擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出針對 4G 無線基站的業界最低功耗低失真多樣化混頻器。作為 IDT Zero-Distortion™ 系列產品之一，這款新器件可在降低長期演進(LTE)和時分雙工(TDD)無線通信架構失真的同時降低功耗。IDT 致力于為業界提供一個涵蓋從天線到數字信號處理器(DSP)的完整射頻卡信號鏈，新的 LTE混頻器正是該戰略中的重要射頻產品。

　　IDTF1162 是一款低功耗、低失真雙路2300-2700 MHz 射頻到中頻混頻器，擁有超線性(+43 dBm)三階交調截取點(IP3O)，可達到優異的互調抑制，是 4G 無線基站收發器中多載波、多模式蜂窩系統的理想選擇。與競爭解決方案相比，IDTF1162 改進 IM3 失真達 18 dB，同時降低 40% 功耗達業界領先(典型值為 1150 mW)。這些特性可降低射頻卡的散熱要求，并允許基礎架構提供商采用更高的平均前端增益設置，從而實現更高的信噪比(SNR)。多達 0.4 dB 的改進接收器 SNR 有利于無線通信運營商擴大覆蓋面積和提高用戶手機外圍的可用數據率。

　　IDT 公司副總裁兼通信部總經理 Tom Sparkman 表示：“我們最新的混頻器產品又一次證明，IDT 已進入面向無線基礎架構的6億美元射頻卡市場。繼之前推出 IDTF1150 和 IDTF1152后，IDTF1162 可提供更高的頻率輸入，滿足客戶期待從 IDT 獲得的所有業界領先的優勢。這些產品與來自 IDT 無線信號鏈解決方案產品組合的其他解決方案相得益彰，包括 Serial RapidIO、高性能時鐘產品和數據壓縮。”

　　IDTF1162 提供上電快速穩定和恒定本地振蕩器(LO)輸入阻抗。這允許客戶在時分雙工(TDD)接收器插槽間降低混頻器用電，從而進一步降低功耗。此外，這款器件經設計，可在一個 100° 的連續封裝箱溫度中運行，對于在密布遠程射頻頭外殼內的 IC 來說，是一個重要特性。與 IDT 射頻混頻器系列的其他產品類似，IDTF1162 與市場中現有的器件引腳相容，可提供令人信服的升級選擇。

　　供貨

　　IDTF1162 目前正向合格客戶提供樣品，提供 6x6 毫米封裝。