電橋電路柵驅動器和MOSFET柵驅動器產品介紹
2024-03-19 09:43:36
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電子發燒友網站提供《雙高速MOSFET驅動器TPS2811-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:40:47
0 電子發燒友網站提供《帶驅動調節器的同步降壓MOSFET驅動器TPS2838/39/48/49數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:32:560 需要一個生態村，一個大生態村。為了幫助您理解一些首字母縮略詞，DCA 代表設計中心聯盟，VCA 代表價值鏈聚合器。
臺積電OIP
半導體一路走來，走到現在這個階段，是非常具有挑戰性和令人興奮的。臺積
2024-03-13 16:52:37
電子發燒友網站提供《雙高效同步MOSFET驅動器TPS51601A數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:07:200 榮湃半導體近日宣布推出其最新研發的Pai8265xx系列柵極驅動器，該系列驅動器基于電容隔離技術，集成了多種保護功能，專為驅動SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設計。這款產品的推出，標志著榮湃半導體在功率半導體領域的技術創新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 蓉矽半導體近日宣布，其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想問一下，半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
為了在空間受限的應用中實現高效、實時的嵌入式電機控制系統，MicrochipTechnologyInc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC數字信號控制器（DSC）的新型集成電機驅動器系列。該系列器件
2024-03-08 08:22:30114 
圣邦微電子推出 SGM48521Q，一款最小脈沖寬度為 1ns 的 5V、7A/6A 車規級低側 GaN 和 MOSFET 驅動器。
2024-03-07 10:36:27375 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
電子發燒友網站提供《輻射硬化全橋N溝道FET驅動器HS-4080AEH 數據表.pdf》資料免費下載
2024-02-19 09:59:160 CCS產品圖標準版 01、脈沖半導體激光管驅動器產品介紹 AeroDIODE的CCS是一款脈沖半導體激光管驅動器，工作波長為1064納米。它的輸出電流為0.8 - 2 A(連續)和1.5
2024-01-30 06:31:08144 
? AeroDiode的高速半導體激光管驅動器可生成任意波形脈沖，脈沖分辨率500 ps，動態范圍48dB。它帶有增益開關峰值抑制和3個同步的脈沖延遲發生器。 內置3個脈沖延遲發生器 該高速驅動器
2024-01-24 06:45:28100 
安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨特設計確保產品的卓越性能和可靠性，在國內領先的碳化硅晶圓代工廠流片，產能充裕，供應穩定，性價比高。
2024-01-20 17:54:00916 
MOSFET即金屬氧化物半導體場效應管，是電路設計中常用的功率開關器件，為壓控器件；其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，具備驅動電路簡單，驅動功率小，開關速度快，工作頻率高、熱穩定性高于GTR等優點
2024-01-09 10:22:43112 
場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。根據導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:152273 
電子設備中。與N溝道MOS管相比，P溝道MOS管的導電溝道由P型半導體材料構成，因此其導通條件與N溝道MOS管有所不同。本文將對P溝道MOS管的導通條件進行詳細介紹。 首先，我們需要了解P溝道MOS
2023-12-28 15:39:311083 場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。根據導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282843 
SIC MOSFET對驅動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅動器，新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04361 Ω @ 10Vgs- 閾值電壓（Vth）：3.5V- 封裝類型：TO252應用簡介：FQD6N40CTM-VB是一款高耐壓N溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），
2023-12-13 17:18:09
一、產品介紹 基于國內外新能源行業發展態勢，半導體應用市場持續擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器
2023-12-13 16:36:19131 
根據不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 基于國內外新能源行業發展態勢，半導體應用市場持續擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅動器提供驅動能力的來源，市場潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42211 
MOS結構加上一對背靠背的PN結，就構成一個MOSFET。如果MOS結構在零柵壓時半導體表面不是反型的，此時由于PN結的反向截止效果，源漏之間不會導通。當外加柵壓使半導體表面反型時，源漏之間就有
2023-11-30 15:54:49398 
Transistor（金屬氧化物半導體場效應管）的縮寫。它一般有耗盡型和增強型兩種。這里我們以增強型MOS為例分析。
場效應管是由源極，漏極，柵極組成，由于襯底的摻雜不同可分為N溝道和P溝道場效應管。（溝道
2023-11-28 15:53:49
解一下什么是溝道。溝道是在半導體材料中形成的電子流的通道。通過在材料中創建和控制溝道，我們能夠控制電流的流動，從而實現半導體器件的功能。在常見的場效應晶體管（Field-Effect Transistor, FET）中，溝道是連接源極和漏極的部分。 p溝道和
2023-11-23 09:13:422314 硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
在電力電子領域，為了最大限度地降低開關損耗，通常希望開關時間短。然而快速開關同時隱藏了高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，必須設計更高性能的開關驅動系統 。 目前，寬帶隙半導體
2023-11-17 18:45:01326 
型晶體管，它屬于電壓控制型半導體器件。根據導電溝道類型和柵極驅動電壓的不同，可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
電機是將電能轉換為機械能的裝置。它還可以被視為將能量從電源傳輸到機械負載的裝置。電機所在并使其旋轉的系統稱為驅動器，也稱為電力驅動器或電機驅動器。每種電機驅動器都具有獨特的特性，適用于不同的應用和性能需求。選擇適當的電機驅動器對于確保交通工具的性能和效率至關重要。
2023-11-04 11:30:00351 
致力于提供高品質芯片的國內優秀模擬及數模混合芯片設計商上海類比半導體技術有限公司(下稱“類比半導體”或“類比”)宣布推出重磅新品車規級智能高邊驅動HD7xxxQ系列。
2023-10-30 11:45:591426 
的前置驅動器。該設備可驅動多種 N 溝道的功率 MOSFET，支持的馬達供電電壓高達 30V。利用外部三個霍爾元件輸入信號實現 120°換相。其它功能包括固定關閉時間的脈寬調制（PWM）限制浪涌電流、可調
2023-10-27 09:30:29
圣邦微電子推出 SGM48521，一款 5V，7A/6A，脈寬 1ns 的低側 GaN 和 MOSFET 驅動器。 該 器件可應用于便攜式設備、智能手機、工業和醫療設備。 高速單通道低側驅動器
2023-10-18 15:45:01261 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 發現，像 Arduino 或樹莓派這樣的設備不能直接驅動重負載。在這種情況下，我們需要一個“驅動器”，也就是一個可以接受來自微控制器的控制信號，并且具有足夠功率來驅動負載的電路。在許多情況下，MOSFET
2023-10-16 09:19:231185 
使用安森美半導體制造的CAT4106集成多通道LED驅動器和高功率DC-DC轉換器，可以設計出非常簡單且高效的LED驅動器，適用于為總功率高達6瓦的背光應用供電。
2023-10-15 10:03:41922 
一個非常簡單的6通道低成本LED驅動器電子電路項目可以使用飛思卡爾半導體制造的MCP34845 LED驅動器進行設計。
2023-10-15 09:46:37361 
大部分驅動器都是脈沖控制，怎么通過電壓控制驅動器
2023-10-12 06:00:22
步進電機的半步驅動是由驅動器來設置的嗎
2023-10-11 06:52:18
本應用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機驅動設計。它描述了使用不同電壓應用的設計，以及自適應 MOSFET 柵極驅動器，這是驅動雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:00615 
電子發燒友網站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 09:32:500 電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 該調光控制LED驅動器電路采用LM3409P溝道MosFET控制器設計，用于降壓（降壓）電流調節器。
2023-09-16 17:19:00328 
STEVAL-IPMM15B 是一種緊湊型電機驅動電源板，配備 SLLIMM（小型低損耗智能成型模塊）第 2 系列模塊第 2 系列 N 溝道超結 MDmesh? DM2 快速恢復二極管
2023-09-13 07:17:29
近日，意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-12 09:01:31457 2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 供應AP2335 場效應管(MOSFET) SOT-23 絲印2335 P溝道 20V7A，是銓力半導體代理商，提供AP2335規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 16:24:490 數明半導體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級驅動器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅動，而SiLM8245可提供兩路獨立的驅動輸出。該驅動系列可提供
2023-08-15 15:07:47543 
隨著現代電子設備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態和動態性能參數,將助您的設計實現更高功率密度和轉換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
先楫半導體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
在電機驅動系統中，柵極驅動器或“預驅動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅動電機所需的大電流。在選擇驅動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關無源元件時，有很多需要考量的設計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導致實現方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:34807 
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅動器的D類功率音頻放大器的電路設計。 MD7120 用于驅動在 H 橋開關兩側運行的四個 N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉換器
2023-07-28 16:20:50801 
MIC5891鎖存驅動器是高電壓的，由八個組成的大電流集成電路CMOS數據鎖存器，用于通用頻閃和輸出啟用，以及雙極每個鎖存器的達林頓晶體管驅動器。雙極/MOS結構提供極低具有最大接口靈活性的電源閂鎖
2023-07-27 09:47:06
介紹
在設計電源開關系統（例如電機驅動器或電源）時，設計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器？以及哪種柵極驅動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 意法半導體STHV200超聲波IC單片集成線性驅動器、脈沖驅動器與鉗位電路、開關和診斷電路，可以簡化醫用和工業用掃描儀設計，縮減尺寸，降低物料成本。
2023-07-21 09:32:32172 2023年7月18日，中國——意法半導體 STHV200超聲波 IC單片集成線性驅動器、脈沖驅動器與鉗位電路、開關和診斷電路，簡化醫用和工業用掃描儀設計，縮減尺寸，降低物料成本。
2023-07-18 18:22:43341 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種場效應晶體管（FET），由三個端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因此MOSFET是一種電壓控制器件。施加在柵極
2023-07-07 10:13:352972 
在H橋電路中實現P溝道MOSFET可能看起來既簡單又誘人，但可能需要一些嚴格的計算和參數才能實現最佳響應。
2023-06-29 15:28:02957 
TFB0527是一個半橋式柵極驅動器，內部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝，使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-28 17:08:12
在這個設計中，我們看到了使用N溝道MOSFET實現BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
TFB0504是一個半橋式柵極驅動器，內部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝，使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-27 17:01:42
為滿足汽車市場對產品可靠性和安全性的需求，數明半導體近期推出車規級高壓、高速MOSFET/IGBT驅動芯片SiLM21814-AQ，該產品通過AEC-Q100認證。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 TF2184是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2184的高側能夠在引導
2023-06-25 16:25:20
點擊藍字?關注我們 SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產生電流，必須在基極端子和發射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556 
這是使用單個N溝道MOSFET的直流電機驅動器電路。在該電路中，直流電機繼續沿一個方向運行，直到按下開關時它的方向反轉。該電路可在不同項目中用作電機驅動器。事實上，它只需要很少的組件，并且可以很容易
2023-06-18 11:14:54512 
? 5月， SNEC第十六屆（2023）國際太陽能光伏與智慧能源大會 在上海新國際博覽中心重磅舉行。基本半導體攜旗下 第二代碳化硅MOSFET系列新品 ，以及全系 汽車級碳化硅功率模塊 、 碳化硅
2023-05-30 16:33:36502 日：基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET (ASFET) 新產品組合，重點發布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 MOSFET 等類型；從技術發展趨勢看，采用制程復雜芯片工藝以及采用氮化鎵等新型材料和與之相匹配的封裝工藝制造具有優異性能參數產品是場效應管生產廠商不斷追蹤的熱點。
廣東友臺半導體有限公司(簡稱
2023-05-26 14:24:29
常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。
2023-05-22 09:52:08747 
上海數明半導體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅動器 SiLM27624 系列，支持高達 30V 的輸入電源供電，滿足更高的驅動電壓輸出。
2023-05-17 11:18:21438 
。 ASDM30N35EDFN3X3-8是一款針對電源開關和驅動器應用設計的N溝道MOSFET。它采用最新的高壓工藝，具有優異的開關性能和低導通電阻，能夠提供更高的效率和可靠性，為電子設備的設計和制造提供更好的支持。 這顆芯片的封裝形式為DFN3x3，尺寸僅為3x3mm，可以實現更小的電路板設計
2023-05-09 17:47:42462 概述LTK8833 是一種雙橋電機驅動器，具有兩個 H 橋驅動器，可以同時驅動兩個直流有刷電機、一個雙極步進電機、電磁閥或其他的電感負載。每個 H 橋的輸出驅動器模塊由配置為 H橋的 N 溝道功率
2023-05-08 14:18:440 在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
隨著環保意識日益普及EFI（電子控制燃油噴射系統）可以滿足更高標準的法規 ,更高的燃油效率, 更好的性能, 更容易的冷啟動, 減少維護, 減少排放! ST 意法半導體推出
2023-04-26 16:04:05
TMI8723是一款專為H橋驅動器應用而設計的柵極驅動器集成電路。它能夠驅動由四個高達40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個可調節的電荷泵來產生柵極驅動功率，峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時，TMI8723可以通過引腳VDS設置過電流點的值。
2023-04-20 15:00:311 您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器，但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先，是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場效應來控制半導體（S）的場效應晶體管，其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
，工程師們需要選用合適的柵極驅動器，提高UPS的轉換效率和響應速度，以滿足不斷增長的UPS市場需求。高速低側柵極驅動器是一種電路，用于控制半導體開關（例如MOSFET或IGBT）的導通和斷開，從而實現對電路的控制和調節。正確選擇高速低側柵極驅動器
2023-04-11 12:39:14279 
微控制器、微處理器和周邊芯片，以及配套的開發工具和生態系統。先楫半導體先后發布高性能MCU產品 HPM67/64/6300 及HPM6200系列并已成功實現量產，今年還將有多款產品推出。產品以質量為本，所有
2023-04-10 18:39:28
每個 H 橋的輸出驅動器模塊由配置為 H 橋的 N 溝道功率 MOSFET 組成，用于驅動電機繞組。每個 H 橋均具備調節或限制繞組電流的電路。
2023-04-07 12:26:21311 半導體器件是現代電力電子系統的核心。這些系統利用許多門控半導體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機驅動器中的開關元件。電力電子的現代技術發展通常跟隨功率半導體器件的發展。
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 
IGBT模塊作為汽車電驅系統最常昂貴的開關元件。IGBT同時具有功率MOSFET導通功率小及開關速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導通電阻小）高電壓和大電流處理能力的半導體元件
2023-03-23 16:01:54
LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，選用高達 135V 的輸入電壓作業。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45514
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