芯片。技術開始變得民主化、大眾化，世界從此變得不一樣了。
半導體的第三個時代——代工
從本質上來看，第三個時代是第二個時代成熟的必然結果。集成電路設計和制造的所有步驟都開始變得相當具有挑戰性。建立起
2024-03-13 16:52:37
近日，全球知名的半導體解決方案供應商意法半導體（STMicroelectronics）宣布推出兩款全新的近距離無線點對點收發器芯片——ST60A3H0和ST60A3H1。這兩款產品的推出，標志著電子
2024-03-12 11:00:10
215 想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
描述Qorvo的TGA2595是一款平衡Ka波段功率放大器，采用Qorvo的0.15 um GaN on SiC工藝制造。平衡配置支持低回波損耗，并提高了對非理想負載的魯棒性。工作頻率范圍為27.5
2024-03-06 15:52:16
描述Qorvo的TGA2594是一款Ka波段功率放大器，采用Qorvo的0.15um GaN on SiC工藝制造。工作頻率范圍為27至31GHz，可實現5W飽和輸出功率和28% PAE效率，以及
2024-03-06 15:49:24
描述Qorvo的TGA2565-SM是一款中等功率可變增益放大器，可用作線性Ka頻段應用中的驅動放大器。TGA2565-SM的工作頻率為11至17 GHz，采用Qorvo的pHEMT生產工藝
2024-03-06 15:40:34
描述Qorvo的TGA2535-SM是一款X波段封裝功率放大器。TGA2535-SM的工作頻率為10至12 GHz，采用Qorvo的power pHEMT生產工藝設計。TGA2535-SM通常在20
2024-03-06 15:38:23
—— 芯片百科 ——描述Qorvo的TGA2527-SM是一款Ku波段封裝功率放大器。TGA2527-SM的工作頻率為12.5至15.5 GHz，采用Qorvo的power pHEMT生產工藝
2024-03-06 15:35:13
，GaN-on-SiC具有更加優異的性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。CMPA1D1E025 選用 10 導線；25 mm x 9.9 mm；金屬/陶瓷
2024-02-27 14:09:50
芯片是指將集成電路（Integrated Circuit，簡稱IC）技術用于制作電子元器件的一種載體，它通常由一塊或多塊半導體薄片構成。芯片是現代電子技術的基礎，被廣泛應用于計算機、通信、家電、汽車
2024-01-30 09:54:21531 新聲半導體是一家專業從事通信領域半導體濾波器芯片和射頻模組產品研發生產制造的高科技公司，產品主要應用于無線通訊終端市場。
2024-01-23 13:58:01272 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
，改善光信號傳輸性能。 SOA的增益特性取決于其結構設計、工作模式和半導體材料等因素。根據工作波長、增益帶寬和增益特性的不同，SOA可以分為多個增益波段。下面將詳細介紹SOA的幾個常見增益波段。 C波段增益波段：C波段覆蓋了1530nm到1570nm的范圍，適用于光通信中常用的C波段
2024-01-17 11:07:06232 今天，我們榮幸地為您推薦TriQuint的TGA2595平衡Ka波段功率放大器，一款專為苛刻應用而設計的杰出產品。TGA2595采用TriQuint的0.15 um GaN on SiC工藝制造
2024-01-14 22:09:23
TGA2622-SM：高性能X波段放大器，滿足脈沖應用需求華灃恒霖電子，作為業界領先的芯片貿易商，深知在高端應用領域，對于高性能、高可靠性的功率放大器的需求日益增長。今天，我們非常榮幸地為您
2024-01-14 21:40:44
TGA2622-SM：高性能X波段放大器，滿足脈沖應用需求華灃恒霖電子，作為業界領先的芯片貿易商，深知在高端應用領域，對于高性能、高可靠性的功率放大器的需求日益增長。今天，我們非常榮幸地為您
2024-01-14 16:39:06
)于1月9日宣布推出用于量產感知雷達的準量產芯片組。該芯片組由三個芯片組成:發射器、接收器和處理器,這標志著Arbe的首個高通道陣列“大規模MIMO”成像雷達芯片組解決方案誕生,將為汽車行業提供較高的性能,進一步助力道路安全。Arbe目前已經完成預認證測試,正在接受車規級AEC-Q100認證
2024-01-10 09:35:04183 RT-thread IDE是否支持HC32L072，也就是小華半導體的芯片？如果支持，哪位好心人發的芯片支持包
2024-01-04 15:21:25
后，這些芯片也將被同時加工出來。
材料介質層參見圖3，芯片布圖上的每一層圖案用不同顏色標示。對應每一層的圖案，制造過程會在硅晶圓上制做出一層由半導體材料或介質構成的圖形。本文把這些圖形層稱之為材料介質
2024-01-02 17:08:51
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優異
2024-01-02 12:05:47
氮化鎵半導體芯片（GaN芯片）和傳統的硅半導體芯片在組成材料、性能特點、應用領域等方面存在著明顯的區別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先，氮化鎵半導體芯片和傳統的硅半導體芯片的組成
2023-12-27 14:58:24424 芯片和半導體有什么區別? 芯片和半導體是信息技術領域中兩個重要的概念。在理解它們之前，我們需要首先了解什么是半導體。 半導體是一種介于導體和絕緣體之間的材料。在半導體中，電流的傳導主要是由電子和空穴
2023-12-25 14:04:451456 FLK017XP型號簡介Sumitomo的FLK017XP芯片是一種功率砷化鎵場效應管，設計用于Ku頻段的通用應用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna嚴格的質量保證計劃確保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45
FSX027X型號簡介Sumitomo的FSX027X是一種通用砷化鎵場效應管，設計用于介質高達12GHz的電源應用。這些設備具有廣泛的動態適用于中功率、寬帶、線性驅動放大器或振蕩器。Eudyna
2023-12-19 11:48:16
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
根據不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
TGA4536-SM是一種帶集成功率檢測器的K波段功率放大器。TGA4536-SM的工作頻率為24.2-26.5GHz，采用TriQuint的power pHEMT生產工藝
2023-11-10 09:53:01
TGA2237-SM是一款寬帶分布式放大器，采用TriQuint公司的SiC工藝生產0.25um GaN。TGA2237-SM的工作頻率為0.03–2.5GHz，提供大于10W的飽和
2023-11-10 09:50:21
TGA2595是一款基于TriQuint公司的0.15um GaN-on-SiC工藝制作的平衡Ka波段功率放大器。平衡配置支持低回波損耗，提高了對非理想負載的魯棒性。工作在27.5～31ghz，達到
2023-11-10 09:48:06
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
電子發燒友網站提供《Ka波段基片集成波導帶通濾波器的設計.pdf》資料免費下載
2023-10-25 11:18:32
0 電子發燒友網站提供《一種橫向Ka波段寬帶波導-微帶探針過渡的設計.pdf》資料免費下載
2023-10-23 14:11:432 本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體芯片的制作和半導體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
·技術論壇 — 超過30場分論壇，內容圍繞電源與能源、電機控制和自動化應用·主題演講 — 超過25場主題演講，ST及合作伙伴的企業高管分享半導體前沿資訊及相關工業策略
▌三大行業應用·電源與電能：擁有廣泛
2023-09-11 15:43:36
，在半導體芯片制造過程中，需要保證高質量和高效率，而真空環境的應用在半導體芯片制造中已然成為了必須進行的環節。 半導體芯片有兩個主要的制造過程，一個是前期的光刻和沉積，另一個是晶圓清洗和烘干。在這兩個制造過程中，真空
2023-09-07 16:04:271038 ASR6505是一種通用的LoRa無線通信芯片組，集成了LoRa無線電收發器、LoRa調制解調器和一個8位CISC MCUASR6505是基于STM 8位MCU與SX1262 的SiP芯片，相對于
2023-08-30 15:34:19
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
以玻璃封裝材料和玻璃通孔技術為基礎，提出一種新的Ka波段(33 GHz)濾波封裝天線(FPA)，該天線具有寬頻帶和高濾波響應特點。
2023-07-06 11:00:26381 
鎵器件大約在2015年推出市場，與具有相同導通電阻和額定電壓的硅功率MOSFET相比，其價格更低 。從那時起，產量繼續提升、氮化鎵器件的價格持續下降、氮化鎵技術不斷改進和芯片進一步更小化。下圖顯示了
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
半導體芯片是如何封裝的？這是一個很好的問題。半導體芯片通常需要被封裝起來才能使用。封裝工藝的目標是將裸露的芯片保護起來，同時連接它們到外部引腳，以便于在電路板等設備中使用。
2023-06-21 14:33:561349 采用GaNFast?功率半導體的高效有源箝位反激變換器的設計考慮
2023-06-21 06:24:22
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
芯和半導體于2023年6月13日在圣地亞哥開幕的IEEE MTT國際微波展上，正式發布其射頻EDA解決方案2023版本及宣傳片。通過差異化的芯片-封裝-系統EDA工具和大規模量產驗證的集成無源器件
2023-06-17 15:08:21701 通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
行業標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
，是復旦大學微電子學院博士、復醒科技創始人&CEO、芯千同集成電路有限公司CEO、上海市新銳創業企業獎獲者、上海市互聯網+大賽銅獎獲得者。他致力于打造半導體行業產學融合數字化平臺，平臺
2023-06-01 14:52:23
最近在研究一個無人機電池管理系統，RDDRONE-BMS772。文檔中關于電池平衡的內容不清楚——芯片組是內置 FET 還是只是驅動器？
2023-06-01 07:23:40
ASR6505是基于STM 8位MCU的無線通信芯片組
ASR6505是一種通用的LoRa無線通信芯片組，集成了LoRa無線電收發器、LoRa調制解調器和一個8位CISC MCU
ASR6505
2023-05-31 10:04:08
GaAs的靈敏度比Si材料高1個數量級、溫漂小1個數量級，是優異的線性磁傳感霍爾材料。芯片特征：● 砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾效應IC● 單電源：VDD 3
2023-05-31 10:02:47
、新能源汽車、智能電網、5G通信射頻等市場的發展，具有較大的發展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導體材料的應用，半導體分立器件市場逐步向高端應用市場推進。隨著我國分立器件企業產品
2023-05-26 14:24:29
標準化。半導體芯片PCT老化試驗箱安全裝置：1、鍋內安全裝置：鍋門若未關緊則機器無法啟動。2、安全閥：當鍋內壓力超過大工作值自動排氣泄壓。3、雙重過熱保護裝置：當鍋
2023-05-26 10:52:14
第95期什么是寬禁帶半導體？半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673 
半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226166 
TGA2976-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2976-SM 是一款寬帶共源共柵放大器，可提供出色的寬帶性能并支持 40-50V 操作。TGA2976-SM 的工作頻率范圍為 0.1 - 3.0
2023-05-04 12:03:10
TGA2975-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2975-SM 是一款封裝的 MMIC 功率放大器，工作頻率范圍為 2.7 至 3.5 GHz。TGA2975-SM 通常提供超過 41 dBm
2023-05-04 11:54:44
TGA2830-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2830-SM 是一款封裝的 MMIC 功率放大器，工作頻率范圍為 2.7 至 3.5 GHz。TGA2830-SM 通常提供超過 42.5 dBm
2023-05-03 13:28:06
TGA2817-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2817-SM 是一款覆蓋 2.9-3.5 GHz 的高功率 S 波段放大器，TGA2817-SM 提供 > 48 dBm 的飽和輸出功率
2023-05-03 10:18:48
TGA2813-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2813-SM 是一款封裝的高功率 S 波段放大器，工作頻率范圍為 3.1 至 3.6 GHz。TGA2813-SM 通常提供大于 100 W
2023-05-03 10:09:47
TGA2753-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2753-SM 是一款具有集成功率檢測器的 C 波段功率放大器。TGA2753-SM 的工作頻率為 5.9 - 7.1 GHz，采用 Qorvo
2023-05-02 19:45:45
TGA2583-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2583-SM 是一款封裝的 MMIC 功率放大器，工作頻率范圍為 2.7 至 3.7 GHz。TGA2583-SM 采用 Qorvo 生產
2023-05-02 19:20:25
TGA2307-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2307-SM 是一款封裝功率放大器，采用 Qorvo 生產的 0.25um GaN on SiC 工藝制造。TGA2307-SM 的工作頻率為
2023-05-02 18:07:51
TGA2237-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2237-SM 是一種寬帶分布式放大器，采用 Qorvo 生產的 0.25um GaN on SiC 工藝制造。TGA2237-SM 的工作頻率范圍
2023-05-02 17:09:22
TGA4533-SM產品簡介Qorvo 的 TGA4533-SM 是一款 K 波段功率放大器。TGA4533-SM 的工作頻率范圍為 21.2 至 23.6 GHz，采用 Qorvo 的功率
2023-04-23 12:24:40
TGA4532-SM產品簡介Qorvo 的 TGA4532-SM 是一款 K 波段功率放大器。TGA4532-SM 的工作頻率范圍為 17.7 至 19.7 GHz，采用 Qorvo 的功率
2023-04-23 12:18:42
)。TGA3042-SM 的工作頻率為 7 – 10.5 GHz，通常提供 4.5 W 飽和輸出功率，功率附加效率為 38.5%，大信號增益為 23.5 dB。這種寬帶性能的組
2023-04-23 11:01:24
GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 生產工藝設計。TGA2760-SM 通常提供 42 dBm 的飽和輸出功率和 33 dB 的小信號增益。TG2752-SM
2023-04-23 10:44:18
TGA2752-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2752-SM 是一款具有集成功率檢測器的 C 波段功率放大器。TGA2752-SM 的工作頻率為 7.1 – 8.5 GHz，采用 Qorvo
2023-04-23 10:37:42
TGA2704-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2704-SM 是一種高功率放大器封裝，采用 Qorvo 的生產 0.25um pHEMT GaAs 工藝制造。TGA2704-SM 的工作頻率為
2023-04-23 10:30:38
TGA2624-SM 產品簡介Qorvo 的 TGA2624-SM 是一款封裝的高功率 X 波段放大器，采用 Qorvo 生產的 0.25um GaN on SiC 工藝制造
2023-04-21 13:39:56
TGA2622-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2622-SM 是一款封裝的高功率 X 波段放大器，采用 Qorvo 生產的 0.25um GaN on SiC 工藝制造。TGA2622-SM
2023-04-21 13:13:36
TGA2621-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2621-SM 是一款封裝的 Ku 波段功率放大器，采用 Qorvo 的 TQPHT15 0.15 um GaAs pHEMT 工藝制造
2023-04-21 13:00:49
TGA2535-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2535-SM 是一款 X 波段封裝功率放大器。TGA2535-SM 的工作頻率范圍為 10 至 12 GHz，采用 Qorvo 的功率 pHEMT
2023-04-21 12:19:57
TGA2533-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2533-SM 是一款 Ku 波段封裝功率放大器。TGA2533-SM 的工作頻率范圍為 12.5 至 15.5 GHz，采用 Qorvo 的功率
2023-04-21 12:10:36
TGA2524-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2524-SM 是一款 Ku 波段功率放大器。TGA2524-SM 的工作頻率范圍為 12 至 16 GHz，采用 Qorvo 的功率 pHEMT
2023-04-21 11:53:27
各種毫米波應用，包括點對點數字無線電和其他 K 波段線性增益應用。TGA2521-SM 在 17 - 24 GHz 范圍內以 1 dB 壓縮提供 23.5 dBm
2023-04-21 11:44:11
TGA2218-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2218–SM 是一款封裝的 Ku 波段、高功率 MMIC 放大器，采用 Qorvo 生產的 0.15um GaN on SiC 工藝制造
2023-04-20 12:20:06
SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開關 DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關
2023-04-18 15:19:22
MASW2040砷化鎵MACOM 的 MASW2040 是一款 GaAs MMIC DPDT 開關芯片。MASW2040 非常適用于需要低功耗的場合。典型應用包括無線電和蜂窩
2023-04-18 11:31:22
MASW6030G砷化鎵MACOM 的 MASW6030G 是一款 GaAs MMIC DPDT 開關芯片。MASW6030G 非常適用于需要低功耗的場合。典型應用包括發送/接收切換、切換矩陣和切換
2023-04-17 17:06:13
TGA2731-SM產品簡介Qorvo 的 TGA2731-SM 是一款適用于 S 波段應用的驅動放大器。TGA2731-SM 的工作頻率范圍為 2.7 至 4.0 GHz，提供 > 30.7
2023-04-16 14:00:12
制造產業的轉移、下游行業需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導體分立器件行業已經進入快速發展通道。目前，我國已經成為全球重要的半導體分立器件制造基地和全球最大的半導體分立器件市場，根據中國半導體行業協會
2023-04-14 13:46:39
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