肖特基二極管的情況下提供高效率。 JWH5276具有輸出短路保護、熱保護、電流流失保護和輸入欠壓鎖定功能,可確保堅固耐用。 JWH5276有QFN3X3-16封裝,
2024-03-13 18:18:12
FS4001H系列DFN1x1-6小封裝單節鋰電充電芯片在穿戴產品小電池充電中的應用隨著科技的快速發展,穿戴式電子產品已成為我們日常生活的重要組成部分。智能手表、健康追蹤器、無線耳機等穿戴產品,以其
2024-03-12 19:15:20
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日,全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“東芝”)近日宣布,其最新研發的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產品特別適用于數據中心和光伏功率調節器等關鍵應用的開關電源,展現了東芝在功率半導體領域的深厚實力與持續創新。
2024-03-12 10:27:36255 (AOS,納斯達克代碼:AOSL)推出了全新的應用導向 EZBuck? 轉換器。 AOZ22559QI 和 AOZ22539QI 是應用恒定導通時間控制的降壓轉換器。采用了業界最緊湊的 QFN 4 x 4 封裝,旨在支持 Intel
2024-02-27 17:08:36403 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),
2024-02-22 18:22:41976 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度,增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 **詳細參數說明:**- 型號:SIS412DN-T1-GE3-VB- 絲?。篤BQF1320- 品牌:VBsemi- 封裝:DFN8(3X3)- 類型:2個N-Channel溝道- 額定電壓
2024-02-20 10:19:23
**VBsemi SIR416DP-T1-GE3-VB 產品詳細參數說明:**- **絲印標識:** VBQA1402- **品牌:** VBsemi- **封裝:** DFN8(5X
2024-02-19 16:27:26
**VBsemi CSD17308Q3-VB 產品詳細參數說明:**- **絲印標識:** VBQF1310- **品牌:** VBsemi- **封裝:** DFN8(3X3)- **通道類型
2024-02-19 15:17:40
**產品型號:** SIR462DP-T1-GE3-VB**絲?。?* VBQA1308**品牌:** VBsemi**參數:**- 封裝:DFN8(5X6)- 溝道類型:N-Channel- 額定
2024-02-19 14:42:26
**產品型號:** FDMC2514SDC-VB**絲?。?* VBQF1303**品牌:** VBsemi**參數:**- 封裝:DFN8(3X3)- 溝道類型:2個N-Channel- 額定電壓
2024-02-19 11:20:05
(ON)): 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓 (Vth): -2.23V- 封裝: DFN8(3X3)應用簡介:VBsemi的RU30L30M-VB
2024-02-03 10:33:22
DFN封裝是一種先進的電子元件封裝工藝,與SMD封裝相比,DFN封裝提供了更高的靈活性和穩定性。
2024-01-28 17:24:551388 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了創新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創新型封裝為 AOS 產品賦予了卓越的散熱性能,使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 了一款 100V MOSFET—— AONA66916 ,該器件采用AOS創新型雙面散熱DFN 5 x 6 封裝??蛻粝到y研發人員一直以來把 AOS 產品作為其方案設計的重要組件之一,幫助客戶實現各種高性能應用
2024-01-25 15:18:42617 : 封裝是12-Lead Plastic DFN (3mm × 3mm)
LT3650 : 封裝是10-Lead Plastic DFN (3mm × 3mm)
LT3091:14-Lead
2024-01-05 08:25:19
近日,昕感科技在新能源領域取得重大突破,推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品(N2M120007PP0)。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ,電壓規格為1200V,將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 型號:SI7617DN-VB絲印:VBQF2309品牌:VBsemi參數:- 封裝:DFN8(3X3)- 溝道類型:P—Channel溝道- 額定電壓:-30V- 最大電流:-45A- 開態電阻
2024-01-02 11:58:32
型號:SI7884BDP-T1-GE3-VB絲?。篤BQA1405品牌:VBsemi封裝:DFN8(5X6)**詳細參數說明:**- **溝道類型(Channel Type):** N
2024-01-02 11:03:36
英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化,主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 型號: SI7850DP-T1-E3-VB絲印: VBQA1638品牌: VBsemi參數:- 封裝類型: DFN8(5X6)- 溝道類型: N-Channel- 額定電壓: 60V- 最大電流
2023-12-29 11:10:55
12月27日,浙江芯微泰克半導體有限公司(以下簡稱“芯微泰克”)功率器件超薄芯片背道加工線項目正式通線投產。
2023-12-29 10:20:37305 , 5mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓(Vth):1.79V- 封裝類型:DFN8(5X6)應用簡介:MDU1517RH-VB是一款N溝道功率MO
2023-12-20 15:52:36
Ω @ 10V, 16mΩ @ 4.5V- 門源極電壓 (Vgs):最大±20V- 閾值電壓 (Vth):2.3V封裝:DFN8 (3X3)詳細參數說明:CSD1757
2023-12-20 10:47:53
應用的80V 和 100V MOSFET,這兩款車規級器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL 封裝旨在優化功率半導體器件成為電動汽車發展中的重要組件,尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-15 11:26:49279 應用的80V 和 100V MOSFET,這兩款車規級器件是TO-Leadless (TOLL) 封裝。AOS TOLL 封裝旨在優化功率半導體器件成為電動汽車發展中的重要組件,尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-14 16:55:24949 (ON)):1.8mΩ @ 10V, 2.5mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 閾值電壓(Vth):2V- 封裝:DFN8(5X6)應用簡介:SIR802DP-T1-GE3-VB
2023-12-14 15:34:43
Ω @ 10V- 門源極電壓(Vgs):20V(±V)- 閾值電壓(Vth):3.6V- 封裝類型:DFN8(5X6)應用簡介:SI7478DP-T1-GE3-VB 是
2023-12-14 11:59:15
:UT3N06G-AE3-R適用于功率開關和電機驅動等應用的N溝道MOSFET。其中等功率特性使其在多種中低功率應用中表現良好。適用領域與模塊:適用于電源開關、電機驅
2023-12-13 11:27:23
:IFNNY)順應系統層面的發展趨勢,推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率
2023-12-12 18:04:37494 如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 FDMC8026S(VBQF1310)是一款電源應用型MOSFET產品,采用N溝道結構,封裝為DFN8(3X3封裝)。其參數包括:工作電壓30V、最大電流40A、靜態導通電阻RDS(ON)為11m
2023-12-06 15:24:44
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 問題1:在功率MOSFET管應用中,主要考慮哪些參數?在負載開關的功率MOSFET管導通時間計算,通常取多少比較好?相應的PCB設計,銅箔面積布設多大散熱會比較好?漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣?有公式可以計算嗎?
2023-12-03 09:30:40408 UT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產品,絲印型號為VB2290;采用SOT23-3封裝。該產品的特性包括額定電壓為-20V,額定電流為-4A,RDS(ON)參數
2023-11-30 16:14:04
SSM3J327R是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產品,絲印型號為VB2290;采用SOT23-3封裝。該產品的特性包括額定電壓為-20V,額定電流為-4A,RDS(ON)參數為57m
2023-11-30 16:06:16
SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產品,絲印型號為VB2290;采用SOT23-3封裝。該產品的特性包括額定電壓為-20V,額定電流為-4A,RDS
2023-11-30 16:02:35
SI2308BDS-T1-GE3是一款N溝道MOSFET產品,采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為60V,額定電流為4A,RDS(ON)參數為85mΩ(在10V下)和96mΩ(在4.5V下
2023-11-30 14:23:32
SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產品,絲印型號為VB2290;采用SOT23-3封裝。該產品的特性包括額定電壓為-20V,額定電流為-4A,RDS
2023-11-30 14:21:31
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 日前,集設計研發、生產和全球銷售一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出了用于電池
2023-11-13 18:11:28219 Electro-Photonics的Q3XG-1088R耦合器是款3dB 90度SMT混合耦合器。使用中小型封裝形式,具備較低插損和高功率性能。專門針對挑選的電路板布置進行全面優化
2023-11-13 14:08:14
的著名功率半導體器件及芯片供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited (簡稱AOS, 股票代碼:AOSL) 推出了具有超低反向工作電壓 (VRWM) 的低功耗
2023-11-13 10:19:51171 的時間控制,提供快速的瞬態響應,抗噪聲性和各種非常低的ESR輸出電容器,以確保性能穩定。
FR9206采用TSOT-23-6封裝,提供良好的導熱性。
特征
?低RDS(開)集成功率MOSFET(80m
2023-11-11 11:47:34
的新型Type-C PD 高壓電源輸入保護開關。AOZ13984DI-02 和 AOZ13987DI-02 是采用單個緊湊的耐熱增強型 3mm x 3mm DFN 封裝的智能保護開關。新產品采用 AOS
2023-11-10 09:05:10188 無過熱危險的情況下實現充電速率最大化的熱調節功能? ESOP8/DFN2x2-8/DFN2x3-8/DFN3x3-8封裝? 符合RoHS標準描述PC3221是一款適用于單節鋰電池的完整恒流/恒壓
2023-11-08 10:12:35
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應用簡介 SI2323DST1GE3 是一款 P 溝道 MOSFET,適用于負電
2023-11-06 09:17:31
1.9Vth (V) 封裝類型 DFN8 (5X6)應用簡介 SIR422DPT1GE3是一款N溝道MOSFET,適用于各種電源管理和功率放大器應用。具有較高的
2023-11-03 13:55:28
-7032 3dB SMD 耦合器將組合兩個信號,總輸出功率高達 100 瓦 CW。該耦合器采用表面貼裝 (SMD) 封裝,尺寸為 0 0.50 x 1.80
2023-11-03 13:23:42
Ω@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應用簡介 SI2369DST1GE3是一款P溝道MOSFET,適用于負極電壓控制和負
2023-11-02 10:57:13
Ω @4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.76Vth 封裝 TO252應用簡介 SQD50P0615LGE3是一款P溝道MOSFET,適用于負
2023-11-02 09:28:15
) 閾值電壓 1Vth (V) 封裝類型 SOT23應用簡介 SI2319DST1GE3是一款P溝道MOSFET,適用于各種電源管理和功率放大器應用。它具有負的額定電壓和
2023-11-01 11:30:21
為滿足緊湊機箱對電源更輕薄的要求,金升陽推出了超薄塑料導軌LI20-20BxxPU系列,輸出電壓涵蓋05/12/15/24V。該系列具備恒電流限制,國際通用全范圍交流輸入,4000VAC高隔離耐壓等優點,可提供3年質保,為客戶應用提供穩定安全的電源供應。
2023-11-01 09:59:33338 Ω@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1.6Vth 封裝 TO252應用簡介 SUD50P0408GE3是一款P溝道MOSFET,適用于高功率開關和
2023-10-28 15:35:51
型號 SI2324DS-T1-GE3絲印 VB1102M品牌 VBsemi詳細參數說明 - 類型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 100V- 最大電流 2A- 導通電阻 246m
2023-10-27 17:18:42
Ω@4.5V- 柵極電壓(Vgs)范圍 ±20V- 閾值電壓(Vth) 1.2V- 封裝 DFN6 (2X2)該產品適用于以下領域模塊 - 電源開關 SiA40
2023-10-27 15:55:27
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 ZXMN6A07ZTA (VBI1695)參數說明:N溝道,60V,5A,導通電阻76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,門源電壓范圍20V(±V),閾值電壓1~3V,封裝:SOT89-3。應用簡介
2023-10-27 10:30:17
功率MOSFET選型的幾點經驗在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應理論技術文章有很多介紹MOSFET參數和性能的,這里不作贅述,只對實際
2023-10-26 08:02:47373 在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 和小功率MOSFET類似,功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品 IXTY2P50PA。這個創新的產品設計能滿足汽車應用的嚴苛要求,提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 4.20V/8.4V(二合一) 4000件/包 概述 PC6688是一款3A鋰離子電池充電器。它利用 500KHz同步降壓轉換器拓撲結構減少充電過程中的功耗。低功率耗散,內部MOSFET允許可廣泛嵌入的小型
2023-10-24 10:20:35
X3-DFN0603-2 中,占位面積為 0.18mm2,封裝外形超薄,專為節省便攜式電子設備中的 PCB 空間而設計。產品規格 品牌
2023-10-19 12:50:02
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z,一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅動功率,且開關速度優異??梢哉f具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518 超低功耗STM32L011x3/4系列包括7種不同封裝類型的設備從14到32個引腳。以下描述概述了該家族中提出的外圍設備。
這些功能使超低功耗STM32L011x3/4微控制器適用于
廣泛
2023-10-09 07:06:47
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
電子發燒友網站提供《DFN2020MD-6:帶有側邊可濕焊盤的無引腳封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-27 10:06:111 電子發燒友網站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業和汽車應用,提供廣泛的封裝選項,包括長引線TO-247、TO-LL,以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
。英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET,進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容,此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案,在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431202 單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制,采用節省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率,STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間,并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 功率MOSFET數據表參數
2023-08-24 09:13:06552 供應AP2080Q 30A 20V耐壓mos DFN3*3封裝,是ALLPOWER銓力半導體代理商,提供AP2080Q規格參數等,更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 16:43:18
包括輸出短路保護(OSP) ,逐周期峰值電流限制,熱調節,熱停機,輸入 UVLO,輸出 OVP 等
雙輸出平均電流限制與穩定的 CC 環
QFN5x5-32封裝
典型應用:
汽車啟停系統
工業PC電源
USB電源傳輸
線路圖示:
2023-08-16 11:33:09
產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 通過AEC-Q101認證且可承受的接面溫度高達175°C,強茂P溝道MOSFET是汽車設計工程師理想的選擇,可實現簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:45526 MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(對應GTR的截止區);飽和區(對應于GTR的放大區);非飽和區(對應于GTR的飽和區)。功率MOSFET在開關狀態下工作,即截止區域和不飽和區之間的轉換
2023-07-04 16:46:37975 功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三個管腳,分別為柵極( Gate
2023-06-28 08:39:353665 納芯微全新推出120V半橋驅動NSD1224系列產品,該系列產品具備3A/-4A的峰值驅動電流能力,集成 高壓自舉二極管 ,提供使能、互鎖、欠壓保護不同版本,有SOP8、HSOP8、DFN
2023-06-27 15:14:07
、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3,這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側邊焊盤DFN3820A封裝。這四款新器件為商業、工業和車載應用提供節省空間的高效解決方案,每種產品都有
2023-06-26 15:19:16372 功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個管腳,分別為柵極(Gate
2023-06-05 15:12:10671 功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個基板上集成有一個或多個開關元件的功率半導體產品,所述開關元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、晶閘管
2023-05-31 09:32:31287 TOLL(Transistor Outline Leadless)封裝的MOSFET,由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點,已經在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-26 09:52:42393 分享功率MOSFET驅動保護電路方案大全,希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”,該器件可用于移動設備鋰離子(Li-ion)電池組中的電池保護電路。該產品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-22 14:33:12512 是否可以獲得HVQFN148 SOT2111-1封裝的3D STEP模型?
2023-05-12 07:21:34
Limited?(AOS,?納斯達克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺,旨在滿足服務器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15664 功率MOSFET怎樣關斷?能否用PWM實現?怎樣實現?
2023-05-08 16:16:27
Vishay 推出三款新系列汽車級表面貼裝標準整流器,皆為業內先進的薄型可潤濕側翼 DFN3820A 封裝器件。
2023-04-28 09:09:53390 KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET,特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET,這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 AOS3729A-T42-NXC
2023-03-29 21:51:53
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