的那樣，半導體行業第四個時代的主旨就是合作。讓我們來仔細看看這個演講的內容。
半導體的第一個時代——IDM
最初，晶體管是在貝爾實驗室發明的，緊接著，德州儀器 (TI)做出了第一個集成電路。當仙童
2024-03-13 16:52:37
在探索半導體難題內容中，我們回顧了半導體器件擺脫傳統引線框架封裝的原因及歷史。
2024-03-05 09:03:53
265 常見的晶體管類型，并分析它們在不同應用領域中的優點和缺點。 一、晶體管介紹 晶體管是一種基于半導體材料的電子設備，它可以將電流作為輸入信號，控制另一條電路中電流的流動。晶體管通常由三個層疊在一起的半導體材料，
2024-02-25 15:28:41161 ？
再者在場效應管這種單極性導電半導體中，為什么只是有一種離子導電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導電，請問這是為什么？同樣對于場效應管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT），也被稱為半導體三極管或三極管，是一種具有三個終端的電子器件。它由三部分摻雜程度不同的半導體組成，這三部分分別是發射區、基區和集電區。這種晶體管的工作方式涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此被稱為雙極性的。
2024-02-19 15:15:05290 
電子發燒友網站提供《80 V，1 A PNP中等功率晶體管BC53xPAS系列數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-19 10:24:04
0 是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
LED 供電時，代碼不起作用。我使用的是 BC547 晶體管。當電源為8.33V時，使用與LED串聯的470歐姆限流電阻和2.2K歐姆的基極電阻Rb（允許晶體管基極約3.7 mA）。在從 LDO
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會先上升后下降，因為電壓降在下降而電流在上升。功率最大點在中間位置。
3、當基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時，晶體管進入飽和，此時無論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
半導體工藝的歷史可以追溯到20世紀40年代末至50年代初，當時的科學家們開始使用鍺（Ge）和硅（Si）這類半導體材料來制造晶體管。1947年，貝爾實驗室的威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發明
2024-01-15 14:02:37202 如何去識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？ IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導體器件，結合了雙極型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）的特點。IGBT通常用于高電壓和高電流應用，例如工業
2024-01-12 11:18:10350 對于一個含有晶體管，場效應管，運放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時不應該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
IGBT）是一種半導體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優點集于一身，具有高輸入阻抗、低導通壓降、高電流密度等優點。IGBT廣泛應用于電力電子、軌道交通
2024-01-03 15:14:22268 
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲單元、二極管、電阻、連線、引腳等。
隨著電子產品越來越“小而精，微薄”，半導體芯片和器件尺寸也日益微小，越來越微細，因此對于分析微納芯片結構的精度要求也越來越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
晶體管是一種半導體器件，用于放大電信號、開關電路和邏輯運算等。它是現代電子技術和計算機科學的核心之一。在晶體管中，有三個電極：基極、發射極和集電極。這三個電極的電壓之間的關系對于理解晶體管的工作原理
2023-12-20 14:50:491193 在本系列第二篇文章中，我們主要了解到半導體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異，保護和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中，我們將帶您了解半導體封裝的不同分類，包括制造半導體封裝所用材料的類型、半導體封裝的獨特制造工藝，以及半導體封裝的應用案例。
2023-12-14 17:16:52442 
【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
該陪審員同意了普度的意見，即電動汽車用充電器及其他產品使用的碳化物金屬氧化物半導體電場效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應用（high power power application）使用的晶體管的專利。
2023-12-06 13:55:23420 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機驅動等功率電子領域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個芯片上，形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57682 [半導體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導體
2023-11-29 16:24:59193 
功率半導體有多種類型，我們可以使用它們的應用甚至更多。基本上，所有功率半導體器件都可以分為三類：二極管、晶閘管和晶體管。
2023-11-27 13:24:26239 來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結到環境的熱阻JA的數據，我需要結到外殼的熱阻Jc的數據，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數目是多少？
2023-11-21 06:54:43
據悉，匯芯半導體成立于2020年，是一家專注于功率芯片及模塊開發和生產的企業，其主要產品包括高壓集成電路（HVIC）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、功率場效應晶體管（PowerMOS）、微控制單元（MCU）、傳感器（Sensor）及其集成化。
2023-11-09 14:41:48470 功率半導體是電力電子技術的關鍵組件，主要用作電路和系統中的開關或整流器。如今，功率半導體幾乎廣泛應用于人類活動的各個行業。我們的家電包括功率半導體，電動汽車包括功率半導體，飛機和宇宙飛船包括功率半導體。
2023-11-07 10:54:05459 
BC847PNQ 產品簡介DIODES 的BC847PNQ這種雙極結型晶體管（BJT）設計用于滿足汽車應用的要求。產品規格 品牌
2023-10-17 20:09:54
根據專利摘要，該公開是關于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
專業圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。
2023-09-27 10:59:402306 
電子發燒友網站提供《DFN2020MD-6:帶有側邊可濕焊盤的無引腳封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-27 10:06:111 本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體芯片的制作和半導體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導體)氮化鎵產品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:00395 
介紹：
晶體管是一種用于放大或切換電子信號和電力的半導體器件。它是一種三端口半導體器件，這些引腳分別標記為集電極（C）、基極（B）和發射極（E）。現在，我將展示如何使用萬用表檢查晶體管。
2023-09-21 13:48:18832 
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導體開關器件。
2023-09-06 15:12:291490 
晶體管是一種半導體元器件，它由三個層疊在一起的材料構成，分別是 P 型半導體、N 型半導體和 P 型半導體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個電極，分別是基極、發射極和集電極。
2023-08-25 17:17:47651 晶閘管和晶體管區別是什么？ 晶閘管和晶體管都屬于半導體器件的范疇，它們的出現都徹底改變了電子行業的發展。但是，晶閘管和晶體管之間存在著一些關鍵的區別，這些區別在分析它們的工作原理、特點、應用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現代電子設備的基礎，如計算機、手機、電視等。晶體管是一個半導體器件，它可以放大或開關電流信號。晶體管的工作原理是由三個不同類型的材料組成：N型半導體
2023-08-25 15:35:141791 晶體管和芯片的關系介紹 晶體管和芯片是現代電子技術中最重要的兩個概念，二者有密不可分的關系。晶體管是一種半導體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:372440 晶體管和芯片的關系是什么？ 晶體管和芯片是相互關聯的兩個概念，晶體管是芯片的核心組成部分之一。 晶體管是一種能夠控制電流的電子器件，由美國貝爾實驗室的William Shockley、John
2023-08-25 15:21:051513 是一種半導體晶體器件，通常由層層不同摻雜的硅和其他半導體材料組成，主要由PN結和柵極構成。而電子管由電子射極、網格和屏蔽極三部分組成，形狀通常是玻璃管。 二、物理原理 晶體管是利用PN結的導電特性來控制電流流動的器件
2023-08-25 15:21:016860 本實驗的目的是使用ARM KEIL MDK工具包向您介紹恩智浦Cortex?-M33處理器系列，該工具包采用μVision?集成開發環境。
在本教程結束時，您將自信地使用恩智浦處理器和Keil
2023-08-24 07:46:51
650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關，符合JEDEC標準的工業應用。
2023-08-16 23:36:51685 
、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應用中,二極管發揮簡單的開關功能,只允許電流向一個方向流動,電極二極管擁有更大的動力、電壓和當前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17964 
晶體管是現代電子設備中至關重要的組件，而芯片則是晶體管的集成。晶體管是一種用于控制電流的電子器件，它是由半導體材料制成的。晶體管的發明和發展對現代科技的進步起到了重要的推動作用。
2023-08-04 09:45:301074 的制造商生產半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管及其應用。
2023-08-02 12:27:481044 
的制造商生產半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結構劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
優恩半導體07D-BC系列徑向導聯壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應用提供了理想的電路保護解決方案。最大峰值浪涌電流可達1.75ka (8/20 μs脈沖)，以防止高峰值浪涌
2023-07-12 15:34:13
P3.064C：3 引腳小外形晶體管塑料封裝 (SOT89-3)
2023-07-03 18:35:340 半導體芯片是如何封裝的？這是一個很好的問題。半導體芯片通常需要被封裝起來才能使用。封裝工藝的目標是將裸露的芯片保護起來，同時連接它們到外部引腳，以便于在電路板等設備中使用。
2023-06-21 14:33:561349 升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
ZXTP25020CFF 產品簡介DIODES 的 ZXTP25020CFF（PNP, 20V, 4.5A, SOT23F）先進的工藝能力和封裝最大限度地提高了這種小外形晶體管的功率處理
2023-06-12 18:11:45
和設計師的首選。本文將深入探討RX65T125HS1B功率晶體管的工作原理，并介紹其在不同應用領域中的突出應用。 一、RX65T125HS1B功率晶體管的工作原理 功率晶體管簡介： 功率晶體管是一種用于控制和放大電力信號的半導體器件。與傳統的小信號晶體管相比
2023-06-12 16:48:161016 ZXTP19060CFF 產品簡介DIODES 的 ZXTP19060CFF（PNP、60V、4A、SOT23F）這種中壓 PNP 晶體管專為需要高增益和低飽和電壓的應用而設
2023-06-11 14:27:33
在輸入觸發器被移除后，T1也會永久鎖存網絡和繼電器。R3和R100可以是2K，R4、R10可以是547K，晶體管可以是BC557和BC1分別用于T2和T《》。
2023-06-10 17:50:001378 
微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設計低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271639 
ZXTN25020CFH 產品簡介DIODES 的 ZXTN25020CFH 先進的工藝能力和封裝設計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設備的緊湊尺寸和額定值
2023-06-08 13:24:00
ZXTN25020BFH 產品簡介DIODES 的 ZXTN25020BFH 先進的工藝能力和封裝設計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設備的緊湊尺寸和額定值
2023-06-08 13:17:09
ZXTN25012EFH 產品簡介DIODES 的 ZXTN25012EFH 先進的工藝能力和封裝設計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設備的緊湊
2023-06-08 07:07:37
;產品規格 類別 中功率晶體管合規性（只有汽車支持 PPAP） 標準Polarity NPNVCEO, VCES (V) 40IC (A) 1ICM (A
2023-06-08 06:47:03
。 產品規格 類別 中功率晶體管合規性（只有汽車支持 PPAP） 標準Polarity NPNVCEO, VCES (V) 60IC (A) 1
2023-06-08 06:38:43
ZXTN2031F 產品簡介DIODES 的 ZXTN2031F 先進的工藝能力和封裝設計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設備的緊湊尺寸和額定值
2023-06-07 22:58:24
功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個基板上集成有一個或多個開關元件的功率半導體產品，所述開關元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、晶閘管
2023-05-31 09:32:31287 晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種
2023-05-30 15:32:362177 所謂晶體管是指用硅和鍺材料做成的半導體，研制人員在為這種器件命名時，想到它的電阻變換特性，于是取名為trans-resister(轉換電阻)，后來縮寫為transistor，中文譯名就是晶體管
2023-05-30 15:26:474355 如何使用數字晶體管數字晶體管是一種用于控制電流流動的半導體元件，可用于數字電路中的邏輯門、時序電路和數據處理電路等。
2023-05-29 16:23:07325 
場效應管是由多數載流子參與導電的半導體器件，也稱為單極型晶體管。它是一種電壓控制型半導體器件，具有噪聲小、功耗低、開關速度快、不存在二次擊穿問題，主要具有信號放大、電子開關、功率控制等功能，廣泛應用
2023-05-26 14:24:29
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
柵型場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來自撞擊光的光子不會向基極發送電流，而是激活晶體管。這是因為光電晶體管由雙極半導體制成，并集中在通過它的能量上。
2023-05-16 15:59:06286 
晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 按照器件結構，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結型晶體管（BJT）、結型場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。
2023-05-06 11:10:022967 
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
系統級封裝（SiP）產品的研發、制造和銷售。在半導體分立器件的細分領域，晶導微已成長為獨角獸企業，根據中國半導體行業協會半導體分立器件分會統計的數據，晶導微穩壓、整流、開關二極管產品2020年在國內市場
2023-04-14 16:00:28
系統級封裝（SiP）產品的研發、制造和銷售。在半導體分立器件的細分領域，晶導微已成長為獨角獸企業，根據中國半導體行業協會半導體分立器件分會統計的數據，晶導微穩壓、整流、開關二極管產品2020年在國內市場
2023-04-14 13:46:39
有沒有負觸發導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
半導體分立器件是由單個半導體晶體管構成的具有獨立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應晶體管(結型場效應晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404 
、IGCT、發光二極管、敏感器件等。半導體分立器件制造，指單個的半導體晶體管構成的一個電子元件的制造。制造是設計及封裝測試的中游環節，在半導體行業的產業鏈中占據重要位置。根據中國半導體行業協會對半導體分立器件的界定，包括功率半導體分立器件、小
2023-03-28 13:10:04457 我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
NOW NEXPERIA BC69PA - SMALL SIGN
2023-03-27 14:23:51
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