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電子發燒友網>新品快訊>賽普拉斯推出非易失性靜態隨機訪問存儲器

賽普拉斯推出非易失性靜態隨機訪問存儲器

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靜態隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959

RA6快速設計指南 [9] 存儲器 (1)

該控制器訪問連接到外部存儲器總線的SDRAM器件。程序和數據存儲器共用地址空間;使用單獨的總線分別訪問這兩個存儲器,從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數據。存儲器映射中包含片上RAM、外設
2023-06-21 12:15:03421

RAM/ROM存儲器的設計

隨機存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數據,也可以隨時將數據寫入任何一個指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785

CY7C10612DV33-10ZSXI

16-MBIT(1M X 16)靜態隨機存儲器
2023-06-01 09:18:00

隨機存取存儲器的誕生

無論是在網飛上看電影、玩電子游戲,還是單純地瀏覽數碼照片,你的電腦都會定期進入內存獲取指令。沒有隨機存取存儲器(RAM),今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55313

內存有寫入限制嗎?

我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量,所以,我需要做一個每秒累加的方法。問題:內存有寫入限制,所以我需要使用內存。寫入存儲器是否有一些限制?我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入存儲器,每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器
2023-05-30 08:48:06

elf文件怎么燒錄?

不懂單片機,最近公司一個外單要轉到國內生產,發了一個后綴名是.elf的燒錄文件,請問這個怎么燒錄?要用什么軟件打開?又要用什么樣的燒錄? 芯片是普拉斯的CY8C5268AXI-LP047
2023-05-23 08:53:56

單板硬件設計:存儲器( NAND FLASH)

,并把電容放電,藉此來保持數據的連續。 SRAM: SRAM利用寄存存儲信息,所以一旦掉電,資料就會全部丟失,只要供電,它的資料就會一直存在,不需要動態刷新,所以叫靜態隨機存儲器。 3.產品應用
2023-05-19 15:59:37

存儲介質的類型有哪些?

Flash的容量往往較小。NOR設備在每次寫操作時都必須以塊的方式寫入數據。并行NOR閃存利用靜態隨機存取存儲器(SRAM)快速訪問芯片的可尋址區域,實現了存儲字節的快速訪問。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37

CH32V103基礎教程27-DMA (存儲器到外設)

。關于DMA存儲器到外設傳輸方式,程序中,首先定義一個靜態的源數據,存放在內部 FLASH中,然后通過DMA的方式傳輸到串口的數據寄存,然后通過串口把這些數據發送到電腦的上位機顯示出來。
2023-04-20 16:35:13

應用于電力監測儀中的存儲鐵電存儲器PB85RS2MC

PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元,對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛,無污染。
2023-04-20 11:29:57224

一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462541

CH32V103基礎教程13-DMA(存儲器存儲器

本章教程講解DMA存儲器存儲器模式。存儲器存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中,首先定義一個靜態的源數據,存放在內部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上(內部SRAM),最后對比源數據和目標地址的數據,判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08

IMX6UL如何從安全存儲 (SNVS) 讀取或寫入?

我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中,我們需要將安全數據(例如密鑰)存儲在安全存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45

求助,如何使用密鑰生成CMAC?

我想用密鑰獲取CMAC值(僅驗證甚至可以)。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后,我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32

MRAM實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

具有,即使切斷電源,信息也不會丟失,而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優勢?

據保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩定的制造業供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8MbRAM,組織為512kx16,采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11

如何通過與隨機持久處理寄存進行異或來保護瞬態對稱密鑰?

我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理寄存(保證在重啟時歸零)對它們進行異或,我在重啟時將其設置為隨機數。(這與寄存
2023-03-23 07:07:21

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