存儲(chǔ)器 - 模塊 DDR4 SDRAM 16GB 模塊
2024-03-14 20:16:55
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:03
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:34
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:44
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS65295完整 DDR4 存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-06 10:17:54
0 TC364 微控制器是否支持外部存儲(chǔ)器?
根據(jù)我的閱讀,外部總線接口用于外部存儲(chǔ)器。 在該微控制器的數(shù)據(jù)手冊(cè)中,我看到外部總線為 0。
2024-03-04 06:13:37
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存(即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《存儲(chǔ)器接口產(chǎn)品手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-29 09:31:17
0 ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸?
2024-01-15 07:43:09
DDR5已經(jīng)開始商用,但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比, 它的速度大幅提升,最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號(hào),對(duì)信號(hào)完整性的要求就更加嚴(yán)格,JESD79‐4 規(guī)范也對(duì) DDR4 信號(hào)的測(cè)量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24
463 
EMIF:External Memory Interface外部存儲(chǔ)器接口。可實(shí)現(xiàn)DSP與不同類型存儲(chǔ)器(SRAM、Flash、DDR等)的連接。
2023-12-14 18:14:31
857 
通過在時(shí)鐘上升沿和下降沿的同時(shí)傳輸數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)SDRAM更高的傳輸速率。目前,市場(chǎng)上主要有DDR、DDR2、DDR3、DDR4等幾代DDR內(nèi)存。
2023-12-11 09:27:49
320 ,其中 FTC664 核主頻可達(dá) 1.8GHz,F(xiàn)TC310 核主頻可達(dá) 1.5GHz。
板載 64 位 DDR4 內(nèi)存,有 2G 和 4G 兩個(gè)版本,支持 SD 或者 eMMC 外部存儲(chǔ)。主板板載
2023-12-10 21:27:03
PCB的DDR4布線指南和PCB的架構(gòu)改進(jìn)
2023-12-07 15:15:58
753 DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種高帶寬的存儲(chǔ)器,今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過程中,DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:10
1470 
對(duì)于ddr5市場(chǎng)的發(fā)展,威剛表示,現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨,主要來自pc,隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高,明年上半年ddr5將超過ddr4,形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場(chǎng)上,ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%,從威強(qiáng)的情況來看,ddr5比重的上升有助于總利潤(rùn)率。
2023-11-24 10:38:38
217 Synopsys, Inc.11月8日宣布擴(kuò)展其 ARC處理器 IP 產(chǎn)品組合,納入新的RISC-V ARC-V 處理器 IP,使客戶能夠從各種靈活、可擴(kuò)展的處理器選項(xiàng)中進(jìn)行選擇
2023-11-09 12:41:33
468 單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間,其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少?
2023-11-01 06:20:34
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:00
3885 大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了啊??AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明,各位高手有誰知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25
。美光 1β DDR5 DRAM 可擴(kuò)大運(yùn)算能力,并以更高性能輔佐資料中心及客戶端平臺(tái),支持 AI 訓(xùn)練及推論、生成式 AI、資料分析、存儲(chǔ)器資料庫(kù)等。全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品在現(xiàn)有模組化密度中,速率可達(dá) 4800MT/s 至 7200MT/s,適用于資料中心及客戶端應(yīng)用。
2023-10-19 16:03:00
387 存儲(chǔ)器測(cè)試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ,MICRON/美光,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM(LPDDR4X)是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
做高速鏈路的小伙伴都知道,Stub總是會(huì)帶來各種影響,或者導(dǎo)致阻抗突變,或者導(dǎo)致插入損耗曲線上存在諧振,等等。本文介紹了Via stub在DDR4并行鏈路上的表現(xiàn)。下面是論文的全文。
2023-10-09 10:35:30
321 
DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之,是更高速率,更低電壓,更密的存儲(chǔ)密度,從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00
488 
自舉程序存儲(chǔ)在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲(chǔ)器(系統(tǒng)存儲(chǔ)器)中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過一種可用的串行外設(shè)(USART、CAN、USB、I2C 等)將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
摘要:本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購(gòu)買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:10
1088 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn),表示其頻率值,具有以下差異
2023-09-26 15:24:18
8974 如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡,這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:44
1481 
主要專注于DDR4市場(chǎng)的公司,如南亞科(2408)和華邦電(2344),有望從中受益。 在上半年,由于存儲(chǔ)市場(chǎng)不景氣,三星已經(jīng)采取了減產(chǎn)措施,涵蓋了NAND Flash和DRAM領(lǐng)域。下半年,三星計(jì)劃繼續(xù)減產(chǎn)DRAM,特別是DDR4,以期在今年年底之前將DDR4存貨水平調(diào)
2023-09-15 17:42:08
996 。 而接口IP則是接口芯片的靈魂,包括USB、PCIe、DDR、SATA、D2D等,應(yīng)用較多的為USB、DDR、PCIe、MIPI和以太網(wǎng)IP。 本期推文簡(jiǎn)要地盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)做接口芯片和接口IP的企業(yè),如以下名錄有所遺漏,歡迎留言補(bǔ)充。 審核編輯 黃宇
2023-09-15 16:00:15
488 
隨著英特爾和amd將新的pc/筆記本電腦和服務(wù)器平臺(tái)更換為ddr4, ddr4的需求開始減少。因此,三星大幅減少ddr4的生產(chǎn),轉(zhuǎn)向ddr5,試圖鞏固業(yè)界第一的位置。
2023-09-15 11:40:33
555 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于超大規(guī)模架構(gòu)的FPGA存儲(chǔ)器IP.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 17:31:54
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Teledyne e2v的宇航級(jí)DDR4的硬件設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 17:14:55
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于PDN共振峰的最壞情況數(shù)據(jù)模式分析電源完整性對(duì)FPGA DDR4存儲(chǔ)器接口中的信號(hào)完整性的影響.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 09:56:49
0 本參考手冊(cè)面向應(yīng)用程序開發(fā)人員。它提供了關(guān)于如何使用STM32G4系列微控制器存儲(chǔ)器和外圍設(shè)備。
STM32G4系列是一系列具有不同內(nèi)存大小和封裝的微控制器以及外圍設(shè)備。
有關(guān)訂購(gòu)信息、機(jī)械
2023-09-08 06:59:58
瀾起科技還介紹說,根據(jù)存儲(chǔ)接口芯片的價(jià)格規(guī)律,一般來說,新一代產(chǎn)品由于技術(shù)和性能升級(jí),其起銷價(jià)格會(huì)比上一代有所提高,上一代產(chǎn)品的售價(jià)會(huì)逐漸降低。為了保持存儲(chǔ)接口芯片產(chǎn)品的平均售價(jià),使用了持續(xù)的重復(fù)世代。與ddr4代相比,ddr5內(nèi)存接口芯片的初期銷售價(jià)格大幅上漲。
2023-09-07 14:43:34
705 DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格,它們?cè)谛阅苌蠒?huì)有一定的差別,但差別大小取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:05
28253 庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成,以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
上期和大家聊的電源PCB設(shè)計(jì)的重要性,那本篇內(nèi)容小編則給大家講講存儲(chǔ)器的PCB設(shè)計(jì)建議,同樣還是以大家最為熟悉的RK3588為例,詳細(xì)介紹一下DDR模塊電路的PCB設(shè)計(jì)要如何布局布線。由于
2023-08-18 08:09:43
384 
技術(shù),每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù),因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20
413 
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
使用DDR4作為外接存儲(chǔ)單元時(shí),蜂鳥e203的訪問地址為0x40000000,但是經(jīng)過vivado的Block design后使用DDR4,在板子上跑測(cè)試DDR4讀寫程序,報(bào)store訪問異常
2023-08-11 06:17:58
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:25
12794 CoreLink DDR2動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器(DMC-341)技術(shù)參考手冊(cè)
2023-08-02 15:28:28
(SMC)。AHB MC有四個(gè)可訪問外部存儲(chǔ)器的AHB端口。每個(gè)AHB端口都有一個(gè)到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。
2023-08-02 14:51:44
PrimeCell靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器(SMC)是一款符合高級(jí)微控制器總線架構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備,由ARM有限公司開發(fā)、測(cè)試和許可。
SMC是一個(gè)AMBA從模塊,連接到高級(jí)高性能
2023-08-02 12:21:46
內(nèi)存設(shè)備:
?雙倍數(shù)據(jù)速率3(DDR3)SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4(DDR4)SDRAM
2023-08-02 08:30:00
可訪問外部存儲(chǔ)器的AHB端口。AHB端口具有到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC(PL241)配置
2023-08-02 07:14:25
(SMC)。AHB MC有四個(gè)可訪問外部存儲(chǔ)器的AHB端口。每個(gè)AHB端口都有一個(gè)到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC(PL242)配置
2023-08-02 06:26:35
IP 業(yè)務(wù)達(dá)成最終協(xié)議,Rambus 是首屈一指的芯片和硅 IP 提供商,致力于提高數(shù)據(jù)速率和安全性。Rambus 將保留其數(shù)字 IP 業(yè)務(wù),包括存儲(chǔ)器和接口控制器以及安全 IP。通過擬定的此次技術(shù)
2023-07-28 17:11:51
988 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:47
0 DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù),中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:10
3362 
可編程控制器的存儲(chǔ)器由只讀存儲(chǔ)器ROM、隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM和可電擦寫的存儲(chǔ)器EEPROM三大部分構(gòu)成,主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。
2023-07-11 14:26:42
1719 本文旨在呈現(xiàn)使用 DDR4、LPDDR4 或 LPDDR4X 存儲(chǔ)器控制器的 Versal ACAP 器件的外部參考時(shí)鐘電路要求
2023-07-10 16:02:23
814 
易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28
873 注意,這里的DDR指的是Double Data Rate,雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲(chǔ)器系列的東西。
2023-06-16 10:22:06
781 
視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù),F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲(chǔ)資源無法滿足存儲(chǔ)需求,因此需要配置外部存儲(chǔ)器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比,DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電,能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求,因此
2023-06-08 03:35:01
1024 1 – DDR3 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-3F 狀態(tài)圖和圖 2 – DDR4 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-4 狀態(tài)圖所示。
2023-05-26 18:02:27
995 
在單板設(shè)計(jì)中,無論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì):
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下:
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲(chǔ)器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓器以及一路基準(zhǔn)緩沖器,能夠產(chǎn)生
2023-05-17 09:48:45
我有一塊自制的imx8mp主板,使用DDR4的型號(hào)是:K4ABG165WA-MCWE,單片容量32Gb,主頻3200Mhz,我的主板使用了兩顆芯片,但是使用MX8M_Plus_DDR4_RPA_v9.xlsx無法完成配置
2023-05-17 06:12:25
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56
DWC2即新思(Synopsys )的DesignWare? Cores USB 2.0 HiSpeed On-The-Go (OTG)控制器IP,被大量使用。從linux的內(nèi)核源碼驅(qū)動(dòng)中就帶DWC2的驅(qū)動(dòng)(新思官方維護(hù)),可以看出其使用的非常多。
2023-05-09 10:09:52
5594 
DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC,則為72位通道)。相比之下,DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:44
1331 我們有一個(gè)帶有連接到 LS1046A 的 DDR4 內(nèi)存 (DDR4T04G72) 的定制板,目前正在為 DDR 控制器進(jìn)行配置。目前我們對(duì)為什么我們甚至沒有啟動(dòng)和運(yùn)行 DDR 時(shí)鐘 (MCK0
2023-05-06 08:20:49
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21
我有 LS1046AFRWY 板的克隆。高速公路板使用 MT40A512M16JY-083E:B(商業(yè)級(jí)DDR4)。我的克隆使用 MT40A512M16JY-083E IT:B(工業(yè)級(jí) DDR4
2023-04-24 08:08:20
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
NXP IMX8M Mini DDR4 校準(zhǔn)
2023-04-20 07:36:55
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
........................... 62.3 DDR4 接口原理圖.................72.4 兼容的 JEDEC DDR4 器件
2023-04-14 17:03:27
........................................5圖 5-2. 使用 LP873364 為支持 DDR4 存儲(chǔ)器的 AM64x 供電
2023-04-14 16:40:42
配給一個(gè)內(nèi)核以簡(jiǎn)化軟件任務(wù)分區(qū)? DDR 子系統(tǒng) (DDRSS)– 支持 LPDDR4、DDR4 存儲(chǔ)器類型– 具有內(nèi)聯(lián) ECC 的 16 位數(shù)據(jù)總線– 支持高達(dá) 1600MT/s 的速度片上系統(tǒng)
2023-04-14 15:42:08
。 二、主要規(guī)格●板載主處理器XCKU060-2FFVA1156I;●兩組 64Bit DDR4 SDRAM,每組容量 2GB;●FPGA采用BPI 加載模式●FMC 接口提供20對(duì)GTH和LA信號(hào)
2023-04-13 15:56:21
存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
除了SPI這種串行接口比較受存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)廠商的歡迎,還有比如由samsung和toshiba設(shè)計(jì)的Toggle NAND Interface,也被稱為 Asynchronous DDR NAND
2023-04-04 15:16:19
764 
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
你能告訴我在哪里可以獲得 i.MX8M Plus 的詳細(xì) DDR4 布局跟蹤路由指南嗎?我在 i.MX8M Plus 硬件開發(fā)人員指南中找不到它。順便問一下,NXP 有帶 DDR4 的 i.MX8M Plus 評(píng)估板嗎?
2023-03-31 07:52:02
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:43
1551 
評(píng)論