英飛凌科技發(fā)表新一代薄晶圓技術(shù)IGBT TRENCHSTOP 5 系列產(chǎn)品，其導(dǎo)通損失和切換損失均遠(yuǎn)低于目前的領(lǐng)導(dǎo)解決方案。透過這項突破性的產(chǎn)品，英飛凌為 IGBT 效能立下新標(biāo)竿，繼續(xù)在效率需求不斷提升的市場中保持領(lǐng)先地位。

　　新技術(shù)的崩潰電壓提高至 650V，讓設(shè)計擁有更高的安全余裕。目標(biāo)拓樸為 PFC （AC/DC） 升壓級和高電壓 DC/DC 拓樸，常見于光伏逆變器、不斷電系統(tǒng) （UPS） 和變頻焊接機(jī)具等應(yīng)用。

　　TRENCHSTOP 5 擁有兩個系列產(chǎn)品，一為 HighSpeed 5 （H5），這是一款使用方便的軟性 high speed IGBT，隨插即用可立即取代現(xiàn)有的 IGBT，大幅簡化設(shè)計時程。另一款為 HighSpeed 5 FAST （F5），提供業(yè)界最佳的效率；舉例來說，在使用「H4 全橋」拓樸的光伏逆變器應(yīng)用中，所測得的系統(tǒng)效率可達(dá)到 98% 以上。

　　英飛凌 IGBT 功率分離式元件行銷協(xié)理 Roland Stele 表示：「TRENCHSTOP 5 不僅讓 IGBT 的效能大幅躍進(jìn)，同時更改善系統(tǒng)效率、提高崩潰電壓，并提升可靠性，進(jìn)而降低整個平臺的系統(tǒng)成本。對于客戶來說，希望擁有一個具備上述所有優(yōu)點的解決方案，TRENCHSTOP 5 就是唯一的選擇。」

　　全新的 TRENCHSTOP 5 為各式目標(biāo)應(yīng)用提供了多項優(yōu)勢。與目前業(yè)界最佳的英飛凌 HighSpeed （H3） 系列相較，TRENCHSTOP 5 導(dǎo)通損失減少 10% 以上，整體的切換損失也降低 60% 以上。效率大幅提升，可降低操作時的接面溫度，提升使用壽命可靠度或功率密度設(shè)計。如應(yīng)用測試所顯示，TO-220 封裝的 TRENCHSTOP? 5 的零件溫度比 TO-247 封裝的 H3 低了15%。

　　其他優(yōu)勢還包括：飽和電壓 （Vce（sat）） 和關(guān)斷切換損失 （Eoff） 的正溫度係數(shù)，確保效能不致在高溫操作下衰減，并能輕易并聯(lián)。閘極電荷 （Qg） 比 H3 少了 2.5 倍，讓 IGBT的運作成本也更為降低。此外，TRENCHSTOP 5 具備快速回復(fù)特性的飛輪二極體，相對溫度穩(wěn)定的順向壓降 （VF），且反向恢復(fù)時間 （Trr） 少于 50 奈秒。低輸出電容（Coss 和 Eoss），可提供優(yōu)異的輕載效率，極適合最高額定值在 40% 以下運作為主的設(shè)計。

　　H5 和 F5 衍生產(chǎn)品將從 11 月中旬開始提供樣品。