電橋電路柵驅(qū)動器和MOSFET柵驅(qū)動器產(chǎn)品介紹
2024-03-19 09:43:36
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Diodes 公司推出一款符合汽車規(guī)格* 的新型線性 LED 驅(qū)動器，讓用戶能獨立控制三個通道的亮度和色彩。
2024-03-12 14:38:31640 榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動器，該系列驅(qū)動器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護功能，專為驅(qū)動SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布推出兩款全新的近距離無線點對點收發(fā)器芯片——ST60A3H0和ST60A3H1。這兩款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著電子
2024-03-12 11:00:10215 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
為了在空間受限的應(yīng)用中實現(xiàn)高效、實時的嵌入式電機控制系統(tǒng)，MicrochipTechnologyInc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC數(shù)字信號控制器（DSC）的新型集成電機驅(qū)動器系列。該系列器件
2024-03-08 08:22:30114 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
USB接口進行控制。 3種觸發(fā)模式和峰值功率模式可選 CCS半導(dǎo)體激光管驅(qū)動器內(nèi)置TEC控制器、脈沖控制電子裝置和安裝模塊。這些裝置均針對單發(fā)
2024-01-30 06:31:08144 
三菱電機近日宣布，將推出一系列新型J3系列功率半導(dǎo)體模塊，專為各類電動汽車（EV、PHEV等）設(shè)計。這些模塊采用先進的半導(dǎo)體技術(shù)，具有緊湊的設(shè)計和卓越的性能，可大幅提高電動汽車的能效和續(xù)航里程。
2024-01-25 16:04:19259 三菱電機集團近日（2024年1月23日）宣布即將推出六款用于各種電動汽車（xEV）的新型J3系列功率半導(dǎo)體模塊，
2024-01-24 14:14:07785 
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，平臺采用先進的技術(shù)和設(shè)計，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
V 功率 MOSFET 的半導(dǎo)體制造商，采用全新系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS 7 MOSFET 技術(shù)。新產(chǎn)品創(chuàng)建行業(yè)新基準(zhǔn)，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁出新的一步, 釋放更優(yōu)秀系統(tǒng)效率和性能，賦能未來。
2023-12-29 12:30:49362 
SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機驅(qū)動等功率電子領(lǐng)域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個芯片上，形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57682 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）后來，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展，現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛，在計算機、通行、消費
2023-12-03 16:33:191134 
官方網(wǎng)站稱，2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導(dǎo)體輸出芯片和零部件研發(fā)，生產(chǎn)，銷售的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品包括半導(dǎo)體分立元件芯片、半導(dǎo)體分立元件、半導(dǎo)體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:15
0 H5112C是一款外圍電路簡單的多功能平均電流型LED恒流驅(qū)動器，適用于5-90V電壓范圍的非隔離式大功率恒流LED驅(qū)動領(lǐng)域。
2023-11-22 11:59:37340 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5.76W高功率因數(shù)LED驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-11-21 09:26:260 ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB柵極驅(qū)動器IC。該器件可實現(xiàn)納秒 (ns) 級的柵極驅(qū)動速度，因此非常適合高速 GaN 功率器件開關(guān)。 通過對氮化鎵技術(shù)的全面
2023-11-14 15:04:58438 一、功率器件在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導(dǎo)體器件，簡稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動芯片
2023-11-08 17:10:15822 
功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今，功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動的各個行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體，電動汽車包括功率半導(dǎo)體，飛機和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。
2023-11-07 10:54:05459 
功率半導(dǎo)體，作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分，扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專門設(shè)計用于處理高功率電信號和控制電力流動的半導(dǎo)體器件，與低功率應(yīng)用中使用的小信號半導(dǎo)體不同，功率半導(dǎo)體經(jīng)過優(yōu)化可以處理高電壓、高電流和高溫。
2023-11-06 15:10:27490 
電機是將電能轉(zhuǎn)換為機械能的裝置。它還可以被視為將能量從電源傳輸?shù)綑C械負(fù)載的裝置。電機所在并使其旋轉(zhuǎn)的系統(tǒng)稱為驅(qū)動器，也稱為電力驅(qū)動器或電機驅(qū)動器。每種電機驅(qū)動器都具有獨特的特性，適用于不同的應(yīng)用和性能需求。選擇適當(dāng)?shù)碾姍C驅(qū)動器對于確保交通工具的性能和效率至關(guān)重要。
2023-11-04 11:30:00351 
TDK東電化 推出新型NTC 熱敏電阻
2023-11-01 15:56:36198 
2023年10月，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26485 
發(fā)現(xiàn)，像 Arduino 或樹莓派這樣的設(shè)備不能直接驅(qū)動重負(fù)載。在這種情況下，我們需要一個“驅(qū)動器”，也就是一個可以接受來自微控制器的控制信號，并且具有足夠功率來驅(qū)動負(fù)載的電路。在許多情況下，MOSFET
2023-10-16 09:19:231185 
使用安森美半導(dǎo)體制造的CAT4106集成多通道LED驅(qū)動器和高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器，可以設(shè)計出非常簡單且高效的LED驅(qū)動器，適用于為總功率高達6瓦的背光應(yīng)用供電。
2023-10-15 10:03:41922 
該LED驅(qū)動器電路設(shè)計基于LNK405EG驅(qū)動器IC，將提供12瓦的輸出功率。該LED驅(qū)動器電路基于LNK405EG驅(qū)動器IC接受90至265 VAC的寬范圍輸入電壓，并將在36mA恒定輸出電流下提供330伏的固定輸出電壓。這種恒流LED驅(qū)動電子項目的效率非常高，超過85%，一般為87%。
2023-10-15 09:56:04321 
一個非常簡單的6通道低成本LED驅(qū)動器電子電路項目可以使用飛思卡爾半導(dǎo)體制造的MCP34845 LED驅(qū)動器進行設(shè)計。
2023-10-15 09:46:37361 
LM3530 高效白光 LED驅(qū)動器 IC 具有可編程環(huán)境光檢測功能和 I2C 兼容接口，可以設(shè)計一個簡單的白光 LED 驅(qū)動器電路。
2023-10-15 09:19:15331 
和研究領(lǐng)域。頻率為20~30kHz，使用可控硅整流器的諧振電源已經(jīng)使用了多年。MOSFET管的出現(xiàn)使電路可以工作在更高的頻率，大量研究人員正著手開發(fā)各種頻率為0.3～5MHz的新型諧振電路拓?fù)洹?在
2023-09-28 06:33:09
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 CL88020 LED驅(qū)動器集成電路（Integrated Circuit，IC）是一種離線順序線性LED驅(qū)動器，旨在通過120 VAC標(biāo)稱輸入電壓提供8.5W LED功率。 CL88020
2023-09-22 17:07:130 介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導(dǎo)體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術(shù)設(shè)計了波長為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊，采用恒流充電技術(shù)設(shè)計了高效激光器驅(qū)動電路，整機具有散熱好、低功耗和高可靠性等優(yōu)點。
2023-09-19 08:23:52
設(shè)計了半導(dǎo)體激光器恒定功率驅(qū)動電路，采用負(fù)反饋運算放大電路構(gòu)成恒流源，電容充放電模塊構(gòu)成穩(wěn)壓環(huán)節(jié)，以高精度電流檢測芯片 MAX4008監(jiān)測 PIN光電探測器探測電流，以此為基準(zhǔn)，引入功率反饋環(huán)節(jié)，穩(wěn)定輸出功率。闡述并分析了電路原理與實驗結(jié)果，表明電路運行穩(wěn)定，實現(xiàn)了精確的自動功率控制。
2023-09-19 07:15:15
這種白光LED驅(qū)動器電子項目電路采用MAX1573集成電路設(shè)計，由美信半導(dǎo)體制造。
2023-09-16 17:29:29977 
該調(diào)光控制LED驅(qū)動器電路采用LM3409P溝道MosFET控制器設(shè)計，用于降壓（降壓）電流調(diào)節(jié)器。
2023-09-16 17:19:00328 
2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時
2023-08-28 15:45:311140 隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
在電機驅(qū)動系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動器或“預(yù)驅(qū)動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動電機所需的大電流。在選擇驅(qū)動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時，有很多需要考量的設(shè)計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導(dǎo)致實現(xiàn)方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:34807 
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計。 MD7120 用于驅(qū)動在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運行的四個 N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉(zhuǎn)換器
2023-07-28 16:20:50801 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
介紹
在設(shè)計電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機驅(qū)動器或電源）時，設(shè)計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 意法半導(dǎo)體STHV200超聲波IC單片集成線性驅(qū)動器、脈沖驅(qū)動器與鉗位電路、開關(guān)和診斷電路，可以簡化醫(yī)用和工業(yè)用掃描儀設(shè)計，縮減尺寸，降低物料成本。
2023-07-21 09:32:32172 傳統(tǒng)柵極驅(qū)動器的實現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動器和單獨的隔離電源，在系統(tǒng)組裝時，驅(qū)動器、電源和FET之間的連接可能會帶來不必要的噪聲，并產(chǎn)生電磁干擾（EMI），從而降低系統(tǒng)性能。而要減輕這些影響可能會帶來更多設(shè)計復(fù)雜性，增大項目進度時間和成本，以及解決方案的體積和重量。
2023-07-13 09:47:40361 對于包括白光LED在內(nèi)的大功率LED，這些照明系統(tǒng)需要進行更復(fù)雜的調(diào)節(jié)，以確保系統(tǒng)中每個LED上的電流和電壓都穩(wěn)定。雖然可以通過一些外部電子元器件來構(gòu)建穩(wěn)壓器，但使用LED驅(qū)動器IC來控制系統(tǒng)要容易得多。單片機開發(fā)工程師介紹，這些芯片專門設(shè)計用于為LED提供高效率的DC電源。
2023-07-10 10:51:281044 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮
2023-07-05 16:34:291053 LED驅(qū)動器是一種電氣設(shè)備，用于調(diào)節(jié)LED或一串（或多串）LED的功率。LED驅(qū)動器通過向LED提供恒定量的功率來響應(yīng)LED或LED電路不斷變化的需求，因為其電氣特性隨溫度變化。
2023-07-04 16:42:081305 端）。LED驅(qū)動器電源的輸出大多是恒流源，可以隨著LED正向壓降的變化而改變電壓。LED電源的核心元件包括開關(guān)控制器、電感器、開關(guān)元件（MOSFET）、反饋電阻、輸入濾波器件、輸出濾波器等。根據(jù)不同場合的要求，必須有輸入過壓保護電路、輸入欠壓保護電路、LED開路保護、過流保護電路等。
2023-07-04 16:38:263213 在電源與能源應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體將展示一款采用MASTERGAN和ST－ONEHP的140W 智能電源適配器。其中MASTERGAN在一個單一封裝內(nèi)整合了意法半導(dǎo)體第三代氮化鎵（GaN）功率晶體管和改進的柵極驅(qū)動器。
2023-06-30 16:33:45475 2023年6月28日，是德科技（Keysight Technologies,Inc.）日前宣布，推出新型 PCI Express（PCIe）6.0 協(xié)議驗證工具。這些協(xié)議分析儀和協(xié)議訓(xùn)練器不需要連接
2023-06-29 09:54:05357 TF2117(M)是高壓、高速的門驅(qū)動器，能夠在引導(dǎo)操作中驅(qū)動一個n通道MOSFETs和IGBTs。TF半導(dǎo)體公司的高壓工藝使TF2117(M)和能夠在
2023-06-29 09:30:59
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
為滿足汽車市場對產(chǎn)品可靠性和安全性的需求，數(shù)明半導(dǎo)體近期推出車規(guī)級高壓、高速MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片SiLM21814-AQ，該產(chǎn)品通過AEC-Q100認(rèn)證。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 功率半導(dǎo)體器件，簡稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動芯片】等，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的集成電路。
2023-06-27 11:36:36806 
無獨有偶，在車規(guī)級功率半導(dǎo)體領(lǐng)域布局的車企不止吉利一家。近日，深藍汽車與斯達半導(dǎo)體達成合作，雙方組建了一家名為 " 重慶安達半導(dǎo)體有限公司 " 的全新合資公司，雙方將圍繞車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊開展合作，共同推進下一代功率半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-06-25 16:47:45556 
點擊藍字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
采用GaNFast?功率半導(dǎo)體的高效有源箝位反激變換器的設(shè)計考慮
2023-06-21 06:24:22
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
本文提出了幾種電路思路，用于在LED斷開時保護升壓轉(zhuǎn)換器LED驅(qū)動器。（如果沒有保護，驅(qū)動器輸出會損壞外部MOSFET和肖特基二極管。包括LED驅(qū)動器IC（MAX1698）和比較器（MAX9060或MAX9028）。
2023-06-12 10:16:23657 
功率半導(dǎo)體器件或模塊是電機控制器的心臟。電機控制器、電機和減速器一起組 成電動汽車的電力驅(qū)動總成。
2023-06-09 16:48:232758 
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
瑞森半導(dǎo)體在LED驅(qū)動方案上，推薦使用平面高壓MOS系列，憑借可靠性高、參數(shù)一致性好，內(nèi)阻低等特點，助力LED驅(qū)動事業(yè)蓬勃發(fā)展
2023-06-03 09:22:52263 
瑞森半導(dǎo)體在LED驅(qū)動方案上，推薦使用平面高壓MOS系列，憑借可靠性高、參數(shù)一致性好，內(nèi)阻低等特點，助力LED驅(qū)動事業(yè)蓬勃發(fā)展
2023-06-02 18:01:38320 
? 5月， SNEC第十六屆（2023）國際太陽能光伏與智慧能源大會 在上海新國際博覽中心重磅舉行。基本半導(dǎo)體攜旗下 第二代碳化硅MOSFET系列新品 ，以及全系 汽車級碳化硅功率模塊 、 碳化硅
2023-05-30 16:33:36502
場效應(yīng)管是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，也稱為單極型晶體管。它是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有噪聲小、功耗低、開關(guān)速度快、不存在二次擊穿問題，主要具有信號放大、電子開關(guān)、功率控制等功能，廣泛應(yīng)用
2023-05-26 14:24:29
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:52:08747 
上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅(qū)動器 SiLM27624 系列，支持高達 30V 的輸入電源供電，滿足更高的驅(qū)動電壓輸出。
2023-05-17 11:18:21438 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流。
2023-05-17 10:21:391473 
LED燈驅(qū)動器的效率也會影響使用，具有更高效率的驅(qū)動器可使LED燈更加節(jié)能，并最大化LED燈的使用壽命。
2023-04-26 18:20:3414271 當(dāng)高功率 LED（如 10A–40A 投影儀 LED）所需的電流會給異步轉(zhuǎn)換器中的組件帶來過大應(yīng)力時，通常使用同步降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動器。同步整流可限制轉(zhuǎn)換器開關(guān)中由于高電流而導(dǎo)致的功率損耗和熱上升。同步
2023-04-21 11:30:00468 
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進入快速發(fā)展通道。目前，我國已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場，根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 16:00:28
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進入快速發(fā)展通道。目前，我國已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場，根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 13:46:39
的LED驅(qū)動器為正向電壓范圍高達2V的多芯片LED模塊提供36A電流。該電路僅驅(qū)動一種顏色的RGB LED，因此需要三個這樣的驅(qū)動器來驅(qū)動所有三種顏色。
2023-04-13 10:25:15974 
微控制器、微處理器和周邊芯片，以及配套的開發(fā)工具和生態(tài)系統(tǒng)。先楫半導(dǎo)體先后發(fā)布高性能MCU產(chǎn)品 HPM67/64/6300 及HPM6200系列并已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，今年還將有多款產(chǎn)品推出。產(chǎn)品以質(zhì)量為本，所有
2023-04-10 18:39:28
半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門控半導(dǎo)體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關(guān)模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機驅(qū)動器中的開關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
我想知道 NXP 是否有任何 LED驅(qū)動器可以讓 LED 使用 PWM 信號工作，并具有故障檢測功能以關(guān)閉所有 LED。將有大約 50-60 個正向電壓為 3.0 v @ 30mA 的單色 LED
2023-03-28 06:12:42
IGBT模塊作為汽車電驅(qū)系統(tǒng)最常昂貴的開關(guān)元件。IGBT同時具有功率MOSFET導(dǎo)通功率小及開關(guān)速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導(dǎo)通電阻小）高電壓和大電流處理能力的半導(dǎo)體元件
2023-03-23 16:01:54
RGB LED可產(chǎn)生多種顏色，包括白色，使其具有高度的通用性。每個RGB LED需要三個驅(qū)動器，每個顏色的LED需要一個驅(qū)動器。與單個LED驅(qū)動器相比，在RGB應(yīng)用中使用多輸出LED驅(qū)動器可以節(jié)省解決方案的尺寸和成本。LTC3207和LTC3207-1每個都提供12個單獨可編程的電流源（通用驅(qū)動器）。
2023-03-23 11:08:122172 
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