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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L

飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L

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羅姆ROHM開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

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安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET,聚焦電動汽車充電樁等市場

,NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
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安世半導(dǎo)體推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件,RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
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功率半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)筆記(1)

、晶閘管等等,主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)(正因如此,早期才被稱為電力電子器件)后來,隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展,現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛,在計算機、通行、消費
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三菱電機與Nexperia共同開啟硅化碳功率半導(dǎo)體開發(fā)

三菱電機公司宣布將與Nexperia B.V.結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同為電力電子市場開發(fā)硅碳(SiC)功率半導(dǎo)體。三菱電機將利用其廣帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片,這些芯片將用于Nexperia開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165

四種半導(dǎo)體器件基本結(jié)構(gòu)

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電力半導(dǎo)體器件的分類

電力半導(dǎo)體器件是進行電力變換和控制的大功率器件。 可直接用于處理電能的主電路中,實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。主要用于整流器、逆變器、斬波器、交流調(diào)壓器等方面,廣泛用于工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、國防、交通等各個領(lǐng)域。
2023-11-28 09:54:16398

ROHM開發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管RLD90QZW3

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三菱電機與安世宣布將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體

2023年11月,日本三菱電機、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
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為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?

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半導(dǎo)體器件擊穿機理分析及設(shè)計注意事項

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2023-11-23 10:12:56792

三菱電機和安世半導(dǎo)體將合作共同開發(fā)碳化硅功率半導(dǎo)體

11月13日, 三菱電機株式會社(TOKYO:6503)宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。三菱電機將利用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片,Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。
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半導(dǎo)體器件建模:理解、預(yù)測與創(chuàng)新

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半導(dǎo)體材料檢測有哪些種類?測試半導(dǎo)體材料有哪些方法?

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什么是半導(dǎo)體?功率半導(dǎo)體器件的分類 功率MOS器件結(jié)構(gòu)及工作原理

電子電力器件又稱為功率半導(dǎo)體器件,在世界上已經(jīng)得到了極為廣泛的運用,主要是作為開關(guān)和放大器來使用。它出現(xiàn)在社會生活中的各個方面,如醫(yī)療、教育、能源、環(huán)境和航空航天,甚至涉及到了現(xiàn)代化國防武器裝備
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芯片小白必讀中國“功率器件半導(dǎo)體

一、功率器件半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導(dǎo)體器件,簡稱功率器件,又稱電力電子器件,屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】,典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動芯片
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半導(dǎo)體熱阻測試原理和測試方法詳解

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四種類型的MOSFET的主要區(qū)別

型晶體管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動電壓的不同,可以分為N溝道-增強型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
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半導(dǎo)體材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件,正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料,在半導(dǎo)體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 寬
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常見的幾種功率半導(dǎo)體器件介紹

半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
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功率半導(dǎo)體器件知識匯總

電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上)電子器件??梢苑譃榘肟匦?b class="flag-6" style="color: red">器件
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如今,半導(dǎo)體器件已成為電子應(yīng)用中不可或缺的一部分。半導(dǎo)體器件的需求主要受生命周期較短的消費電子影響。
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2023-09-26 08:09:42

如何用萬用表測試MOSFET

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號的半導(dǎo)體器件。 MOSFET 是一種四端子器件,具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子,因此使其成為類似于場效應(yīng)晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791

半導(dǎo)體器件擊穿原理和失效機制詳解

在日常的電源設(shè)計中,半導(dǎo)體開關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計是工程師不得不面對的問題,本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機制,以及在設(shè)計應(yīng)用中注意事項。
2023-09-19 11:44:382578

常見的幾種功率半導(dǎo)體器件

半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25889

半導(dǎo)體器件高低溫試驗箱

半導(dǎo)體器件高低溫試驗箱具有自動演算的功能,可將溫濕度變化條件立即修正,使溫濕度控制更為準確穩(wěn)定,控制器操作界面設(shè)中英文可供選擇,實時運轉(zhuǎn)曲線圖可由屏幕顯示,具有100組程式、每組100段、每段可循
2023-09-12 11:49:27

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)全部測試

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474

意法半導(dǎo)體將為汽車T1廠博格華納供應(yīng)碳化硅器件

 近日,意法半導(dǎo)體與知名汽車Tier 1制造商博格華納達成了一項重要戰(zhàn)略合作協(xié)議。該協(xié)議旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件,以升級博格華納的車規(guī)功率模塊。
2023-09-06 10:07:01140

功率半導(dǎo)體器件 氧化鎵市場正在穩(wěn)步擴大

調(diào)查結(jié)果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件,市場正在穩(wěn)步擴大。
2023-09-04 15:13:24364

半導(dǎo)體器件中性能最好的是什么?

半導(dǎo)體器件中性能最好的是什么?? 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中最為重要的組成部分之一,是連接芯片和外部電路的中間介質(zhì)。通常,半導(dǎo)體器件的性能被評價的標準是:最大電壓、最大電流、最高工作頻率、響應(yīng)速度
2023-08-29 16:19:29539

如何提高半導(dǎo)體模具的測量效率?

,減少人力資源消耗,為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動影像儀創(chuàng)新推出的拍測量、圖像拼接、環(huán)光獨立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能,多方面滿足客戶測量需求,解決各行業(yè)尺寸測量難題。
2023-08-21 13:38:06

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?
2023-08-08 14:56:29

為什么人們選擇硅打造半導(dǎo)體器件

在電子工業(yè)的歷史中,硅(Si)已經(jīng)穩(wěn)定地成為半導(dǎo)體器件的首選材料。從普通的晶體管到今天高度集成的芯片,硅都起到了不可替代的作用。但為什么在眾多元素和化合物中,人們會選擇硅作為制造半導(dǎo)體器件的主要材料呢?本文將深入探討硅背后的秘密和它在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的無與倫比的地位。
2023-08-08 10:12:354873

半導(dǎo)體器件的熱指標和結(jié)溫計算

隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展,芯片集成度不斷提高,封裝尺寸越來越小,半導(dǎo)體器件面臨著更高的熱應(yīng)力挑戰(zhàn)。結(jié)溫過高不僅降低了器件的電氣性能,而且增加了金屬遷移率和其他退化變化,從而導(dǎo)致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381962

士蘭微電子再次榮登中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強企業(yè)榜單

列。 ? ? ? ? ? 公司汽車電子事業(yè)部總監(jiān)李海鋒應(yīng)邀在會上作了《汽車電氣化中國產(chǎn)半導(dǎo)體的機遇和挑戰(zhàn)》主題演講。 ? ? ? 士蘭微電子功率器件中,MOSFET、IGBT大功率模塊(PIM)、肖特基管、穩(wěn)壓管、開關(guān)管、TVS管等產(chǎn)品的增長較快,公司的超
2023-08-07 11:34:091676

什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031978

MOSFET關(guān)斷條件是什么 mosfet管關(guān)斷過程的分析

 MOSFET,也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一種常見的電子器件。它是一種半導(dǎo)體器件
2023-08-04 15:24:152047

功率半導(dǎo)體的知識總結(jié)(MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件

功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率 IC 等。其中,功率半導(dǎo)體分立器件,按照器件結(jié)構(gòu)劃分,可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043

逆勢而上:中國在全球半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的競爭之路

半導(dǎo)體功率器件在全球半導(dǎo)體市場中占有重要的位置,其在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。然而,中國的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國家相比,還存在一定的差距。本文將探討中國的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀,與國際先進水平的差距以及未來的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2023-07-19 10:31:11603

終止科創(chuàng)板IPO后 功率半導(dǎo)體器件廠商瑞能半導(dǎo)擬北交所上市

從事輸出半導(dǎo)體零部件的研究開發(fā)、生產(chǎn)及銷售的瑞能半導(dǎo),以芯片設(shè)計、晶片制造、成套設(shè)計為一體化經(jīng)營輸出半導(dǎo)體企業(yè),致力于領(lǐng)先的輸出半導(dǎo)體零部件組裝的開發(fā)和生產(chǎn)。公司的主要產(chǎn)品主要是晶閘管、功率二極管等,廣泛用于以家電產(chǎn)品為代表的消費者電子、以通信電源為代表的工業(yè)制造、新能源及汽車等領(lǐng)域。
2023-07-18 09:43:38864

在2023慕尼黑上海電子展遇見三安半導(dǎo)體

技術(shù)。 三安半導(dǎo)體專注于碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體的研發(fā)和制造,展會現(xiàn)場展示了最新的產(chǎn)品系列,包括SiC MOSFET、SiC Schottky二極管和GaN HEMT等關(guān)鍵器件,其中自主開發(fā)的SiC MOSFET產(chǎn)品和工藝平臺備受矚目。憑借卓越的品質(zhì)和先進的制造工藝,三安半導(dǎo)體贏得了全球
2023-07-12 21:39:14428

Littelfuse的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件介紹

在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域,高壓(HV)分立功率半導(dǎo)體器件變得越來越重要,Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483

華羿微電科創(chuàng)板IPO獲受理!主打MOSFET功率器件,募資11億布局車規(guī)級市場

及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年,是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè),主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520

華羿微電科創(chuàng)板IPO獲受理!主打MOSFET功率器件,募資11億布局車規(guī)級市場

研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項目等。 ? 華羿微電成立于2017年,是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè),主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409

鑫祥微第三代半導(dǎo)體功率器件項目落戶日照

據(jù)藍色空港消息,先進半導(dǎo)體制造項目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計、研發(fā)、制造、功率器件clip先進工程包裝、電力驅(qū)動產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項目總投資8億元,分三期建設(shè),一期投資2億元,計劃建設(shè)6條clip先進包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602

半導(dǎo)體功率器件研發(fā)企業(yè)北一半導(dǎo)體完成超1.5億元B輪融資

公司團隊由來自國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)的成員組成,公司擁有經(jīng)驗豐富且具有創(chuàng)新能力的國際型人才隊伍,團隊核心成員從事半導(dǎo)體功率器件設(shè)計和工藝開發(fā)20余年,擁有業(yè)界領(lǐng)先的模組及芯片設(shè)計研發(fā)水平及完善的工藝。
2023-06-25 16:41:55337

有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見錯誤觀念

氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù),可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么,為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解?事實又是怎樣的呢? 關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47

安世半導(dǎo)體擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562

MOSFET器件原理

(VLSI)設(shè)備采用的設(shè)計方式有極大的不同,它仍然采用了與VLSI電路類似的半導(dǎo)體加工工藝。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應(yīng)晶體管發(fā)展而來。圖1描述了MOSFET器件原理圖,傳輸特性和器件符號。雙極結(jié)型晶體管(BJT)自身的局限性驅(qū)動了功率
2023-06-17 14:24:52591

行業(yè)應(yīng)用||安森德SJ MOSFET產(chǎn)品在充電樁上的應(yīng)用

廣,不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū),都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累,研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級結(jié)MOSFET,具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37

安世半導(dǎo)體宣布推出最低導(dǎo)通阻抗,且優(yōu)化關(guān)鍵性能的LFPAK56和LFPAK33封裝MOSFET

蘭奈梅亨--(美國商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導(dǎo)體),分立器件、邏輯器件MOSFET 器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者,今日宣布其已采用 Trench 11 技術(shù)實現(xiàn)具有史上最低導(dǎo)通阻抗
2023-06-08 13:57:21441

基于半導(dǎo)體器件的智能配電方案根據(jù)應(yīng)用場景

基于半導(dǎo)體器件的智能配電方案根據(jù)應(yīng)用場景主要有如下兩種:1. 驅(qū)動芯片加 MOSFET 分立方案。這種方案的復(fù)雜度很高, 突出表現(xiàn)在:電流檢測難度大, 電路保護復(fù)雜, 診斷功能復(fù)雜, 保護功能少, 保護速度慢, 保護策略復(fù)雜。該方案的綜合成本較高, 適用于大電流場合。
2023-05-29 12:42:43449

2023年中國半導(dǎo)體分立器件銷售將達到4,428億元?

分立器件行業(yè)概況 半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一,其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。 從市場需求看,分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護理、安防電子
2023-05-26 14:24:29

功率半導(dǎo)體分立器件你了解多少呢?

功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛,幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè),傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機等。近年來,新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、航空航天及武器裝備等也逐漸成為了功率半導(dǎo)體分立器件的新興應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-05-26 09:51:40573

IGBT和MOSFET該用誰?你選對了嗎?

半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件,具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446

雷卯二極管半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和參數(shù)對比

二極管半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和參數(shù)對比NO.1二極管種類區(qū)別按操作特性進行比較:器件結(jié)構(gòu)說明對比:肖特基二極管由金屬與半導(dǎo)體結(jié)結(jié)形成。在電氣方面,它由多數(shù)載波進行,具有較低的電流泄漏和正向偏置電壓(VF
2023-05-11 10:11:45221

儲能逆變器帶動哪些半導(dǎo)體器件

據(jù)統(tǒng)計,IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲能逆變器里占比高、數(shù)量多,是必不可少的半導(dǎo)體器件
2023-05-08 15:46:30862

ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372

意法半導(dǎo)體供應(yīng)超千萬顆碳化硅器件

意法半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購碳化硅器件
2023-04-26 10:18:51930

國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長,歡迎廣大客戶通過華秋商城購買晶導(dǎo)微系列產(chǎn)品

及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),預(yù)計2021年我國半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模將達到3,229億元。就國內(nèi)市場而言,二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化,而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28

國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長

及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù),預(yù)計2021年我國半導(dǎo)體分立器件市場規(guī)模將達到3,229億元。就國內(nèi)市場而言,二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化,而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

評估,以改善動態(tài)特性和可靠性,并開發(fā)有助于實現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級SiC MOSFET特性對比
2023-04-11 15:29:18

【企業(yè)動態(tài)】華秋與合科泰達成授權(quán)代理合作,共促國內(nèi)功率半導(dǎo)體發(fā)展

半導(dǎo)體分立器件是由單個半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的具有獨立、完整功能的器件。例如:二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應(yīng)晶體管(結(jié)型場效應(yīng)晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404

FDMS86500DC

MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
2023-03-29 09:58:20

FDMS86500L

MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN
2023-03-28 22:19:01

【企業(yè)動態(tài)】華秋與合科泰達成授權(quán)代理合作,共促國內(nèi)功率半導(dǎo)體發(fā)展

半導(dǎo)體分立器件是由單個半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的具有獨立、完整功能的器件。例如:二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場效應(yīng)晶體管(結(jié)型場效應(yīng)晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457

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