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2024-03-19 09:27:410 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V、8mΩ 單通道智能高側(cè)開關(guān)TPS1HB08-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-18 18:18:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V 200m? 單通道智能高側(cè)開關(guān)TPS1H200A-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-18 18:15:290 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V、100mΩ 單通道智能高側(cè)電源開關(guān)TPS1H100-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-18 18:12:480 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V、1Ω 單通道智能高側(cè)開關(guān)TPS1H000-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-18 17:51:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V、8mΩ 單通道智能高側(cè)開關(guān)TPS1HA08-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-18 17:49:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《輸入40V 3A降壓IC FS2453數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
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2024-03-18 14:07:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V、35mΩ 雙通道智能高側(cè)開關(guān)TPS2HB35-Q1 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 09:33:520 近日ROHM開發(fā)出車載一次側(cè)LDO“BD9xxM5-C”,是采用了ROHM高速負(fù)載響應(yīng)技術(shù)“QuiCur”的45V耐壓LDO穩(wěn)壓器,
2024-03-06 13:50:21132 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《3A、40V、200KHz降壓轉(zhuǎn)換器EUP3453英文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-05 09:21:540 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS7B88-Q1 500mA、40V、低壓降穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-01 09:56:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《跟蹤容差為 4mV 的 150mA、40V 電壓跟蹤 LDOTPS7B4254-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-29 10:38:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS7A6650H-Q1 40V、超低 I(q)、環(huán)境溫度最高為 150°C 的穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-28 14:32:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有25μA 靜態(tài)電流的 TPS7A6x-Q1 300mA 40V 低壓降穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-28 14:27:330 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,2.1 mOhm,180 A邏輯電平MOSFET PSMN2R0-40YLB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 09:55:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道40 V,1.9 mOhm,200 A標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET PSMN1R9-40YSB數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 09:53:300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《3A、40V、200KHz降壓轉(zhuǎn)換器EUP3453英文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-20 11:05:421 KF8451A高效率同步降壓IC產(chǎn)品描述KF8451A一款輸入耐壓可達(dá)40V,4.5-40V輸入電壓條件正常工作,并且能夠?qū)崿F(xiàn)精確恒流以及恒壓控制的同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。無需外部補(bǔ)償,可以依靠
2024-02-19 16:51:330 ZC3201是一款40V高精度微安級功率LDO穩(wěn)壓器。只有l(wèi)uA的功耗使其適用于大多數(shù)高壓節(jié)電系
統(tǒng)。其最大工作電壓高達(dá)40V.
其他功能包括低壓差,±1%的極高輸出精度,限流保護(hù)和高紋波抑制比
2024-02-19 16:12:50
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2024-01-26 09:48:330 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《QX4059耐壓 40V的線性離子電池充電管理芯片中文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-04 09:11:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《QX4058耐壓 40V的線性離子電池充電管理芯片中文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-04 09:09:020 概述PC5028是一款高性能的增壓器驅(qū)動N溝道MOSFET的控制器同步升壓功率級,從寬輸入電源范圍從4.5V到40V。當(dāng)控制器從輸出電壓偏置控制器可以從低至啟動后1V。開關(guān)頻率可以通過編程FREQ
2023-12-25 18:23:47
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V/1.2A集成功率管LED驅(qū)動器SN3360中文手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-22 11:31:390 。
SL3061 40V/2.5A開關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器,工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓(6V至40V)可提供
2023-12-12 16:11:08
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 問題1:在功率MOSFET管應(yīng)用中,主要考慮哪些參數(shù)?在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時間計(jì)算,通常取多少比較好?相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì),銅箔面積布設(shè)多大散熱會比較好?漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣?有公式可以計(jì)算嗎?
2023-12-03 09:30:40408 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的40V輸入、3.5A Silent Switcher μModule穩(wěn)壓器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-23 09:39:280 功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識
2023-11-23 09:06:38407 ARK(方舟微)研發(fā)的UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET包括耐壓70V的DMZ0622E系列、耐壓100V的DMZ(X)1015E系列、耐壓130V的DMZ(X)1315E系列、耐壓130V的DMZ(X)1315EL系列等產(chǎn)品。
2023-11-18 16:00:38454 開發(fā)出商用的RISC-V處理器還需要哪些開發(fā)工具和環(huán)境?
處理器是軟硬件的交匯點(diǎn),所以必須有完善的編譯器、開發(fā)工具和軟件開發(fā)環(huán)境(IDE),處理器內(nèi)核才能夠被用戶順利使用起來。目前RISC-V具有
2023-11-18 06:05:15
、SL3061芯片介紹
SL3061是一款高性能的功率MOS管芯片,內(nèi)置MOS管,具有2.5A的電流能力,耐壓40V。它采用先進(jìn)的工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)理念,具有高效率、低功耗、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。此外
2023-11-13 15:24:19
想用運(yùn)放實(shí)現(xiàn)1~-40V的脈沖電源,1到-40V的時間為2us,計(jì)算SR至少要求63V/us,看了下幾款車規(guī)級高壓運(yùn)放,請問下使用LT1010可以實(shí)現(xiàn)嗎?能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型?
謝謝!
2023-11-13 14:20:54
特性? 輸入耐壓28V? 輸出耐壓15V? 輸入過壓保護(hù)7V? 短路保護(hù)? 高達(dá)1A可編程充電電流? 精度1%的4.2V預(yù)設(shè)充電終止電壓? 防電池反接? 無需MOSFET、檢測電阻或隔離二極管? 在
2023-11-08 10:12:35
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu),采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但是,導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長,導(dǎo)通電阻急劇增大,電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的,這里不作贅述,只對實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 和小功率MOSFET類似,功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 AON6884,規(guī)格書, 設(shè)計(jì)方案,使用方法,AOS/萬代,40V雙N溝道MOSFET 一般說明,AON6884采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)以低柵極電荷提供優(yōu)異的RDS(ON)。這是一個適用于大范圍
2023-10-24 15:03:33
AP64200Q 產(chǎn)品簡介DIODES 的AP64200Q這款是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的 2A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有 3.8V 至 40V 的寬輸入電壓范圍。該器件完全
2023-10-23 19:56:00
眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率,且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LT8338: 40V, 1.2A Micropower Synchronous Boost Converter with PassThru Data Sheet
2023-10-17 19:07:46
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTC7819: 40V Low I<sub>Q</sub>, Triple Output, 3-Phase Synchronous
2023-10-16 18:49:31
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTC3115-1:40V, 2A 同步巴克-波星DC/DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有LTC3115-1:40V, 2A 同步巴克-波星DC/DC
2023-10-10 18:54:16
可以通過外部電阻來設(shè)置。
產(chǎn)品特性:
輸入耐壓可達(dá)40V
寬輸入范圍4.5-40V
無需外部補(bǔ)償
恒流值可設(shè)
200k Hz固定開關(guān)頻率
內(nèi)置抖頻功能可輕松通過EMC測試
最大300mV線路電壓補(bǔ)償
2023-10-10 14:54:22
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數(shù)據(jù)表的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2023-10-08 16:47:10
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 DMP4047SSDQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4047SSDQ 這款新一代 40V P 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時保持卓越
2023-09-15 10:01:52
DMP4047SSD 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4047SSD 這款新一代 40V P 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時保持卓越的開關(guān)性能
2023-09-15 09:54:20
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET,根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低,使其特別適用于需要更多高效,更緊湊,LED照明,高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET,根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn),使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明,
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
DMP4047LFDE 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4047LFDE 這款新一代 40V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on),同時保持卓越的開關(guān)性能
2023-09-14 19:46:59
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474 VDD耐壓高:芯片VDD耐壓大于40V,高于海外競品10V以上;
2023-08-25 12:17:221609 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGL(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM(小型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動應(yīng) 用,開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:16538 650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
這種40V雙電源電路是應(yīng)菲律賓Michael的要求而設(shè)計(jì)的。他的應(yīng)用是為此處發(fā)布的150瓦放大器電路供電。我認(rèn)為這種電源設(shè)計(jì)足以達(dá)到目的。變壓器T1降低電源電壓,電橋D1執(zhí)行整流,C1和C2執(zhí)行濾波工作。C3和C4是去耦電容。
2023-07-18 17:41:321035 RJF0411JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 34A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 20:07:270 RJF0409JSP 數(shù)據(jù)表 (40V, 5A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 19:48:120 RJF0408JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 19:47:590 RJF0410JPE 數(shù)據(jù)表 (40V - 40A - N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 19:15:350 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車
2023-07-04 20:37:240 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用:汽車
2023-07-04 20:37:050 MOSFET的漏伏安特性(輸出特性):截止區(qū)(對應(yīng)GTR的截止區(qū));飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的放大區(qū));非飽和區(qū)(對應(yīng)于GTR的飽和區(qū))。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作,即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三個管腳,分別為柵極( Gate
2023-06-28 08:39:353665 英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力,適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663 最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET,OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝,相比于其它采用微型封裝的器件,具有
2023-06-06 11:01:361026 功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個管腳,分別為柵極(Gate
2023-06-05 15:12:10671 隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)保的重視不斷增加,電力管理和控制技術(shù)也在不斷發(fā)展。在這個變革的時代,ASDM30N40AE 功率MOSFET憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的特點(diǎn),成為推動能效革命的關(guān)鍵力量
2023-06-05 11:45:28594 開發(fā)應(yīng)用于T-Box的高性能DC-DC,LDO電源管理芯片及音頻,靜電保護(hù)等產(chǎn)品
SL3041 是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管可設(shè)定輸出電流的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。可工作在寬
輸入電壓范圍具有優(yōu)良
2023-05-24 16:39:12
新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口,并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝,RC<0.4 Ω·mm;柵極采用自對準(zhǔn)工藝,使得柵極形貌良好,且最小線寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:051698 分享功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路方案大全,希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
電流驅(qū)動。SY7301A是高達(dá)十個白色LED串聯(lián)或高達(dá)40V。特點(diǎn)?輸入電壓范圍:2.8~40V?開關(guān)電流限制:2A?驅(qū)動LED字符串高達(dá)40V?1MHz固定頻率使外
2023-05-22 15:04:18
BL9342是一個高頻(1.8MHz)降壓開關(guān)調(diào)節(jié)器,集成了內(nèi)部高端高壓功率MOSFET。它提供了單個0.6A(或更低)的高效輸出和電流模式控制,以實(shí)現(xiàn)快速循環(huán)響應(yīng)。寬輸入range(4.2V
2023-05-18 17:56:51445 近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V),備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系
2023-05-17 13:35:02471 RJF0411JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 34A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:56:480 RJF0409JSP 數(shù)據(jù)表 (40V, 5A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:37:400 RJF0408JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:37:280 描述 MT2593是一款輸入耐壓可達(dá)40V的降壓式DC/DC驅(qū)動電路,能夠?qū)崿F(xiàn)精確的恒流以及恒壓功能。 MT2593內(nèi)置75mohm的功率MOSFET,可持續(xù)輸出 5V
2023-05-10 16:49:10
功率MOSFET怎樣關(guān)斷?能否用PWM實(shí)現(xiàn)?怎樣實(shí)現(xiàn)?
2023-05-08 16:16:27
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 應(yīng)用: DC-DC轉(zhuǎn)換 SMPS中的同步整流 硬開關(guān)和高速電路 電動工具 電機(jī)控制 概述: PL1303N04是寶礫微推出的4開關(guān)N溝道功率MOSFET,采用QFN6*6-40L封裝。產(chǎn)品具有較強(qiáng)
2023-04-11 14:47:50513 采用表貼型封裝,輸出可達(dá)45W,待機(jī)功耗顯著降低,支持自動貼裝 ROHM面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,開發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC
2023-04-04 12:40:05468 N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12
RJF0410JPE 數(shù)據(jù)表 (40V - 40A - N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-03-29 18:50:370 的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V
2023-03-29 15:06:13
40V/32A單N功率MOSFET
2023-03-28 12:55:19
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