電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 14:11:23
0 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NCE N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET NCE3010S數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-24 11:06:590 功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。
2024-01-19 15:31:54218 功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
。按導(dǎo)電溝道功率MOSFET可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:43112 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 , 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 閾值電壓（Vth）：0.8~2.5V- 封裝：SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介：PV600BA-VB是一款N溝道MOSFET，適用于多種電
2023-12-14 11:43:03
小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N溝道MOSFET截止，電感電流下降，電感中的能量轉(zhuǎn)移到電池中。當(dāng)電感電流下降到外部電流檢測(cè)電阻設(shè)置的下限時(shí)，外置N溝道MOSFET再次導(dǎo)通，如此循環(huán)。當(dāng)BAT管腳電壓第一次達(dá)到內(nèi)部設(shè)置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 15:11:290 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片SOP8，原裝現(xiàn)貨 半橋柵極動(dòng)心片.半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一種用于驅(qū)動(dòng)半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
型晶體管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動(dòng)電壓的不同，可以分為N溝道-增強(qiáng)型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強(qiáng)型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關(guān)和放大電路中，可以控制電流流動(dòng)并放大信號(hào)。
2023-11-03 14:56:23293 
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 型號(hào) IRF830A絲印 VBM16R08品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類型 N溝道 額定電壓 600V 額定電流 8A RDS(ON) 780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4.5V
2023-11-01 10:04:19
－通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機(jī)電路板尺寸－ ? 中國(guó)上海， 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品，適用于空調(diào)、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
汽車電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測(cè)、控制和保護(hù)功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中。現(xiàn)在在最低功率級(jí)別，MOSFET可以與功率器件上的感測(cè)元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
從事半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與銷售。目前公司主要產(chǎn)品包括：12V-200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V-300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V-900V超結(jié)功率
2023-10-16 11:00:14
的隔離電源。
VPS8702內(nèi)部集成兩個(gè)N溝道功率MOSFET和兩個(gè)P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內(nèi)部集成振蕩器提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)，能有效確保兩路功率MOSFET驅(qū)動(dòng)的高度對(duì)稱性
2023-10-12 10:23:07
1~~2W的隔離電源。
VPS8701B內(nèi)部集成兩個(gè)N溝道功率MOSFET和兩個(gè)P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內(nèi)部集成振蕩器提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)，能有效確保兩路功率MOSFET驅(qū)動(dòng)
2023-10-12 10:04:51
、輸出功率1~2W的隔離電源。
VPS6501芯片內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在工作過程發(fā)生偏磁。芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有高精度的死區(qū)控制電路確保在各種工作條件下不出現(xiàn)共通現(xiàn)象。
2023-10-12 09:52:32
、輸出功率1~~3W的隔離電源。
VPS8505芯片內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在
2023-10-12 09:49:26
、輸出功率13W的隔離電源。
VPS8504C內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免電路在工作
2023-10-12 09:43:02
VPS8504N是一款專門為小體積、低待機(jī)功耗微功率隔離電源而設(shè)計(jì)的推挽式變壓器驅(qū)動(dòng)器，其外圍只需匹配簡(jiǎn)單的輸入輸出濾波電容、隔離變壓器和整流電路，即可實(shí)現(xiàn)3.3V或5V輸入、3.3V~~~~24V
2023-10-12 09:38:22
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2023-09-27 09:32:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模塊SPE10S60F-A（600V/10A）的波輪洗衣機(jī)控制方案，F(xiàn)U6813是一款集成電機(jī)控制引擎(ME)和8051內(nèi)核的高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用芯片，內(nèi)置高
2023-09-20 17:03:22
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2023-09-19 17:29:110 RACM600-L 系列 AC/DC 電源具有極高的市場(chǎng)知名度和性價(jià)比，該系列增加了 2 個(gè)新的版本，在現(xiàn)有 24V 輸出的基礎(chǔ)上，可提供 12 V 和 48 V 輸出。新產(chǎn)品的峰值功率高達(dá) 800 W。
2023-09-15 11:36:01593 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
和功率水平。這些快速恢復(fù)硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項(xiàng)，包括長(zhǎng)引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪?b class="flag-6" style="color: red">溝道，從側(cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。
2023-08-28 10:10:392920 
功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。
2023-08-25 10:07:56188 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
STF140N6F7內(nèi)容簡(jiǎn)介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET電子元器件，為廣泛的電壓范圍（30V至350V）應(yīng)用提供了卓越的解決方案。采用TO-220FP封裝，以其N溝道結(jié)構(gòu)
2023-08-21 16:34:33
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導(dǎo)通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
）二合一器件---R3T2FPHM3，為汽車應(yīng)用提供新型表面貼裝解決方案。Vishay General Semiconductor R3T2FPHM3采用氧化物平面芯片結(jié)設(shè)計(jì)和共陰極電路配置，將3 A，600 V標(biāo)準(zhǔn)整流器和200 W TRANSZORB? TVS組合在
2023-08-18 15:30:38475 
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要
2023-08-18 08:32:56513 
報(bào)告中介紹，隨著功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴(kuò)大，當(dāng)應(yīng)用在計(jì)算機(jī)和航空電子等領(lǐng)域中時(shí)，低導(dǎo)通壓降能夠縮小整機(jī)的冷卻系統(tǒng)，從而降低整機(jī)尺寸和成本，所以用戶對(duì)器件的導(dǎo)通電阻提出了更高的要求。
2023-08-09 16:21:36326 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:09:541 OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在 6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 1.5 A 最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-07-29 14:13:39
這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚(yáng)聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級(jí)使用6個(gè)N溝道MOSFET IRFP450，即可為您提
2023-07-28 17:04:191357 
供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:10:05
了 “R60xxVNx系列” （含7款機(jī)型）。 此外，高速開關(guān)型600V耐壓Super Junction MOSFET產(chǎn)品陣容中也新增了導(dǎo)通電阻更低的 “R60xxYNx系列” （含2款機(jī)型
2023-07-12 12:10:08437 及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
功率MOSFET的類型：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。當(dāng)柵極電壓為零時(shí)，有導(dǎo)電通道和增強(qiáng)型。對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)。
2023-07-04 16:50:23881 
。功率MOSFET的漏極之間有一個(gè)寄生二極管，當(dāng)漏極與反向電壓連接時(shí)，器件連接。功率MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)，有利于并聯(lián)器件時(shí)的均流。
2023-07-04 16:46:37975 
在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來既簡(jiǎn)單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計(jì)。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器
2023-06-21 09:21:57595 
Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級(jí) 200V、400V 和 600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤(rùn)濕側(cè)翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509 
（VLSI）設(shè)備采用的設(shè)計(jì)方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導(dǎo)體加工工藝。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)從70年代的初級(jí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號(hào)。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動(dòng)了功率
2023-06-17 14:24:52591 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30228 
PTS4842 N溝道高功率MOSFET規(guī)格書
PTS4842采用溝槽加工技術(shù)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻。并且切換速度快，傳輸效率提高。這些特征結(jié)合在一起，使這種設(shè)計(jì)成為一種適用于各種DC-DC應(yīng)用的高效可靠的設(shè)備。
2023-06-14 16:55:480 中國(guó)上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認(rèn)證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)的新型汽車級(jí)光伏 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
2023-06-08 19:55:02374 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認(rèn)證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達(dá) 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
ZXGD3114N7產(chǎn)品簡(jiǎn)介 DIODES 的 ZXGD3114N7 是一款 600V 有源 OR-ing MOSFET 控制器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)極低 RDS(ON) 功率 MOSFET 作為
2023-06-02 16:15:17
為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺(tái)，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15664 
，
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片其浮動(dòng)通道可
用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作電壓可達(dá) 700V。高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片采用
SOIC8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內(nèi)工作
2023-05-10 10:05:20
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
有助于配備小型電機(jī)的設(shè)備減少抗噪聲設(shè)計(jì)工時(shí)和部件數(shù)量，并降低功率損耗 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 1.5 A最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
OC5864 是一款內(nèi)置功率 MOSFET0.6A 的峰值輸出電流的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC58640.9Q 的內(nèi)部功率 MOSFET在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02
MRF171A RF MOSFET 系列 45W，150MHz，28V主要設(shè)計(jì)用于 30-200 MHz 的寬帶大信號(hào)輸出和驅(qū)動(dòng)級(jí)。 特征N 溝道增強(qiáng)型
2023-03-31 11:32:41
MRF275G RF MOSFET 系列 150W，500MHz，28V主要設(shè)計(jì)用于 100 – 500 MHz 的寬帶大信號(hào)輸出和驅(qū)動(dòng)級(jí)。 特征N 溝道
2023-03-31 11:27:29
的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V
2023-03-29 15:06:13
ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片，可兼容代換IR2104，應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動(dòng)
2023-03-29 09:24:35930 
600V N溝道MOSFET
2023-03-28 12:45:13
600V N溝道MOSFET
2023-03-28 12:45:13
600V N溝道MOSFET
2023-03-28 12:45:13
600V N溝道MOSFET
2023-03-28 12:45:06
600V N溝道MOSFET
2023-03-28 12:45:06
600V N溝道MOSFET
2023-03-28 12:44:57
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514
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