FC裝配技術(shù)最全資料
?

器件的小型化高密度封裝形式越來越多，如多模塊封裝（MCM）、系統(tǒng)封裝（SiP）、倒裝芯片（FC，F(xiàn)lip-Chip）等應(yīng)用得越來越多。這些 技術(shù)的出現(xiàn)更加模糊了一級(jí)封裝與二級(jí)裝配之間的界線。毋庸置疑，隨著小型化高密度封裝的出現(xiàn)，對(duì)高速與高精度裝 配的要求變得更加關(guān)鍵，相關(guān)的組裝設(shè)備和工藝也更具先進(jìn)性與高靈活性。

由于倒裝芯片比BGA或CSP具有更小的外形尺寸、更小的球徑和球間距、它對(duì)植球工藝、基板技術(shù)、材料的兼容性、制造工藝，以及檢查設(shè)備和方法提出了前所未有的挑戰(zhàn)。

倒裝芯片的發(fā)展歷史

倒裝芯片的定義

什么器件被稱為倒裝芯片？一般來說，這類器件具備 以下特點(diǎn)：

1.基材是硅；
2.電氣面及焊凸在器件下表面；
3.球間距一般為4-14mil、球徑為2.5-8mil、外形尺寸為1-27mm；
4.組裝在基板上后需要做底部填充。

其實(shí)，倒裝芯片之所以被稱為“倒裝”，是相對(duì)于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式（Wire Bonding）與植球后的工藝而言的。傳統(tǒng)的通過金屬線鍵合與基板連接的芯片電氣面朝 上（圖1），而倒裝芯片的電氣面朝下（圖2），相當(dāng)于將 前者翻轉(zhuǎn)過來，故稱其為“倒裝芯片”。在圓片（Wafer） 上芯片植完球后（圖3），需要將其翻轉(zhuǎn)，送入貼片機(jī)，便于貼裝，也由于這一翻轉(zhuǎn)過程，而被稱為“倒裝芯片”。

?
圖1
??

圖2
??

圖3

倒裝芯片的歷史及其應(yīng)用

倒裝芯片在1964年開始出現(xiàn)，1969年由IBM發(fā)明了倒 裝芯片的C4工藝（Controlled Collapse Chip Connection， 可控坍塌芯片聯(lián)接）。過去只是比較少量的特殊應(yīng)用，近 幾年倒裝芯片已經(jīng)成為高性能封裝的互連方法，它的應(yīng)用 得到比較廣泛快速的發(fā)展。目前倒裝芯片主要應(yīng)用在Wi- Fi、SiP、MCM、圖像傳感器、微處理器、硬盤驅(qū)動(dòng)器、醫(yī)用傳感器，以及RFID等方面（圖5）。

?
圖4
??

圖5

與此同時(shí)，它已經(jīng)成為小型I/O應(yīng)用有效的互連解決方案。隨著微型化及人們已 接受SiP，倒裝芯片被視為各種針腳數(shù)量低的應(yīng)用的首選方法。從整體上看，其在低端應(yīng)用和高端應(yīng)用中的采用，根 據(jù)TechSearch International Inc對(duì)市場容量的預(yù)計(jì)，焊球凸點(diǎn)倒裝芯片的年復(fù)合增長率（CAGR）將達(dá)到31%。

倒裝芯片應(yīng)用的直接驅(qū)動(dòng)力來自于其優(yōu)良的電氣性能，以及市場對(duì)終端產(chǎn)品尺寸和成本的要求。在功率及電 信號(hào)的分配，降低信號(hào)噪音方面表現(xiàn)出色，同時(shí)又能滿足高密度封裝或裝配的要求?？梢灶A(yù)見，其應(yīng)用會(huì)越來越廣泛。

倒裝芯片的組裝工藝流程

一般的混合組裝工藝流程

在半導(dǎo)體后端組裝工廠中，現(xiàn)在有兩種模塊組裝方法。在兩次回流焊工藝中，先在單獨(dú)的SMT生產(chǎn)線上組裝SMT器件，該生產(chǎn)線由絲網(wǎng)印刷機(jī)、貼片機(jī)和第一個(gè)回 流焊爐組成。然后再通過第二條生產(chǎn)線處理部分組裝的模塊，該生產(chǎn)線由倒裝芯片貼片機(jī)和回流焊爐組成。底部填 充工藝在專用底部填充生產(chǎn)線中完成，或與倒裝芯片生產(chǎn)線結(jié)合完成。

?
圖6

倒裝芯片的裝配工藝流程介紹

相對(duì)于其它的IC器件，如BGA、CSP等，倒裝芯片 裝配工藝有其特殊性，該工藝引入了助焊劑工藝和底部填充工藝。因?yàn)橹竸埩粑铮▽?duì)可靠性的影響）及橋連的 危險(xiǎn)，將倒裝芯片貼裝于錫膏上不是一種可采用的裝配方法。業(yè)內(nèi)推出了無需清潔的助焊劑，芯片浸蘸助焊劑工藝成為廣泛使用的助焊技術(shù)。目前主要的替代方法是使用免洗助焊劑，將器件浸蘸在助焊劑薄膜里讓器件焊球蘸取一 定量的助焊劑，再將器件貼裝在基板上，然后回流焊接；或者將助焊劑預(yù)先施加在基板上，再貼裝器件與回流焊 接。助焊劑在回流之前起到固定器件的作用，回流過程中起到潤濕焊接表面增強(qiáng)可焊性的作用。

倒裝芯片焊接完成后，需要在器件底部和基板之間填充一種膠（一般為環(huán)氧樹酯材料）。底部填充分為于“毛細(xì)流動(dòng)原理”的流動(dòng)性和非流動(dòng)性（No-follow）底部填充。

上述倒裝芯片組裝工藝是針對(duì)C4器件（器件焊凸材料為SnPb、SnAg、SnCu或SnAgCu）而言。另外一種工藝是 利用各向異性導(dǎo)電膠（ACF）來裝配倒裝芯片。預(yù)先在基板上施加異性導(dǎo)電膠，貼片頭用較高壓力將器件貼裝在基板 上，同時(shí)對(duì)器件加熱，使導(dǎo)電膠固化。該工藝要求貼片機(jī)具有非常高的精度，同時(shí)貼片頭具有大壓力及加熱功能。 對(duì)于非C4器件（其焊凸材料為Au或其它）的裝配，趨向采用此工藝。這里，我們主要討論C4工藝，下表列出的是倒裝芯片植球（Bumping）和在基板上連接的幾種方式。

倒裝倒裝芯片幾何尺寸可以用一個(gè)“小”字來形容：焊球直徑?。ㄐ〉?.05mm），焊球間距小（小到0.1mm），外形尺寸?。?mm2）。要獲得滿意的裝配良率，給貼裝設(shè)備及其工藝帶來了挑戰(zhàn)，隨著焊球直徑的縮小，貼裝精度要求越來越高，目前12μm甚至10μm的精度越來越常見。貼片設(shè)備照像機(jī)圖形處理能力也十分關(guān)鍵，小的球徑小的球間距需要更高像素的像機(jī)來處理。

隨著時(shí)間推移，高性能芯片的尺寸不斷增大，焊凸（Solder Bump）數(shù)量不斷提高，基板變得越來越薄，為了提高產(chǎn)品可靠性底部填充成為必須。

?
圖7?
?

圖8
??

表1

對(duì)貼裝壓力控制的要求

考慮到倒裝芯片基材是比較脆的硅，若在取料、助焊劑浸蘸過程中施以較大的壓力容易將其壓裂，同時(shí)細(xì)小的焊凸在此過程中也容易壓變形，所以盡量使用比較低的貼裝壓力。一般要求在150g左右。對(duì)于超薄形芯片，如0.3mm，有時(shí)甚至要求貼裝壓力控制在35g。

對(duì)貼裝精度及穩(wěn)定性的要求

對(duì)于球間距小到0.1mm的器件，需要怎樣的貼裝精度才能達(dá)到較高的良率？基板的翹曲變形，阻焊膜窗口的尺寸和位置偏差，以及機(jī)器的精度等，都會(huì)影響到最終的貼裝精度。關(guān)于基板設(shè)計(jì)和制造的情況對(duì)于貼裝的影響，我們?cè)诖瞬蛔饔懻?，這里我們只是來討論機(jī)器的貼裝精度。

芯片裝配工藝對(duì)貼裝設(shè)備的要求

為了回答上面的問題，我們來建立一個(gè)簡單的假設(shè)模型：

1.假設(shè)倒裝芯片的焊凸為球形，基板上對(duì)應(yīng)的焊盤為圓形，且具有相同的直徑；
2.假設(shè)無基板翹曲變形及制造缺陷方面的影響；
3.不考慮Theta和沖擊的影響；
4.在回流焊接過程中，器件具有自對(duì)中性，焊球與潤濕面50%的接觸在焊接過程中可以被“拉正”。

那么，基于以上的假設(shè)，直徑25μm的焊球如果其對(duì)應(yīng)的圓形焊盤的直徑為50μm時(shí)，左右位置偏差（X軸）或 前后位置偏差（Y軸）在焊盤尺寸的50%，焊球都始終在焊盤上（圖9）。對(duì)于焊球直徑為25μm的倒裝芯片，工藝能力Cpk要達(dá)到1.33的話，要求機(jī)器的最小精度必須達(dá)到12μm@3sigma。

??
圖9

對(duì)照像機(jī)和影像處理技術(shù)的要求

要處理細(xì)小焊球間距的倒裝芯片的影像，需要百萬像素的數(shù)碼像機(jī)。較高像素的數(shù)碼像機(jī)有較高的放大倍率， 但是，像素越高視像區(qū)域（FOV）越小，這意味著大的器件可能需要多次“拍照”。照像機(jī)的光源一般為發(fā)光二極 管，分為側(cè)光源、前光源和軸向光源，并可以單獨(dú)控制。倒裝芯片的的成像光源采用側(cè)光、前光，或兩者結(jié)合。

那么，對(duì)于給定器件如何選擇像機(jī)呢？這主要依賴圖 像的算法。譬如，區(qū)分一個(gè)焊球需要N個(gè)像素，則區(qū)分球間 距需要2N個(gè)像素。以環(huán)球儀器的貼片機(jī)上Magellan數(shù)碼像機(jī)為例，其區(qū)分一個(gè)焊球需要4個(gè)像素，我們用來看不同的 焊球間隙所要求的最大的像素應(yīng)該是多大，這便于我們根 據(jù)不同的器件來選擇相機(jī)，假設(shè)所有的影像是實(shí)際物體尺寸的75%。

?
表2

倒裝芯片基準(zhǔn)點(diǎn)（Fiducial）的影像處理與普通基準(zhǔn) 點(diǎn)相似。倒裝芯片的貼裝往往除整板基準(zhǔn)點(diǎn)外（Global fiducial）會(huì)使用局部基準(zhǔn)點(diǎn)（Local fiducial），此時(shí)的基 準(zhǔn)點(diǎn)會(huì)較?。?.15—1.0mm），像機(jī)的選擇參照上面的方 法。對(duì)于光源的選擇需要斟酌，一般貼片頭上的相機(jī)光源 都是紅光，在處理柔性電路板上的基準(zhǔn)點(diǎn)時(shí)效果很差，甚至找不到基準(zhǔn)點(diǎn)，其原因是基準(zhǔn)點(diǎn)表面（銅）的顏色和基 板顏色非常接近，色差不明顯。如果使用環(huán)球儀器的藍(lán)色光源專利技術(shù)就很好的解決了此問題。

?
圖10

吸嘴的選擇

由于倒裝芯片基材是硅，上表面非常平整光滑，最好選擇頭部是硬質(zhì)塑料材料具多孔的ESD吸嘴。如果選擇頭部 為橡膠的吸嘴，隨著橡膠的老化，在貼片過程中可能會(huì)粘連器件，造成貼片偏移或帶走器件。

回流焊接及填料固化后的檢查

對(duì)完成底部填充以后產(chǎn)品的檢查有非破壞性檢查和破壞性檢查，非破壞性的檢查有：

·利用光學(xué)顯微鏡進(jìn)行外觀檢查，譬如檢查填料在器件側(cè)面爬升的情況，是否形成良好的邊緣圓角，器件表面是否有臟污等

·利用X射線檢查儀檢查焊點(diǎn)是否短路，開路，偏移，潤濕情況，焊點(diǎn)內(nèi)空洞等

·電氣測試（導(dǎo)通測試），可以測試電氣聯(lián)結(jié)是否有 問題。對(duì)于一些采用菊花鏈設(shè)計(jì)的測試板，通過通斷測試還可以確定焊點(diǎn)失效的位置

·利用超聲波掃描顯微鏡（C-SAM）檢查底部填充后 其中是否有空洞、分層，流動(dòng)是否完整

破壞性的檢查可以對(duì)焊點(diǎn)或底部填料進(jìn)行切片，結(jié)合光學(xué)顯微鏡，金相顯微鏡或電子掃描顯微鏡和能譜分析儀（SEM/EDX），檢查焊點(diǎn)的微觀結(jié)構(gòu)，例如，微裂紋/微孔，錫結(jié)晶，金屬間化合物，焊接及潤濕情況，底部填充 是否有空洞、裂紋、分層、流動(dòng)是否完整等。

完成回流焊接及底部填充工藝后的產(chǎn)品常見缺陷有：焊點(diǎn)橋連/開路、焊點(diǎn)潤濕不良、焊點(diǎn)空洞/氣泡、焊點(diǎn)開裂/脆裂、底部填料和芯片分層和芯片破裂等。對(duì)于底部填充是否完整，填料內(nèi)是否出現(xiàn)空洞，裂紋和分層現(xiàn)象，需要超聲波掃描顯微鏡（C-SAM）或通過與芯片底面平行的 切片（Flat section）結(jié)合顯微鏡才能觀察到，這給檢查此 類缺陷增加了難度。

底部填充材料和芯片之間的分層往往發(fā)生在應(yīng)力最大 器件的四個(gè)角落處或填料與焊點(diǎn)的界面，如圖13所示。

??
圖13

總結(jié)

倒裝芯片在產(chǎn)品成本、性能及滿足高密度封裝等方面，體現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)，它的應(yīng)用也漸漸成為主流。由于倒裝芯片的尺寸小，要保證高精度高產(chǎn)量高重復(fù)性，這給我們傳統(tǒng)的設(shè)備及工藝帶來了挑戰(zhàn)，具體表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

1.基板（硬板或軟板）的設(shè)計(jì)方面；
2.組裝及檢查設(shè)備方面；
3.制造工藝,芯片的植球工藝，PCB的制造工藝，SMT工藝；
4.材料的兼容性。

全面了解以上問題是成功進(jìn)行倒裝芯片組裝工藝的基礎(chǔ)。

環(huán)球儀器SMT實(shí)驗(yàn)室自1994年已成功開發(fā)此完整工藝，迄今我們使用了約75種助焊劑和150種底部填充材料在大量不同的基板上貼裝了100,000個(gè)倒裝片，進(jìn)行測試和細(xì)致的失效分析，涵蓋了廣泛的參數(shù)范圍。

環(huán)球儀器對(duì)于倒裝芯片裝配的設(shè)備解決方案，兼顧了高速和高精度的特點(diǎn)，譬如：DDF送料器結(jié)合GI-14平臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)裸芯片進(jìn)料高速貼裝，而AdVantis XS平臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)精度達(dá)9微米3西格碼的貼裝(見下表)?？梢詰?yīng)用這些解決方案實(shí)現(xiàn)倒裝芯片，系統(tǒng)封裝（高混合裝配），裸芯片裝配及內(nèi)植器件。

??
表3