在介紹開發板之前，我們先來區分一下核心板和開發板的區別。核心板是一種集成度高、功能完整的計算模塊，搭載系統，簡化了外圍接口，體積尺寸相對較小，主要適用于嵌入式系統。而開發板由核心板和底板組成
2024-03-13 19:53:34
氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）。 該板采用EPC EPC2218 100V FET和低靜態電流、高頻LTC7890雙降壓DC/DC同步控制器，
2024-02-22 13:43:55
在本指南中，您將了解什么是光電晶體管，如何使用光電晶體管，并通過一個簡單的項目來構建自動開/關開關。
2024-02-11 11:09:00
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電子發燒友網站提供《P溝道增強型場效應晶體管 CJ2301數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-19 13:39:58
0 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
氮化鎵是一種化合物，化學式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構成。 氮化鎵具有堅硬的晶體結構和優異的物理化學性質，是一種重要的半導體材料。它具有寬帶
2024-01-10 10:23:011020 氮化鎵是一種重要的半導體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應用前景的材料，受到了廣泛關注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的晶體結構、性質以及應用領域。 首先，我們來介紹
2024-01-10 10:03:21941 氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 事通訊設備產品規格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術應用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
高效功率轉換 (EPC) 宣布推出 EPC9194，這是一款用于 3 相 BLDC 電機驅動逆變器的參考設計。它的工作輸入電源電壓范圍為 14 V 至 60 V，可提供高達 60 Apk (40
2023-11-02 16:43:46397 51單片機開發板QZ_KST_51增強板
2023-10-26 16:02:055 氮化鎵功率半導體器件的先鋒企業 Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺設計充分發揮氮化鎵晶體管的優勢，而E-Mode設計卻必須在性能上做出妥協
2023-10-24 14:12:26526 晶體管和FET給人的印象是具有信號放大的功能，即當輸入信號通過晶體管或者FET后，輸出信號被直接放大。
2023-10-21 10:23:07597 
前言：
本文章收錄社區上（dev-board-sig）的開發板，當前收錄了部分開發板，后續持續更新中。
企業可以根據自己的項目需求，選擇合適的開發板。
如果收錄開發板：
可以自己在本小組寫一篇
2023-10-19 11:27:47
目前傳統硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲，效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
電子發燒友網站提供《智嵌STM32F407開發板(增強型)V1.1原理圖.pdf》資料免費下載
2023-09-15 15:24:477 借助其增強型 NDEF 功能（ANDEF），ST25TV512C 和 ST25TV02KC 標簽IC具備了上下文自動NDEF消息傳遞服務。最終用戶只需簡單地“點擊”標簽，便可動態生成相應的響應
2023-09-13 06:33:45
氮化鎵主要用于LED(發光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場效電晶體(MOSFET)
2023-09-12 15:31:55591 請教音叉開關上面的振動壓電晶體在什么地方能買到
2023-09-08 08:49:16
n溝道增強型絕緣柵場效應管 n溝道增強型絕緣柵場效應管，又稱nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一種非常
2023-09-02 10:05:251531 CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 開發的一款無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。適用于A類、AB類和線性放大器，能處理多種波形
2023-08-26 15:40:57
增強型 GaN 晶體管的唯一已知方法（在撰寫本文時）是使用松下專利方法使用附加的 AlGaN 層。 這意味著涉及這種晶體管類型的任何創新都將依賴于松下，直到研究出其他方法為止。
GaN 器件的研究工作自
2023-08-21 17:06:18
650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關，符合JEDEC標準的工業應用。
2023-08-16 23:36:51685 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應用的 E-mode（增強型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17964 
，尤其是在芯片設計時。這些晶體管有耗盡型和增強型兩種類型。此外，這些類型分為P溝道和N溝道類型。
FET 的主要特點如下。
· 它是單極的，因為電子或空穴等電荷載流子負責傳輸。
· 在 FET 中，由于反向
2023-08-02 12:26:53
各種開發板測試文章
2023-07-17 10:34:35
FET 的全名是“場效電晶體（Field Effect Transistor，FET）”，先從大家較耳熟能詳的“MOS”來說明。
2023-07-12 17:24:291034 
光電晶體管是將光轉化為電能的組件。它是一種晶體管，只是它使用光而不是基極電流來打開和關閉。
2023-06-29 10:40:38431 
MOSFET可進一步分為耗盡型和增強型。這兩種類型都定義了MOSFET的基本工作模式，而術語MOSFET本身是金屬氧化物半導體場效應晶體管的縮寫。
2023-06-28 18:17:137741 
高性能增強型功率晶體管，以及它如何解鎖多種應用領域。 INN650D140A的特性 INN650D140A是一款增強型功率晶體管，具有以下特性： 高電壓：能夠承受高達700V的電壓。 高電流：能夠處理高達200A的電流。 高密度：體積小，適用于各種應用場景。 可靠性：具
2023-06-25 17:51:03565 
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
我剛學想問一下，stc-isp是針對stc公司的cpu進行燒錄，只要是用了該公司的芯片都可以燒錄嗎？比如普中開發板能用普中isp也能用stc-isp燒錄？
2023-06-24 12:17:27
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
前言
橙果電子是一家專業的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標準無塵生產車間，為客戶進行一站式服務。充電頭網拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
高效的400-800V充電和轉換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
高效能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復雜和缺乏高頻生態系統組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
橋式拓撲結構中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關拓撲結構向軟開關拓撲結構的轉變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
HC89F3XX1系列是芯圣電子推出的增強型8位觸摸單片機，內置增強型 8051 內核，擁有最大32K的ROM、256Bytes的IRAM以及1K的XRAM。
2023-06-01 16:39:56227 
DWM1001-DEV產品簡介 Qorvo 的 DWM1001-DEV 是一款即插即用開發板，用于評估DWM1001C超寬帶 (UWB) 收發器模塊的特性和性能。該開發板的用戶無需設計任何
2023-06-01 11:27:13
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化
2023-05-30 09:03:15384 導電材料Ti3C2Tx MXene 被用來作為氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵電極，MXene和氮化鎵之間形成沒有直接化學鍵的范德華接觸。氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極控制能力得到顯著增強，亞閾值擺幅61 mV/dec接近熱力學極限，開關電流比可以達到創紀錄的~1013。
2023-05-25 16:11:29599 
光電晶體管是一種光電轉換器件，它是在雙極型晶體管的基礎上加入光敏材料制成的。光電晶體管可以將光信號轉換為電信號，具有高靈敏度、高速度、低噪聲等優點，廣泛應用于光電傳感、光電控制、光電通信等領域。
2023-05-17 15:29:281557 我可以得到這個微控制器的開發板原理圖和技術參考手冊嗎？
零件號：
LPC1778FET208K
2023-05-17 11:37:18
光電晶體管是一種與光電二極管相似的結半導體器件，其產生的電流與光強度成正比。這種器件可以認為是一種內置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種 NPN 晶體管，其基極連接部分被光源所取代。
2023-05-16 16:20:41529 光電晶體管（Phototransistor）是一種光控半導體器件，它的工作原理是利用光的作用使得晶體管的電流發生變化。光電晶體管的類型包括PNP型、NPN型、雙極型和場效應型等。
2023-05-16 16:13:16580 
光電功能晶體主要是利用光電轉化的功能晶體，種類很多，如光學晶體、激光晶體、非線性光學晶體、電光晶體、壓電晶體、閃爍晶體和磁光晶體等。它的作用是接受光信號，并轉換為電信號。
2023-05-16 16:07:26389 光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來自撞擊光的光子不會向基極發送電流，而是激活晶體管。這是因為光電晶體管由雙極半導體制成，并集中在通過它的能量上。
2023-05-16 15:59:06286 
光電晶體管是一種電子開關和電流放大部件依賴于暴露于光下操作。光電晶體管工作原理：當光落在結上時，反向電流流動，其與亮度成比例。光電晶體管廣泛用于檢測光脈沖并將其轉換為數字電信號。這些是通過光而不是電流操作的。
2023-05-16 15:54:12655 業內唯一可同時提供級聯型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商。
2023-05-10 11:23:31820 業內唯一可同時提供級聯型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商 奈梅亨 ， 2023 年 5 月 10 日 ： 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出
2023-05-10 09:24:51420 
MS80F751x系列MCU是增強型1T 8051 Flash MCU，最快支持48MHz外設運行，24MHz內核運行，工作電壓2.1V-5.5V，GPIO最多可達30個，內置LCD/LED驅動模塊
2023-05-06 09:28:45
STM32開發板 STM32F103RCT6最小系統板 ARM 一鍵串口下載 液晶屏
2023-04-04 11:05:04
STM32F401CCU6 411CEU6開發板 32F4核心小系統板 學習板
2023-04-04 11:05:04
STM32F407VET6開發板工控學習板帶485 雙CAN 以太網 物聯網 STM32
2023-04-04 11:05:03
1. 開發板 2. 開發板介紹 瑞薩RA2L1產品組屬于48MHz Arm? Cortex?-M23 超低功耗通用微控制器 ，能夠支持 1.6V 至 5.5V 寬電壓工作，CPU 時鐘頻率
2023-04-03 16:55:03
對于N溝道增強型MOS管而言，為何漏源電壓增大到一定反型層會消失？此時柵極和襯底間不是仍然有一個正壓嗎
2023-03-31 15:31:55
N32G430C8L7_STB開發板用于32位MCU N32G430C8L7的開發
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發，開發板主MCU芯片型號N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
2023-03-29 22:59:16
BOARD DEV FOR EPC2014C
2023-03-29 22:47:05
EPC2001C–增強型功率晶體管
2023-03-28 18:19:32
ATK-Mini Linux開發板-EMMC
2023-03-28 13:05:54
ATK-Mini Linux開發板-NAND
2023-03-28 13:05:54
ATK-北極星STM32F750開發板 DEVB_121X160MM 6~24V
2023-03-28 13:05:54
ATK-探索者STM32F407開發板 DEVB_121X160MM 6~24V
2023-03-28 13:05:54
ATK-精英STM32F103開發板 DEVB_115X117MM 6~24V
2023-03-28 13:05:54
ATK-領航者ZYNQ開發板-7010 Edition DEVB_120X160MM 6~24V
2023-03-28 13:05:54
ATK-領航者ZYNQ開發板-7020 Edition DEVB_120X160MM 6~24V
2023-03-28 13:05:54
ATK-MiniSTM32F103開發板 DEVB_80X100MM 5V
2023-03-28 13:05:53
ATK-NANO STM32F103開發板 DEVB_60X100MM 5V
2023-03-28 13:05:53
ATK-NANO STM32F411開發板 DEVB_60X100MM 5V
2023-03-28 13:05:53
ATK-戰艦STM32F103開發板 DEVB_121X160MM 6~24V
2023-03-28 13:05:53
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
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