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　　***新竹，常憶科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一顆256Kbit序列閃存產品─PM25LD256C。

　　市場上既有的序列閃存廠商之技術, 由于在小容量產品上已無法有效降低die size及成本, 因此序列閃存產品在業界之最小容量一般只做到512Kbit, 惟常憶科技以pFlash的專利設計才能有效降低512Kbit以下容量的Flash die size, 故決定推出該項業界獨有之產品。

　　常憶科技256Kbit序列閃存產品的主要應用市場,是在需要極小容量程序代碼或數據存儲的運用方面,如NB/PC cam、游戲機、服務器、數字機上盒、數字電視等等原本使用EEPROM 32Kbit ~ 256Kbit之應用。在不增加現有接腳數, 且能提供極佳讀寫速度, 擦寫次數, 低耗電量及長期數據保存年限, 并幫助系統廠商降低原本較昂貴的EEPROM成本最高可達60%, 常憶科技256Kbit序列閃存產品是最合適的選擇。

　　藉由PMOS band-to-band-tunnel(BTBT)專利的制程結構，0.18um pFlash 在-40度C至105度C可確保在經過20萬次擦寫后仍可保存資料長達20年。相較同業普遍使用的其它技術，die size面積約可縮小百分之40，并降低使用功率以及靜態電流, 故常憶科技之序列閃存在過去十年持續提高出貨量及市占率, 質量表現在2010全年累計為0.4ppm, 更為閃存創下業界品質之標竿。

　　常憶科技已于今年四月推出PM25LD256C樣品后，于七月正式量產。相關產品說明請至常憶科技網站查詢。

　　以下為PM25LD256C產品之主要功能說明:

　　功能

　　容量: 256Kbit; 符合Serial Peripheral Interface基本協議架構

　　抹除單位: 4K-byte or 32K-byte

　　寫入單位: 256-byte per page

　　工作電壓范圍 : 2.7-3.6V

　　符合工業級溫度范圍 -40 ~ 105’C

　　性能表現

　　讀取性能表現: Max 100MHz for fast read

　　寫入性能表現(時間): Typical 2ms per page program

　　抹除性能表現(時間): Sector/Block/Chip Max 7ms

　　耗電表現: Typical 1mA active read current, Typical 10mA program/erase current

　　擦寫次數: Min 200,000 cycles

　　資料保存年限: Min 20 years

　　封裝

　　業界標準之 8 pin SOIC, TSSOP, USON, KGD

　　符合RoHS的無鉛封裝