電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車(chē)類(lèi) 4A、6A 增強(qiáng)型隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器UCC21551x-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 11:40:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高頻 4A 灌電流同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器TPS28225數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 11:20:230 電橋電路柵驅(qū)動(dòng)器和MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹
2024-03-19 09:43:3646 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS2811-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 09:40:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)器的同步降壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS2838/39/48/49數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 09:32:560 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車(chē)類(lèi)高頻 4A 灌電流同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器TPS28225-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 09:26:560 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙高效同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS51601A數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:07:200 意法半導(dǎo)體(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性,還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性,以滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 為了在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、實(shí)時(shí)的嵌入式電機(jī)控制系統(tǒng),MicrochipTechnologyInc.(微芯科技公司)推出基于dsPIC數(shù)字信號(hào)控制器(DSC)的新型集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系列。該系列器件
2024-03-08 08:22:30114 圣邦微電子推出 SGM48521Q,一款最小脈沖寬度為 1ns 的 5V、7A/6A 車(chē)規(guī)級(jí)低側(cè) GaN 和 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。
2024-03-07 10:36:27375 意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 。ZC6507 包含一個(gè)振蕩器,之后是一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器電路,此電路提供補(bǔ)償輸出信號(hào)以驅(qū)動(dòng)接地參考 N 通道電源開(kāi)關(guān)。該器件包含兩個(gè) 1A電源 MOSFET 開(kāi)關(guān),確保在重負(fù)載條件下正常啟動(dòng)。開(kāi)關(guān)時(shí)鐘也
2024-01-29 17:15:55
。ZC6507 包含一個(gè)振蕩器,之后是一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器電路,此電路提供補(bǔ)償輸出信號(hào)以驅(qū)動(dòng)接地參考 N 通道電源開(kāi)關(guān)。該器件包含兩個(gè) 1A電源 MOSFET 開(kāi)關(guān),確保在重負(fù)載條件下正常啟動(dòng)。開(kāi)關(guān)時(shí)鐘也
2024-01-12 16:08:17
。ZC6507 包含一個(gè)振蕩器,之后是一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器電路,此電路提供補(bǔ)償輸出信號(hào)以驅(qū)動(dòng)接地參考 N 通道電源開(kāi)關(guān)。該器件包含兩個(gè) 1A電源 MOSFET 開(kāi)關(guān),確保在重負(fù)載條件下正常啟動(dòng)。開(kāi)關(guān)時(shí)鐘也
2024-01-04 17:37:19
問(wèn)題狀況是:
驅(qū)動(dòng)器原來(lái)是正常的,現(xiàn)在有問(wèn)題了,問(wèn)題狀況是:驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行中不報(bào)警,一旦驅(qū)動(dòng)器停止立即報(bào)警F24。請(qǐng)知道的朋友告知一下:
1:我已經(jīng)交換了運(yùn)行正常的電機(jī)軸端編碼器,以及編碼器接線,問(wèn)題依舊
2:編碼器線都從外部直接連接,排除干擾
問(wèn)題比較急,謝謝指導(dǎo)的
2023-12-26 07:52:53
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ISL73041SEH 12V半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器的高劑量率總電離劑量測(cè)試.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-21 10:42:460 PI近日推出全新系列的即插即用型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以?xún)?nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04361 緊湊型SiC MOSFET免受過(guò)電流的損壞。新驅(qū)動(dòng)器還具有高級(jí)有源鉗位(AAC)功能,可保護(hù)開(kāi)關(guān)在關(guān)斷期間免受過(guò)壓
2023-12-14 11:37:10287 圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列,一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。 該系列器件被廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 首先我們先了解一下什么是步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是一種電子設(shè)備,用于控制和驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)的運(yùn)動(dòng)。步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器接收來(lái)自控制器的指令信號(hào),并將其轉(zhuǎn)換為適合步進(jìn)電機(jī)的脈沖信號(hào)和電流信號(hào),以實(shí)現(xiàn)步進(jìn)
2023-12-05 12:40:31
BTD25350雙通道隔離,原方帶死區(qū)時(shí)間設(shè)置,副方帶米勒鉗位功能,非常適合充電樁中后級(jí)LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列雙通道隔離型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,峰值輸出電流可達(dá)10A
2023-11-30 09:42:59
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AD2S1210高電流驅(qū)動(dòng)器電路筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-28 10:03:462 較高或響應(yīng)要求較快,那么電壓取值也高,但注意電源電壓的紋波不能超過(guò)驅(qū)動(dòng)器的最大輸入電壓,否則可能損壞驅(qū)動(dòng)器。
2.步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電流的確定
供電電源電流一般根據(jù)驅(qū)動(dòng)器的輸出相電流I來(lái)確定。如果采用線性
2023-11-09 07:50:11
如何降低芯片上電時(shí)的峰值電流呢? 降低芯片上電時(shí)的峰值電流是提高芯片可靠性和效率的關(guān)鍵問(wèn)題之一。在本文中,我將詳細(xì)介紹一些降低芯片上電時(shí)峰值電流的有效方法。 1. 電源設(shè)計(jì)優(yōu)化 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)是降低
2023-11-07 10:42:16593 一般說(shuō)明
MT9284BS6L是一個(gè)升壓轉(zhuǎn)換器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)從一個(gè)單電池鋰離子電池多達(dá)7個(gè)系列的白色led。MT9284BS6L使用電流模式,固定頻率結(jié)構(gòu)來(lái)調(diào)節(jié)LED電流,這是通過(guò)外部電流感測(cè)電阻器
2023-11-06 13:50:59
一般說(shuō)明
MT9284BS6L是一個(gè)升壓轉(zhuǎn)換器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)從一個(gè)單電池鋰離子電池多達(dá)7個(gè)系列的白色led。MT9284BS6L使用電流模式,固定頻率結(jié)構(gòu)來(lái)調(diào)節(jié)LED電流,這是通過(guò)外部電流感測(cè)電阻器
2023-11-04 12:05:44
BP3187EB 是一款高精度的兩繞組、低 PF 原邊反饋恒流驅(qū)動(dòng)器,適合搭配前級(jí) APFC 升壓電路,實(shí)現(xiàn)兩級(jí)隔離無(wú)頻閃應(yīng)用。 BP3187EB 芯片采用差分采樣檢測(cè)輸出電壓和退磁信號(hào)可以實(shí)現(xiàn)兩
2023-11-03 11:31:52
1 產(chǎn)品特性
可驅(qū)動(dòng) 6 個(gè) N 溝道的 MOSFET
同步整流降低功耗
內(nèi)部欠壓鎖定(UVLO)和過(guò)熱關(guān)機(jī)電路
霍爾元器輸入
PWM 電流限制
死區(qū)保護(hù)
FG 輸出
2023-10-27 09:30:29
Littelfuse宣布推出首款汽車(chē)級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿(mǎn)足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)苛要求,提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 *附件:LP4931A 數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
今天我們來(lái)介紹一下LP4931A,這是一款非常完善的三相無(wú)刷直流電機(jī)的前置驅(qū)動(dòng)器,它可以驅(qū)動(dòng)多種N溝道的功率 MOSFET,支持馬達(dá)供電電壓高達(dá)30V。利用
2023-10-23 18:40:15
今天我們來(lái)介紹一下LP4931A,這是一款非常完善的三相無(wú)刷直流電機(jī)的前置驅(qū)動(dòng)器,它可以驅(qū)動(dòng)多種N溝道的功率 MOSFET,支持馬達(dá)供電電壓高達(dá)30V。利用外部三個(gè)霍爾元件輸入信號(hào)實(shí)現(xiàn)120°換相
2023-10-23 17:32:24
ZXGD3006E6Q 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的ZXGD3006E6Q這是一款用于開(kāi)關(guān) IGBT 和 SiC MOSFET 的 40V 柵極驅(qū)動(dòng)器 。它可以將高達(dá) 10A
2023-10-19 11:28:50
ZXGD3004E6Q 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的ZXGD3004E6Q這是一款高速非反相單柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于切換MOSFET或IGBTS。最高可傳輸5A峰值源極/源極電流
2023-10-19 11:24:37
圣邦微電子推出 SGM48521,一款 5V,7A/6A,脈寬 1ns 的低側(cè) GaN 和 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。 該 器件可應(yīng)用于便攜式設(shè)備、智能手機(jī)、工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備。 高速單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器
2023-10-18 15:45:01261 是完美的選擇,它們可以根據(jù)其柵極(門(mén)極)上的電壓來(lái)控制其漏極-源極引腳上的更大電流。然而,有時(shí) MOSFET 本身也需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)器。在探討 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的工作原理之前,讓我們快速回顧一下 MOSFET 作為開(kāi)關(guān)的作用。
2023-10-16 09:19:231185 AL1697是一款高性能、高功率因數(shù)、高效率和高精度的降壓-升壓LED驅(qū)動(dòng)器,適用于市電可調(diào)光LED燈應(yīng)用。AL1697拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在寬線路和負(fù)載調(diào)節(jié)范圍內(nèi)提供精確的輸出電流。寬開(kāi)關(guān)頻率在邊界傳導(dǎo)模式
2023-10-12 15:09:18
大部分驅(qū)動(dòng)器都是脈沖控制,怎么通過(guò)電壓控制驅(qū)動(dòng)器
2023-10-12 06:00:22
步進(jìn)電機(jī)的半步驅(qū)動(dòng)是由驅(qū)動(dòng)器來(lái)設(shè)置的嗎
2023-10-11 06:52:18
管輸入端(柵極)的驅(qū)動(dòng)電路要比雙極型晶體管的基極驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單得多。而且MOSFET管沒(méi)有存儲(chǔ)時(shí)間,就避免了復(fù)雜的 Baker 鉗位電路和比例基極驅(qū)動(dòng)電路。另外,雙極型晶體管β值在制造過(guò)程中可能相差達(dá)4
2023-09-28 06:33:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 該調(diào)光控制LED驅(qū)動(dòng)器電路采用LM3409P溝道MosFET控制器設(shè)計(jì),用于降壓(降壓)電流調(diào)節(jié)器。
2023-09-16 17:19:00328 2023 年 9 月 6 日,中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器,新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸,降低了物料清單成本,能夠滿(mǎn)足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD,采用意法半導(dǎo)體新型6kV電流隔離技術(shù),以及SO-36W寬體封裝。瞬態(tài)抗擾度為±100V/ns,可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
2ED020I06-FI是一款高電壓,高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,具有聯(lián)鎖高側(cè)和低側(cè)參考輸出。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器可以直接供電,也可以通過(guò)二極管和電容供電。除了每個(gè)驅(qū)動(dòng)器的邏輯輸入外
2023-08-24 18:21:45
% 負(fù)載
集成兩個(gè)8mΩ 功率 MOSFET
使用 PWM 信號(hào)或模擬信號(hào)動(dòng)態(tài)編程輸出電流和輸出電壓
可調(diào)開(kāi)關(guān)頻率
使用電阻頻率抖動(dòng)
良好的 EMI 性能
集成2A MOSFET 門(mén)驅(qū)動(dòng)器
綜合保護(hù)功能
2023-08-16 11:33:09
世微AP2813 平均電流雙路降壓恒流驅(qū)動(dòng)器 LED儲(chǔ)能電源驅(qū)動(dòng)指示燈IC 可恒流可爆閃 可雙路恒流
2023-08-15 15:12:55514 描述ISL6840、ISL6841、ISL6842、ISL6843和ISL6844 (ISL684x)系列可調(diào)頻率、低功耗、脈寬調(diào)制(PWM)電流模式控制器設(shè)計(jì)用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,包括升壓、反激
2023-08-08 17:10:21
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無(wú)源元件時(shí),有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過(guò)程了解不透徹,將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34807 OB2269CP做12V 6A變壓器溫度很高,求解決辦法!
2023-07-31 18:16:13
OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在 6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 1.5 A 最大輸出電流,并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-07-29 14:13:39
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類(lèi)功率音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。 MD7120 用于驅(qū)動(dòng)在 H 橋開(kāi)關(guān)兩側(cè)運(yùn)行的四個(gè) N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉(zhuǎn)換器
2023-07-28 16:20:50801 介紹
在設(shè)計(jì)電源開(kāi)關(guān)系統(tǒng)(例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源)時(shí),設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求?什么是最好的MOSFET或IGBT來(lái)匹配該電機(jī)或變壓器?以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(chē)熱交換系統(tǒng)、汽車(chē)執(zhí)行器、小型風(fēng)扇和泵以及乘車(chē)空調(diào)系統(tǒng) TDK 株式會(huì)社 正在擴(kuò)大其 Micronas 嵌入式電機(jī)控制器系列 HVC,并推出 HVC 5223C。這是一款經(jīng)認(rèn)證 的汽車(chē)級(jí)一級(jí)產(chǎn)品,全集成電機(jī)控制器,可驅(qū)動(dòng)峰值相電流為 2 A 的小型有刷(BDC)或無(wú)
2023-07-20 17:22:01867 寬供電電壓、雙通道、高速、低測(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,包括功率MOSFET,IGBT。單個(gè)通道能夠提供高達(dá)4A拉電流和4A灌電流的軌到軌驅(qū)
2023-07-18 09:01:27330 柵極驅(qū)動(dòng)器是一種電子器件,它能夠?qū)⑿盘?hào)電平作為輸入,通過(guò)放大和轉(zhuǎn)換等過(guò)程,產(chǎn)生適合于驅(qū)動(dòng)下級(jí)器件的電源信號(hào)。柵極驅(qū)動(dòng)器廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如顯示器、LED燈、電源逆變器等。
2023-07-14 14:48:441356 安森美 NCV8415自保護(hù)低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器是三端保護(hù)的智能分立FET,適用于嚴(yán)苛的汽車(chē)環(huán)境。NCV8415元件具有各種保護(hù)特性,包括用于Delta熱關(guān)斷、過(guò)電流、過(guò)溫、ESD和用于過(guò)壓保護(hù)的集成漏極-柵極鉗位。該器件還通過(guò)柵極引腳提供故障指示。下面AMEYA360電子元器件采購(gòu)網(wǎng)詳細(xì)介紹。
2023-07-04 16:24:15266 在大功率應(yīng)用場(chǎng)合,經(jīng)常用到驅(qū)動(dòng)器(包括隔離驅(qū)動(dòng)器、有時(shí)這也稱(chēng)專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)IC)。而衡量其驅(qū)動(dòng)能力,說(shuō)白了就, 能帶多大的管子的能力,體現(xiàn)在規(guī)格書(shū)中的一些參數(shù)中。
2023-07-04 11:26:193097 本文會(huì)著重介紹TI集成MOSFET的有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的電流輸出級(jí)特性,以及如何增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)峰值電流。
2023-07-04 10:21:231843 納芯微全新推出120V半橋驅(qū)動(dòng)NSD1224系列產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品具備3A/-4A的峰值驅(qū)動(dòng)電流能力,集成 高壓自舉二極管 ,提供使能、互鎖、欠壓保護(hù)不同版本,有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流,必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556 是一款外圍電路簡(jiǎn)單的多功能平均電流型 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器,適用于寬電壓范圍的非隔離式大功率恒流 LED 驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。 芯片 PWM 端口支持超小占空比的 PWM 調(diào)光,可響應(yīng)最小 60ns 脈寬。芯片采用我
2023-05-27 11:42:27
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:54:02518 常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件,而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:52:08747 USB充電數(shù)據(jù)線專(zhuān)用升壓恒壓驅(qū)動(dòng)芯片
一般說(shuō)明
輸入3.6-5V輸出6-8.4V 1A電流升壓IC
AP8660是一種電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。內(nèi)置0.25Ω的PWM電路
功率MOSFET
2023-05-18 11:23:50
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極(相對(duì)于源極或發(fā)射極)。使用專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391473 描述SY8366H開(kāi)發(fā)了一種高效的同步降壓DC-DC調(diào)節(jié)器,能夠提供6A連續(xù)的,12A的峰值電流。SY8366H在從4V到28V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作,并集成了主開(kāi)關(guān)和同步開(kāi)關(guān)與極低的RDS
2023-05-15 11:52:47
CS9025兼容DRV8825峰值2.5A電流驅(qū)動(dòng)能力,STEP/DIR微步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片
2023-05-14 13:22:56660 推薦一款雙功率橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,帶有精確的電流監(jiān)控,電流控制和電流限制徹底解決傳統(tǒng)功率橋芯片電流控制復(fù)雜的問(wèn)題。提高控制感性線圈負(fù)載的電流精度。內(nèi)置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
。輸出最大功率150W,最大電流6A。AP5191可實(shí)現(xiàn)線性調(diào)光和PWM調(diào)光,線性調(diào)光腳有效電壓范圍0.55-2.6V.AP5191 工作頻率可以通過(guò)RT 外部電阻編程來(lái)設(shè)定,同時(shí)內(nèi)置抖頻電路,可以
2023-04-28 17:58:08
,可提供6A峰值灌電流、5A峰值拉電流驅(qū)動(dòng)。這些器件支持高速切換,結(jié)合器件的低傳輸延時(shí)、超低脈寬失真等優(yōu)勢(shì),使其成為MOSFET、IGBT、SiC等大功率晶體管驅(qū)動(dòng)的理想選擇,最高工作頻率可達(dá)5MHz,適用于各種逆變器、隔離電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。 所有器件采用川土特有的電容隔離技術(shù),在內(nèi)部集成數(shù)字隔離
2023-04-24 18:31:401791 LTC?1693 系列以高速驅(qū)動(dòng)功率 N 溝道 MOSFET。1.5A 峰值輸出電流降低了具有高柵極電容之 MOSFET 中的開(kāi)關(guān)損耗。LTC1693-1 包含兩個(gè)同相驅(qū)動(dòng)器,而 LTC1693-2
2023-04-23 09:14:35
變并在此瞬變過(guò)程中繼續(xù)運(yùn)行。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器能力可降低具高柵極電容 MOSFET 中的開(kāi)關(guān)損耗。LTC4440 的上拉電路具有 2.4A 的峰值輸出電流,而其下拉電路
2023-04-21 13:42:03
VIN 瞬變并在此瞬變過(guò)程中繼續(xù)運(yùn)行。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器能力可降低具高柵極電容 MOSFET 中的開(kāi)關(guān)損耗。LTC4440-5 的上拉電路具有 1.1A 的峰值輸出電流,而
2023-04-21 13:38:31
LTC?4441 / LTC4441-1 是 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠提供高達(dá) 6A 的峰值輸出電流。該芯片專(zhuān)為在高達(dá) 25V 的電源電壓條件下運(yùn)作而設(shè)計(jì),并具有一個(gè)用于柵極驅(qū)動(dòng)
2023-04-21 13:29:20
外部MOSFET的上升和下降時(shí)間。MAX15024是單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠吸入8A峰值電流、源出4A峰值電流;MAX15025是雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠吸入4A峰值電
2023-04-21 11:41:41
外部MOSFET的上升和下降時(shí)間。MAX15024是單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠吸入8A峰值電流、源出4A峰值電流;MAX15025是雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠吸入4A峰值電
2023-04-21 11:37:01
的開(kāi)關(guān)損耗。LTC4446 用于頂端柵極驅(qū)動(dòng)器的上拉電路具有 2.5A 的峰值輸出電流,而其下拉電路則具有 1.2Ω 的輸出阻抗。用于底端柵極驅(qū)動(dòng)器的上拉電路具有 3A
2023-04-21 11:28:09
MAX15070A/MAX15070B為高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器,可以吸收7A并源出3A峰值電流。這兩款IC為MAX5048的升級(jí)版本,具有反相和同相輸入,為控制MOSFET提供更大的靈活性。器件提供
2023-04-21 09:54:27
TMI8723是一款專(zhuān)為H橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。它能夠驅(qū)動(dòng)由四個(gè)高達(dá)40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個(gè)可調(diào)節(jié)的電荷泵來(lái)產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)功率,峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時(shí),TMI8723可以通過(guò)引腳VDS設(shè)置過(guò)電流點(diǎn)的值。
2023-04-20 15:00:311 您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器,但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問(wèn)題。首先,是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說(shuō)明。我們看到的是在沒(méi)有任何
2023-04-19 06:36:06
ISL89367 數(shù)據(jù)表
2023-04-18 18:39:530 OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 1.5 A最大輸出電流,并且具有出色的線電壓和負(fù)載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
OC5864 是一款內(nèi)置功率 MOSFET0.6A 的峰值輸出電流的單片降壓型開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC58640.9Q 的內(nèi)部功率 MOSFET在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02
每個(gè) H 橋的輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由配置為 H 橋的 N 溝道功率 MOSFET 組成,用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)繞組。每個(gè) H 橋均具備調(diào)節(jié)或限制繞組電流的電路。
2023-04-07 12:26:21311 智融SW3536是一顆支持1A1C雙USB口輸出的降壓控制器芯片,內(nèi)置多快充協(xié)議,支持雙口功率盲插,支持雙口獨(dú)立限流。內(nèi)置的同步降壓轉(zhuǎn)換器支持7A大電流輸出,可使用氮化鎵開(kāi)關(guān)管,以獲得更小的體積
2023-04-04 17:53:37
控制器的輸出信號(hào)為雙脈沖,能否控制單脈步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)兩相步進(jìn)電機(jī)?
2023-04-04 16:42:23
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 大電流MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2023-03-29 21:31:02
3D 打印監(jiān)控功能描述MS35776 是一個(gè)兩相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,采用雙 NDMOS 組成的全橋輸出結(jié)構(gòu),能提供較大電流驅(qū)動(dòng)能力。ENN 控制輸出驅(qū)動(dòng),當(dāng) ENN 為低時(shí)打開(kāi)輸出驅(qū)動(dòng)。MS35776 外圍控制簡(jiǎn)單,它的靜音特性特別適用于家用或辦公。
2023-03-29 11:34:00
。(IGBT = MOSFET + 晶體管) FS820R08A6P2B型IGBT模塊的工作電流高達(dá)820 A,吸收電壓為750 V,且配備用于冷卻液的針狀散熱翅片,為IGBT模塊提供散熱。這些模塊能實(shí)現(xiàn)高達(dá)
2023-03-23 16:01:54
產(chǎn)品描述APS54083 是一款 PWM 工作模式,高效率、外圍簡(jiǎn)單、外置功率 MOS 管,適用于 5-220V 輸入高精度降壓 LED 恒流驅(qū)動(dòng)芯片。輸出最大功率150W最大電流 6A
2023-03-23 10:40:37
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無(wú)限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514 6A高速功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2023-03-23 04:51:16
評(píng)論
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