電子發燒友網報道（文/李寧遠）提及芯片制造技術，首先想到的自然是光刻機和光刻技術。眾所周知在芯片行業，光刻是芯片制造過程中最重要、最繁瑣、最具挑戰也最昂貴的一項工藝步驟。在光刻機的支持下，摩爾定律
2023-07-16 01:50:15
3007 
光刻機經歷了5代產品發展，每次改進和創新都顯著提升了光刻機所能實現的最小工藝節點。按照使用光源依次從g-line、i-line發展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機發展到浸沒步進式投影光刻機和極紫外式光刻機。
2024-03-21 11:31:4135 
制造集成電路的大多數工藝區域要求100級（空氣中每立方米內直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數不超過約3500）潔凈室，在光刻區域，潔凈室要求10級或更高。
2024-03-20 12:36:0054 
JW7109是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時序的要求。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續電流。每個通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續電流。每個通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內工作。 每個
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可編程導通上升時間的低25毫歐電阻單通道負載開關。它包含n溝道MOSFET，可以提供6A的最大連續電流。JW7106可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內工作。 在
2024-03-18 14:30:27
CH32X035介紹：
CH32X035系列是基于青稞RISC-V內核的Type-C接口特色MCU，提供PDUSB接口，單芯片集成USB控制器與PD控制器，內置USB PHY和PD PHY，支持
2024-03-18 11:04:33
CH32X035介紹：
CH32X035系列是基于青稞RISC-V內核的Type-C接口特色MCU，提供PDUSB接口，單芯片集成USB控制器與PD控制器，內置USB PHY和PD PHY，支持
2024-03-18 11:00:45
沁恒CH32X035支持USB通訊+PD電源雙功能，集成PIOC、I2C、多組運放/比較器/定時器等豐富片上資源，助您推開Type-C的大門，開啟PDUSB特色應用創意之旅。
不知道他是否能支持RTT操作系統。
2024-03-18 10:59:20
如何區別普通電阻和保險電阻？如何檢驗保險電阻好壞？ 普通電阻和保險電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細介紹如何區分普通電阻和保險電阻，并說明如何檢驗保險電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩定性好，造價低，在普通電子產品中應用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07136 
抗浪涌電阻和普通電阻的區別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結構和特性方面有很大的區別。本文將詳盡、詳實、細致地從多個方面對這兩種電阻進行比較分析。 1. 功能區別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58559 本帖最后由 1653149838.791300 于 2024-1-13 23:58 編輯
前陣子得了一塊CH32X035開發板，這款開發板是基于青稞 RISC-V 內核設計的工業級微控制器
2024-01-13 23:55:30
電阻是一種基本的電子元件，用于限制電流的流動。它的工藝和結構對于其性能和可靠性至關重要。本文將介紹電阻的工藝和結構。 一、電阻的工藝 電阻的工藝種類繁多，可以根據阻值是否可以變化，分成兩大類：固定
2024-01-10 17:08:38182 
輸入100-240vac，輸出給700v/10000UF電解充電，充電時間1.5s，瞬間功率比較大，請問一下LT3751能否做到，或者有其他合適方案
2024-01-05 07:26:24
使用LTC4013充電，輸入24V，5A充電，沒有使用MPPT功能，輸出接12V鉛蓄電池。
目前現象是可以產生5A電流充電，但Vinfet比Vdcin小，導致MOS管沒有進行低阻抗導通，比較熱，請問有關INFET管腳正常工作的設置條件（電路按照應用電路設計）
2024-01-05 07:24:28
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 FIB失效分析缺陷觀察ictest1 一、FAB工藝流程入門 ?1.?這里的FAB指的是從事晶圓制造的工廠。半導體和泛半導體通常使用"FAB"這個詞，它和其他電子制造的“工廠”同義。在平時溝通的語境
2023-12-26 17:49:56596 UMS的CHA3656-FAB是種兩級自偏置電壓寬帶單片低噪聲放大器。CHA3656-FAB專門用來毫米波通信，也是非常適合普遍使用，如C、x、Ku雷達探測、測試設備和高分辨率
2023-12-26 15:41:53
常州2023年12月21日?/美通社/ -- 12月11日，阿特斯、東方日升、TCL中環、天合光能、通威股份、正泰新能發布《關于推動700W+光伏組件標準設計和應用的聯合倡議》，約定700
2023-12-22 05:56:29407 LED驅動芯片在照明領域發揮著越來越重要的作用，而針對戶外LED照明應用的高可靠解決方案也備受關注。SM2255PHG作為一款700V高可靠LED驅動芯片，具有多項亮點，極大地滿足了戶外LED照明的需求。
2023-12-20 15:51:27300 
用萬用表如何檢測普通電阻器？ 萬用表是一種多功能測量工具，用于測量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬用表來檢測普通電阻器的詳細步驟
2023-12-20 10:46:24669 光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
惠斯通電橋測電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測量工具，廣泛應用于實驗室和工業控制領域。本文將詳細介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說明其測量電阻的優勢和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392756 光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334 
11月23日，中國RISC-V軟硬件生態領導者賽昉科技正式發布自主研發的片上一致性互聯IP——昉·星鏈-700（StarLink-700），并推出基于StarLink-700和昉·天樞-90
2023-11-29 13:37:35
[半導體前端工藝：第三篇] 光刻——半導體電路的繪制
2023-11-29 11:25:52242 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries公司宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，最新推出XIPD工藝，進一步增強其在射頻領域的廣泛實力。
2023-11-21 17:03:00385 x-fab推出了最新版本的產品，擴大了spad產品的選擇范圍，提高了解決近紅外線功能重要的新應用領域的能力。這些新應用包括飛行時間感知、車輛lidar影像、生物光學和flim研究工作以及醫療領域的各種相關活動。
2023-11-21 10:47:26543 。與2021年推出的上一代SPAD一樣，這款近紅外SPAD也基于X-FAB的180 nm XH018工藝。通過在制造工藝中增加額外的步驟顯著增強了信號，同時仍然保持相同的低本底噪聲，且不會對暗計數率、寄生脈沖
2023-11-20 09:11:53398 的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:56189 X-FAB Silicon Foundries SE正在以進一步實質性的方式推進其電流隔離技術。X-FAB在2018年推出的突破性工藝的基礎上，該工藝專為彈性分立電容或電感耦合器而設計，現在可用
2023-11-07 16:02:34305 PFC開關管來自納微，型號NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內置驅動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內置170mΩ導通電阻，耐壓700V的氮化鎵開關管，支持2MHz開關頻率，采用6*8mm QFN封裝，節省面積。
2023-10-31 16:01:39856 
精密電阻和普通電阻的區別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個常見的元件，它被用來控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個主要類別，它們之間的區別在于精度和穩定性。本文將詳細介紹
2023-10-29 11:21:55933 光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環節關鍵耗材，其質量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關。
2023-10-26 15:10:24359 
穩壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對運放狀態的影響。
2023-10-10 23:32:52
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產業的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化學反應，經曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上，是用于微細加工技術的關鍵性電子化學品。
2023-10-09 14:34:491671 
近日，天合光能至尊N型700W系列組件出貨寧夏東能源化工基地梅花井礦區，這是繼沙特45.5MW海水淡化電站項目、青海高海拔560MW興海縣大基地項目后，又一至尊N型700W系列組件的項目應用。早前
2023-10-07 17:16:29705 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
導通電阻測試就是用來檢測導線或連線情況是否正常的一種方法，是指兩個導體間在一定電壓下通過的電流所引起的電壓降之比，通俗的說就是導線通電后的電阻值。芯片引腳導通性測試是一個必要的步驟，用于驗證和檢測芯片引腳之間的連接是否正確，以確保芯片的正常工作。
2023-09-28 14:52:341152 
DMT15H035SCT 產品簡介DIODES 的 DMT15H035SCT 這款新一代 MOSFET 具有低導通電阻和快速開關的特點，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
2023-09-18 13:56:54
薄膜電阻和厚膜電阻的區別1.結構:-薄膜電阻:薄膜電阻是通過在絕緣基板上沉積金屬或合金薄膜形成的。常用的薄膜材料有鉑、鎳鉻合金等。薄膜通常具有光滑且均勻的厚度，形成電阻元件的形狀和尺寸是通過光刻
2023-09-15 11:07:402114 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
一、關于CH32X035介紹CH32X035內置USB和PD PHY，20KB RAM，62KB FLASH，支持USB Host主機和USB Device設備功能、USB PD及Type-C快充
2023-09-11 16:20:44
意法半導體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經驗…? 適用于汽車的高生產率
2023-09-08 06:33:00
文章來源：cnblogs
一、關于CH32X035介紹
CH32X035內置USB和PD PHY，20KB RAM，62KB FLASH，支持USB Host主機和USB Device設備功能
2023-09-02 14:45:14
射頻電阻和普通電阻區別? 隨著科技的不斷進步和應用范圍的擴大，射頻技術在越來越多領域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 節點、網關和嵌入式應用程序構建安全的SoC。有關組件版本，請參閱ARM?Corstone?-700發行說明。
2023-08-30 07:37:11
近日，在至尊N型700W+組件量產暨2024年組件升級發布會上，天合光能宣布，至尊N型700W+組件提前實現量產，成為行業首個實現TOPCon組件量產功率突破700W+的組件制造商。這將進一步提高
2023-08-24 10:53:36599 半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
光刻是半導體芯片生產流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻來實現， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531573 
CoreSight組件提供以下系統范圍跟蹤功能：
·整個系統的調試和跟蹤可見性·SoC子系統之間的交叉觸發支持·單一流中的多源跟蹤·比以前的解決方案更高的數據壓縮·標準工具的標準程序員模型支持·第三方核心的開放接口·低引腳數·低硅開銷
2023-08-18 07:11:14
CHX2193 -FAB是一款 6.25-8.25GHz 倍頻器，專為從軍事到商業通信系統的廣泛應用而設計。它采用無引線表面貼裝密封金屬陶瓷 6x6mm2 封裝。該電路采用 pHEMT 工藝
2023-08-10 11:16:26
CHT3091 -FAB是一款可變 DC-14GHz 衰減器，設計用于從軍事到商業通信系統的廣泛應用。它采用無引線表面貼裝密封金屬陶瓷 6x6mm2 封裝。該電路采用 MESFET 工藝
2023-08-10 09:34:11
CHA5266 -FAB是一款三級單片 GaAs 中等功率放大器，采用無引線表面貼裝密封金屬陶瓷 6x6mm2 封裝。它設計用于廣泛的應用，從軍事到商業通信系統。該電路采用 pHEMT
2023-08-09 17:52:51
CHA2069 -FAB是一款三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。該電路采用標準 pHEMT 工藝制造：0.25μm 柵極長度、穿過基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻。它采用無引線表面貼裝密封
2023-08-09 17:07:52
CHA3666 -FAB是一款兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。該電路采用標準 pHEMT 工藝制造：0.25μm 柵極長度、穿過基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻。它采用無引線表面貼裝密封
2023-08-09 16:56:23
CHA3656-FAB 是一款兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。它專用于空間通信，也非常適合廣泛的應用，例如 C、X、Ku 雷達、測試儀器和高可靠性應用。該電路采用 pHEMT 工藝、0.25μm
2023-08-09 16:52:10
pHEMT 工藝、0.25μm 柵極長度、穿過基板的通孔、空氣橋和電子束柵極光刻技術制造。它采用符合 RoHS 標準的 SMD 封裝。 &nb
2023-08-09 16:47:59
CH32X035系列是基于青稞RISC-V4C內核設計的工業級Type-C接口特色微控制器，提供62K FLASH程序空間，支持48MHz系統主頻，支持3.3V和5V供電，具有雙路OPA或PGA運放
2023-08-09 11:19:00
和外圍設備擴展的SoC需要超出最低子系統組件的額外內存和外圍組件。例如，閃存沒有SSE-700，但可以通過實現的接口添加。
傳感器和執行器參考設計可以通過添加傳感器或執行器邏輯來擴展，例如溫度輸入或電機控制
2023-08-02 07:46:43
、甚至斷裂等現象，導致接地引下線與主接地網連接點電阻增大，從而不能滿足電力規程的要求，使設備在運行中存在不安全隱患，嚴重時會造成設備失地運行。因此在《防止電力生產
2023-08-01 10:41:40
BCR8PM-14LE 數據表 (700V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:53:41
0 在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發展史。現在，讓我們繼續了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機拍照非常相似。但是具體是怎么實現的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
。CBG9092集成了一個關閉偏置功能，允許TDD應用程序的操作。該設備使用高性能E-pHEMT工藝進行內部匹配，只需要從單正電源接入的5個外部組件：外部射頻扼流圈和阻塞/支路電容和偏置電阻。CBG9092
2023-06-25 11:11:44
供應pn6001線性ic內置700V智能MOS離線式無電感穩壓器芯片，提供pn6001資料關鍵參數 ，廣泛應用于小家電電源、儀表顯示供電電源等領域，更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-21 10:53:48
KP3667X 是集成 700V 高壓 MOS 的 SSR 功率開關管系列產品，包含 KP36673、KP36674 和 KP36675。它內置 700V 高壓啟動 JFET，可以省去啟動電阻，降低
2023-06-20 10:39:03457 
來源：X-FAB PhotonixFab將為光電子產品的創新及商業化打通路徑，實現高產能制造 中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon
2023-06-19 15:54:25453 
電子發燒友網站提供《使用現有組件實現任何電阻/電容.zip》資料免費下載
2023-06-16 15:46:360 供應700v超級結mos管SSF70R450S2，提供SSF70R450S2 mos管關鍵參數，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 13:54:181 光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機用于芯片的制造，曝光工藝極其復雜，后道光刻機主要用于封裝測試，實現高性能的先進封裝，技術難度相對較小。
2023-06-09 10:49:205857 
至于X-FAB，其計劃擴大在美國德克薩斯州拉伯克市（Lubbock）的代工廠業務。報道稱，該公司已在拉伯克運營20多年，將在未來5年內進行重大投資，其中第一階段的投資額為2億美元，以提高該廠區的碳化硅半導體產量。
2023-05-24 11:12:55554 列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
BCR8PM-14LE 數據表 (700V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:00:420 新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
，
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風筒專用電機驅動芯片其浮動通道可
用于驅動高壓側 N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作電壓可達 700V。高速風筒專用電機驅動芯片采用
SOIC8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內工作
2023-05-10 10:05:20
ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
光刻技術簡單來講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程，是大規模集成電路的基礎。目前市場上主流技術是193nm沉浸式光刻技術，CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261 
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
硅二極管的死區電壓和導通電壓分別為多少？反向飽和電流為多少數量級？
2023-03-31 11:45:58
TRIAC 700V 8A TO220AB
2023-03-29 21:26:26
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 21:26:26
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 21:26:26
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 21:26:25
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 18:51:42
TRIAC 700V 40A TOP3
2023-03-29 18:51:34
TRIAC SENS GATE 700V 4A IPAK
2023-03-29 18:50:26
TRIAC ALTERNISTOR 700V TO220AB
2023-03-29 18:48:55
TRIAC SENS GATE 700V 4A DPAK
2023-03-29 18:46:13
TRIAC ALTERNISTOR 700V 4A DPAK
2023-03-29 18:46:13
TRIAC 700V 25A TOP3
2023-03-29 18:46:08
TRIAC 700V 8A TO220AB
2023-03-29 18:45:48
SCR 4A 700V TO-220AB
2023-03-29 18:40:11
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