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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>羅姆開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET

羅姆開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET

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2023-09-15 08:16:02

600V N溝道超級結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&amp;S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明, 高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23

DMP4047LFDE 40V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

DMP4047LFDE  產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4047LFDE 這款新一代 40V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時保持卓越的開關(guān)性能
2023-09-14 19:46:59

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)全部測試

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474

高可靠峰值電流PWM控制芯片,完美替換284X

VDD耐壓高:芯片VDD耐壓大于40V,高于海外競品10V以上;
2023-08-25 12:17:221609

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600

功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊技術(shù)解析

功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,有助于汽車設(shè)備實(shí)現(xiàn)高散熱和小型化

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557

ROHM新增5款100V耐壓MOSFET,實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動應(yīng) 用,開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:16538

求助,芯片耐壓650V做的buck電路夠不夠用?

650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42

40v雙電源電路解析圖

這種40V雙電源電路是應(yīng)菲律賓Michael的要求而設(shè)計(jì)的。他的應(yīng)用是為此處發(fā)布的150瓦放大器電路供電。我認(rèn)為這種電源設(shè)計(jì)足以達(dá)到目的。變壓器T1降低電源電壓,電橋D1執(zhí)行整流,C1和C2執(zhí)行濾波工作。C3和C4是去耦電容。
2023-07-18 17:41:321035

RJF0411JPD 數(shù)據(jù)表(40V, 34A SiliconNChannel Thermal FET Power Switching)

RJF0411JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 34A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 20:07:270

RJF0409JSP 數(shù)據(jù)表(40V, 5A SiliconNChannel Thermal FET Power Switching)

RJF0409JSP 數(shù)據(jù)表 (40V, 5A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 19:48:120

RJF0408JPD 數(shù)據(jù)表(40V, 30A SiliconNChannel Thermal FET Power Switching)

RJF0408JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 19:47:590

RJF0410JPE 數(shù)據(jù)表(40V-40A -NChannel Thermal FET Power Switching)

RJF0410JPE 數(shù)據(jù)表 (40V - 40A - N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 19:15:350

40V – 250A –N溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車

40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車
2023-07-04 20:37:240

RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A –N溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車

RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車
2023-07-04 20:37:050

功率場效應(yīng)管的基本特性,如何提高功率MOSFET的動態(tài)性能

MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應(yīng)GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作,即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三個管腳,分別為柵極( Gate
2023-06-28 08:39:353665

英飛凌推出新一代面向汽車應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302

CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力

摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力,適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663

英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列,改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET,OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝,相比于其它采用微型封裝的器件,具有
2023-06-06 11:01:361026

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):平面結(jié)構(gòu)

功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個管腳,分別為柵極(Gate
2023-06-05 15:12:10671

ASDM30N40AE 功率MOSFET — 優(yōu)質(zhì)性能,引領(lǐng)能效革命

隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)保的重視不斷增加,電力管理和控制技術(shù)也在不斷發(fā)展。在這個變革的時代,ASDM30N40AE 功率MOSFET憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的特點(diǎn),成為推動能效革命的關(guān)鍵力量
2023-06-05 11:45:28594

SL3041 DC100V耐壓 輸入6-19V車載T-BOX電源芯片

開發(fā)應(yīng)用于T-Box的高性能DC-DC,LDO電源管理芯片及音頻,靜電保護(hù)等產(chǎn)品 SL3041 是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管可設(shè)定輸出電流的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。可工作在寬 輸入電壓范圍具有優(yōu)良
2023-05-24 16:39:12

新微半導(dǎo)體40V增強(qiáng)型氮化鎵功率器件工藝平臺成功量產(chǎn)

新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口,并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝,RC<0.4 Ω·mm;柵極采用自對準(zhǔn)工藝,使得柵極形貌良好,且最小線寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:051698

功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路方案大全

分享功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路方案大全,希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02

SY7301AADC 40V 高電流升壓 LED驅(qū)動器

電流驅(qū)動。SY7301A是高達(dá)十個白色LED串聯(lián)或高達(dá)40V。特點(diǎn)?輸入電壓范圍:2.8~40V?開關(guān)電流限制:2A?驅(qū)動LED字符串高達(dá)40V?1MHz固定頻率使外
2023-05-22 15:04:18

BL9342 40V、600mA,降壓轉(zhuǎn)換器

BL9342是一個高頻(1.8MHz)降壓開關(guān)調(diào)節(jié)器,集成了內(nèi)部高端高壓功率MOSFET。它提供了單個0.6A(或更低)的高效輸出和電流模式控制,以實(shí)現(xiàn)快速循環(huán)響應(yīng)。寬輸入range(4.2V
2023-05-18 17:56:51445

資料下載 | 低導(dǎo)通電阻 Nch 功率MOSFET(銅夾片型)產(chǎn)品參考資料

近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V),備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系
2023-05-17 13:35:02471

RJF0411JPD 數(shù)據(jù)表(40V, 34A SiliconNChannel Thermal FET Power Switching)

RJF0411JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 34A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:56:480

RJF0409JSP 數(shù)據(jù)表(40V, 5A SiliconNChannel Thermal FET Power Switching)

RJF0409JSP 數(shù)據(jù)表 (40V, 5A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:37:400

RJF0408JPD 數(shù)據(jù)表(40V, 30A SiliconNChannel Thermal FET Power Switching)

RJF0408JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:37:280

MT2593 40V 3A 降壓直流/直流驅(qū)動器 絲印MT2593

描述    MT2593是一款輸入耐壓可達(dá)40V的降壓式DC/DC驅(qū)動電路,能夠?qū)崿F(xiàn)精確的恒流以及恒壓功能。 MT2593內(nèi)置75mohm的功率MOSFET,可持續(xù)輸出 5V
2023-05-10 16:49:10

功率MOSFET怎樣關(guān)斷?能否用PWM實(shí)現(xiàn)?

功率MOSFET怎樣關(guān)斷?能否用PWM實(shí)現(xiàn)?怎樣實(shí)現(xiàn)?
2023-05-08 16:16:27

ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372

寶礫微 PL1303N04 QFN6*6-40L 40V/25.0A N溝道功率MOSFET

應(yīng)用: DC-DC轉(zhuǎn)換 SMPS中的同步整流 硬開關(guān)和高速電路 電動工具 電機(jī)控制 概述: PL1303N04是寶礫微推出的4開關(guān)N溝道功率MOSFET,采用QFN6*6-40L封裝。產(chǎn)品具有較強(qiáng)
2023-04-11 14:47:50513

R課堂 | 內(nèi)置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2P06xMF-Z系列

采用表貼型封裝,輸出可達(dá)45W,待機(jī)功耗顯著降低,支持自動貼裝 ROHM面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,開發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC
2023-04-04 12:40:05468

N32G430C8L7_STB開發(fā)

N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12

RJF0410JPE 數(shù)據(jù)表(40V-40A -NChannel Thermal FET Power Switching)

RJF0410JPE 數(shù)據(jù)表 (40V - 40A - N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-03-29 18:50:370

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V
2023-03-29 15:06:13

SM6442D1RL

40V/32A單N功率MOSFET
2023-03-28 12:55:19

已全部加載完成

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