODE 650V
2023-03-27 14:41:39
650V 4A SIC SBD
2023-03-27 14:41:37
650V 4A SIC SBD
2023-03-27 14:41:36
650V AUTOMOTIVE SIC DIODE
2023-03-27 14:40:02
SIC DIODE 650V
2023-03-27 14:39:50
650V 8A SIC SBD
2023-03-27 14:39:50
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
2023-03-27 14:39:35
GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
2023-03-27 14:31:48
650V 120M SIC MOSFET
2023-03-27 14:31:11
SIC DIODE 650V
2023-03-27 13:53:41
SIC DIODE 1700V 5A TO-247-2
2023-03-27 13:46:43
SIC DIODE 650V
2023-03-27 13:36:01
SIC DIODE 650V
2023-03-27 13:34:53
1700V 25A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
2023-03-27 13:34:26
DIODE SIC SCHOTTKY 1700V 50A
2023-03-27 13:30:39
650V 4A SIC SBD
2023-03-27 13:28:41
MOS GATE DRIVER 62MM 1700V SIC
2023-03-27 12:29:45
RJP65T54DPM-A0 數據表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100
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