高通技術(shù)公司重磅推出了全新的第三代驍龍?7+移動平臺，這一創(chuàng)新成果成功將終端側(cè)生成式AI技術(shù)引入至驍龍7系，開啟了全新的智能時代。這款移動平臺不僅兼容眾多AI模型，如Baichuan-7B、Gemini Nano、Llama 2以及智譜ChatGLM等大語言模型，讓AI的應(yīng)用更加廣泛和深入。
2024-03-22 14:13:56
49 3月18日下午，高通公司在北京望京凱越酒店召開了驍龍新品發(fā)布會，高通技術(shù)公司高級副總裁兼手機(jī)業(yè)務(wù)總經(jīng)理Chris Patrick宣布，高通正式推出全新的第三代驍龍8s移動平臺。
2024-03-19 15:37:002369 
高通技術(shù)公司宣布震撼發(fā)布第三代驍龍?8s移動平臺，為高端Android智能手機(jī)市場注入新的活力。這款旗艦級平臺不僅繼承了驍龍8系平臺一貫的卓越品質(zhì)，更將諸多廣受好評的特性進(jìn)行了全面升級，為用戶帶來前所未有的頂級移動體驗。
2024-03-19 10:50:03113 將大幅調(diào)整，將有一連串人事新布局，兩位資深副總米玉杰、侯永清將增加不同領(lǐng)域歷練，第三代接班梯隊正式成軍。 魏哲家未來接任董事長兼總裁，成為繼創(chuàng)辦人張忠謀后，臺積電擁有參與公司決策方針和統(tǒng)帥三軍大權(quán)的第二人。 據(jù)調(diào)查，臺積電首波
2024-03-04 08:56:47294 Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
今日，小米召開主題為“新層次”的新品發(fā)布會，正式推出了小米14 Ultra手機(jī)。新機(jī)搭載第三代驍龍8移動平臺，集小米領(lǐng)先技術(shù)于一身，帶來全方位跨越的新一代專業(yè)影像旗艦，讓真實有層次。
2024-02-23 09:17:36351 在清潔能源、電動汽車的發(fā)展趨勢下，近年來第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無前例的關(guān)注，市場以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度，擴(kuò)張規(guī)模不斷擴(kuò)大。在過去的2023年，全球第三代半導(dǎo)體
2024-02-18 00:03:002542 鴻利智匯，一直致力于創(chuàng)新和研發(fā)的照明技術(shù)公司，近日推出了一款專為智能照明設(shè)計的雙色TOP3030產(chǎn)品。這款產(chǎn)品針對控光需求進(jìn)行了精心設(shè)計，采用了鴻利獨家的“第三代”雙色調(diào)光技術(shù)，將高色溫與低色溫兩種不同光色完美結(jié)合在同一個支架碗杯中。
2024-02-05 16:55:38593 近日，高通技術(shù)公司宣布，其第三代驍龍8（for Galaxy）旗艦移動平臺將為三星電子的最新旗艦Galaxy S24 Ultra提供全球支持。此外，該平臺還將在部分地區(qū)為Galaxy S24 Plus和S24提供支持。
2024-02-01 14:45:47345 在今日舉辦的CES 2024 ROG新品發(fā)布會上，ROG游戲手機(jī)8系列正式亮相。新機(jī)全系搭載第三代驍龍8移動平臺，并在屏幕、設(shè)計、性能及影像等方面帶來全新升級，打造體驗更全面的游戲旗艦手機(jī)。
2024-01-17 10:09:18262 今日，OPPO Find X7 Ultra正式發(fā)布。新機(jī)搭載第三代驍龍8移動平臺以及一英寸雙潛望四主攝組成的大師影像系統(tǒng)，同時在外觀設(shè)計、屏幕、游戲、通信等方面也全面進(jìn)化，以澎湃性能和專業(yè)影像體驗等為新一代Find旗艦打造標(biāo)桿級產(chǎn)品力。
2024-01-09 09:30:19372 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）在新能源汽車、光伏、儲能等新興領(lǐng)域的需求帶動下，第三代半導(dǎo)體市場近幾年高速增長。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)不景氣，機(jī)構(gòu)投資整體更理性下，第三代半導(dǎo)體企業(yè)的融資仍加速狂飆
2024-01-09 09:14:331408 
1月6日上午9時，中國第三代自主超導(dǎo)量子計算機(jī)“本源悟空”，在本源量子計算科技（合肥）股份有限公司（簡稱本源量子）正式上線運行。圖為中國第三代自主超導(dǎo)量子計算機(jī)“本源悟空”該量子計算機(jī)搭載72位自主
2024-01-07 08:21:55243 
第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢，在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月，第三代半導(dǎo)體被寫入“十四五”規(guī)劃，在技術(shù)、市場與政策的三力驅(qū)動下，近年來國內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36430 近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎”。這一榮譽充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 韓國chosun新聞網(wǎng)今日報導(dǎo)，戴爾全新亮相了第三代Concept Luna概念設(shè)計，重點關(guān)注四大核心元素——模塊化設(shè)計、環(huán)保材料、先進(jìn)AI監(jiān)測技術(shù)以及循環(huán)利用。
2024-01-03 10:12:38197 芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間，芯聯(lián)集成便已成功實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍，器件性能與國際頂級企業(yè)齊肩，并且已穩(wěn)定實現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:38247 2023年11月29日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會”成功召開，是德科技參加第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導(dǎo)體動靜態(tài)測試方案
2023-12-13 16:15:03240 
快科技11月21日消息,今天星紀(jì)魅族集團(tuán)董事長兼CEO沈子瑜發(fā)文正式宣布,魅族21將首批搭載行業(yè)最強(qiáng)的第三代驍龍8。 新機(jī)發(fā)布會此前已經(jīng)官宣,將會在11月30日揭曉。 值得注意的是,這次魅族表示將會
2023-11-21 11:48:12453 —AMD加強(qiáng)廣受好評的第三代EPYC CPU產(chǎn)品組合，為支持主要業(yè)務(wù)基礎(chǔ)設(shè)施的服務(wù)器提供性能和能效— —包括Cisco、Dell Technologies、Gigabyte、HPE、Lenovo
2023-11-11 10:37:54934 2023年10月25日 - 2023全國第三代半導(dǎo)體大會今日在深圳寶安格蘭云天國際酒店四樓會議廳隆重開幕。本屆大會由今日半導(dǎo)體主辦，吸引了來自全國各地的400多家企業(yè)參與，共同探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢和應(yīng)用前景。
2023-11-06 09:45:31234 新芯片將由三星sf4p（第三代4納米）工藝制作，g3將由第二代sf4工藝制作。另外，xenos 2400處理器也將使用sf4p，預(yù)計將用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分機(jī)器。
2023-10-31 14:25:36359 在2023驍龍峰會期間，高通技術(shù)公司宣布推出全新旗艦移動平臺——第三代驍龍8，它是一款集終端側(cè)智能、頂級性能和能效于一體的強(qiáng)大產(chǎn)品。作為Android旗艦智能手機(jī)SoC領(lǐng)導(dǎo)者，高通技術(shù)公司的全新
2023-10-27 13:55:11778 高通第三代驍龍8采用4納米工藝 支持在終端側(cè)運行超100億參數(shù)的生成式AI 前兩天高通公司在驍龍峰會發(fā)布了針對筆記本電腦的驍龍X Elite和針對手機(jī)移動端的第三代驍龍8。 高通第三代驍龍8處理器
2023-10-26 19:29:281170 
10月25日，一加宣布下一代旗艦產(chǎn)品一加 12 將首批搭載第三代驍龍8移動平臺。一加中國區(qū)總裁李杰表示：“一加 12 作為一加十年旗艦之作，將會把這顆芯片的實力發(fā)揮到極致，一加 12 的產(chǎn)品力在同檔
2023-10-25 13:04:47354 
要點 — ?? 第三代驍龍8是高通技術(shù)公司首個專為生成式AI而精心打造的移動平臺。 ?? 該平臺將帶來行業(yè)領(lǐng)先的AI、卓越影像特性、主機(jī)級游戲體驗以及專業(yè)品質(zhì)音頻，再結(jié)合全球最快的連接，賦能消費者
2023-10-25 10:30:02262 
近日，全球知名品牌全屋智能家居科技公司歐瑞博發(fā)布了新一代智能開關(guān)，該智能開關(guān)搭載啟英泰倫自研的第三代AI語音芯片，具備強(qiáng)大的離線語音控制能力。
2023-10-19 14:47:43449 ，在2020年的第17屆國際CAN大會（iCC）上，CiA推出了第三代CAN通信技術(shù)CAN-XL（extra long）。
2023-10-18 14:50:12606 
第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
西安電子科技大學(xué)表示，該項目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準(zhǔn)備、密封測試等整個工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共服務(wù)平臺和產(chǎn)業(yè)，圍繞國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略需求為中心，5g通信、新能源汽車等領(lǐng)域的、芯片和微系統(tǒng)模塊的開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。
2023-09-25 11:20:56840 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20890 
? 新能源汽車和光伏、儲能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。 長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。圖左為袁方書
2023-09-19 10:07:33452 
已廣泛應(yīng)用于PD快充、電動汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心以及充電樁等領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)材料，近年來越來越受到半導(dǎo)體各行業(yè)的關(guān)注。目前，領(lǐng)先器件供應(yīng)商在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域做了什么?有什么技術(shù)難點?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365 材料領(lǐng)域中，第一代、第二代、
第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導(dǎo)體，或?qū)⒌墶⑸榛墶⒘谆熤瞥?/div>
2023-09-12 16:19:271931 
意法半導(dǎo)體的第三代BlueNRG2.4 GHz Radio IP符合藍(lán)牙SIG核心規(guī)范5.2版本要求，兼具出色的射頻性能和極長的電池壽命。BlueNRG-LP SoC適用于點對多點連接和藍(lán)牙SIG
2023-09-08 06:57:13
Silicon Labs（亦稱“芯科科技”）展望未來的物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)需求，近期在其主辦的第四屆Works With開發(fā)者大會中揭曉專為嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備打造的第三代無線開發(fā)平臺，并正式向22納米工藝節(jié)點
2023-09-04 17:08:39710 火山引擎面向通用場景的第三代AMD實例產(chǎn)品g3a已正式邀測上線，該實例搭載全新一代AMD Genoa平臺處理器，單核睿頻達(dá) 3.7GHz，基于火山全新自研DPU軟硬件一體架構(gòu)設(shè)計，結(jié)合自研虛擬
2023-09-01 10:49:26211 
據(jù)融合資產(chǎn)消息，此次融資后融合資產(chǎn)將在芯片生產(chǎn)線、家具用、工商能源儲存、充電包、新能源汽車等多個領(lǐng)域展開合作，幫助建設(shè)第三代半導(dǎo)體智能電力模塊生產(chǎn)線。
2023-08-30 09:24:55228 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)71M6534H-IGTR/F相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有71M6534H-IGTR/F的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，71M6534H-IGTR/F真值表，71M6534H-IGTR/F管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-08-22 18:42:27
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)71M6534H-IGT/F相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有71M6534H-IGT/F的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，71M6534H-IGT/F真值表，71M6534H-IGT/F管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-08-22 18:42:02
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)71M6534-IGTR/F相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有71M6534-IGTR/F的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，71M6534-IGTR/F真值表，71M6534-IGTR/F管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-08-22 18:41:52
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)71M6534-IGT/F相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有71M6534-IGT/F的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，71M6534-IGT/F真值表，71M6534-IGT/F管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-08-22 18:41:22
隨著科技的不斷進(jìn)步，新的半導(dǎo)體材料正在為整個電子行業(yè)帶來深刻的變革。在這場技術(shù)革命的前沿，第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看，第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580 
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915 
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能
2023-07-24 16:57:30
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能
2023-07-24 16:55:28
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠
2023-07-24 16:49:27
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠
2023-07-24 16:43:13
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠
2023-07-24 16:40:49
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能
2023-07-24 16:38:50
且防潮的 MOSFET，擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術(shù)，提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MO
2023-07-24 16:35:49
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為
2023-07-24 16:28:29
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為
2023-07-24 16:24:37
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為
2023-07-24 16:22:11
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為
2023-07-24 16:12:50
且防潮的 MOSFET，擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術(shù)，提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MO
2023-07-24 16:09:04
且防潮的 MOSFET，擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術(shù)，提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOS
2023-07-24 16:05:58
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為
2023-07-24 16:03:38
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠
2023-07-24 16:01:35
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為
2023-07-24 15:57:23
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為
2023-07-24 15:53:34
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠
2023-07-24 15:50:45
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠
2023-07-24 15:43:39
且防潮的 MOSFET，擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術(shù)，提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOS
2023-07-24 15:41:28
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為
2023-07-24 15:39:15
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為
2023-07-24 15:29:28
且防潮的 MOSFET，擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術(shù)，提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOS
2023-07-24 15:24:14
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為
2023-07-24 15:15:52
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠
2023-07-24 14:41:44
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為
2023-07-24 14:36:36
且防潮的 MOSFET，擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術(shù)，提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MO
2023-07-24 14:33:12
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠
2023-07-24 14:17:12
應(yīng)用，例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù)，各種導(dǎo)通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠
2023-07-24 14:11:45
且防潮的 MOSFET，擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術(shù)，提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MO
2023-07-24 14:03:33
且防潮的 MOSFET，擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅固耐用技術(shù)，提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOS
2023-07-24 13:39:06
650 V、120 mΩ、22 A、TO-247-4 封裝、第 3 代分立 SiC MOSFETWolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位
2023-07-24 11:42:29
650 V、120 mΩ、21 A、TO-263-7 封裝、第 3 代分立 SiC MOSFETWolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位
2023-07-24 11:36:33
650V、120mΩ、22A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立式 SiC MOSFETWolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位，在
2023-07-24 11:30:39
來源：內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號21tech（News-21），作者：李強(qiáng)。于代輝英飛凌科技高級副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人減碳趨勢下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場搭好了舞臺。過去
2023-07-06 10:07:54367 
據(jù)藍(lán)色空港消息，先進(jìn)半導(dǎo)體制造項目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 如果用_at_指向了外部NOR FLASH地址，在download M453代碼時，是否此數(shù)據(jù)表會d
2023-06-27 07:49:27
近年來，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計算機(jī)應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611 
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）獲批建設(shè)兩年以來，瞄準(zhǔn)國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，進(jìn)一步推動我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成立足長三角、輻射全國的技術(shù)融合點和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中關(guān)村論壇“北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，科技部黨組成員、副部長相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能，在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場。
2023-06-15 11:14:08313 為期四天的2023廣州國際照明展覽會（簡稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會，國星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū)，鮮明的主題，引來了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中，在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14437 
71M6531/71M6532 和 71M6533/71M6534 和 71M6541/71M6542/71M6543 系列電能計量 IC 設(shè)計用于計算引擎 （CE） 代碼，可適應(yīng)手頭的應(yīng)用。 在某些情況下，Maxim需要并提供特殊的CE代碼，以支持不同的傳感器類型或功能，如濾波或諧波分析。
2023-06-13 14:50:57669 
2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對比，在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競爭格局逐步確立，產(chǎn)業(yè)步入快速
2023-05-30 14:15:56534 
前言 ??????? 2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終結(jié)連續(xù)高增長，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對比，在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競爭格局逐步
2023-05-30 09:40:59568 
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442614 
1200V高速開關(guān)系列第三代
2023-03-28 14:59:26
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論