當工作頻率較高(2GHz左右)時，信號波長逐漸可以與器件尺寸相比擬。片式電感的阻抗呈現(xiàn)出明顯的分布特性，即不同的參考位置存在不同阻抗。圖1所示的分析模型已不適合用以描述高頻工作的電感器件。在高頻條件下，器件的電路響應可隨其尺寸和空間結構的不同而發(fā)生相應變化，常規(guī)的阻抗測量參數(shù)已不能準確反映實際電路中的響應特性。以某型號移動手機RF功放電路為例，其中兩款用于阻抗匹配的高頻電感(工作頻率1.9GHz)均采用光刻薄膜式電感，若以相同規(guī)格及精度，但Q值明顯較高的疊層片式電感(測量儀器 HP-4291B)予以取代，其結果卻是電路傳輸增益下降近10%。說明電路匹配狀態(tài)下降，用低頻分析方法顯然無法準確解釋高頻應用問題，僅僅關注L( )和Q( )對片式電感的高頻分析是不適宜的，至少是不夠的。

　　電磁場理論在工程中常用來分析具有分布特性的高頻應用問題。通常在利用阻抗分析儀(HP-4291B)對片式電感進行的測量中，可通過夾具補償和儀器校準等手段將測量精度提高到 0.1nH左右，理論上足以保證電路設計所需的精度要求。但不容忽視的問題是，此時的測量結果僅僅反映了匹配狀態(tài)下(測量夾具設計為精確匹配)電感器件端電極界面之間的參數(shù)性能，對電感器件的內(nèi)部電磁分布情況和外部電磁環(huán)境要求卻未能反映出來。相同測試參數(shù)的電感可能因內(nèi)電極結構不同而存在完全不同的電磁分布狀態(tài)，在高頻條件下，片式電感的實際電路應用環(huán)境(近似匹配、密集貼裝、PCB分布影響)與測試環(huán)境往往有差異，極易產(chǎn)生各種復雜的近場反射而發(fā)生實際響應參數(shù)(L、Q)的微量變化。對RF電路中的低感值電感，這種影響是不容忽視的，我們把這種影響稱之為“分布影響”。

　　高頻電路(包括高速數(shù)字電路)設計中，基于電路性能、器件選擇和電磁兼容等因素的考慮，通常是以網(wǎng)絡散射分析(S參數(shù))、信號完整性分析、電磁仿真分析、電路仿真分析等手段，來綜合考量實際電路系統(tǒng)的工作性能。針對片式電感器件的“分布影響”問題，一個可行的解決方案是對電感器件進行結構性電磁仿真并精確提取相應的SPICE電路模型參數(shù)，作為電路設計的依據(jù)，以此有效減小電感器件在高頻設計應用中的誤差影響。國外(日本)主要元器件企業(yè)的片式電感產(chǎn)品技術參數(shù)大多包含有S參數(shù)，通常可用于精確的高頻應用分析。

　　電路應用

　　在高頻電路中比較常用的片式電感有光刻薄膜電感、片式繞線電感和疊層片式電感三種。由于內(nèi)電極的結構特點有明顯不同，即使參數(shù)規(guī)格相同情況下，其電路響應卻不盡相同。實際電路應用中對電感器件的選擇有一定規(guī)律和特點，在此可略作歸納如下：

　　阻抗匹配：射頻電路(RF)通常由高放(LNA)、本振(LO)、混頻(MIX)、功放(PA)、濾波(BPF/LPF)等基本電路單元構成。在特性阻抗各不相同的單元電路之間，高頻信號需要低損耗耦合傳輸，阻抗匹配成為必不可少。典型方案是利用電感與電容組合為“倒L”或“T”型匹配電路，對其中的片式電感，匹配性能的好壞很大程度是取決于電感量L的精確度，其次才是品質(zhì)因素Q的高低。在工作頻率較高時，往往使用光刻薄膜電感來確保高精度的L。其內(nèi)電極集中于同一層面，磁場分布集中，能確保裝貼后的器件參數(shù)變化不大。

　　諧振放大：典型的高頻放大電路通常采用諧振回路作為輸出負載。對其增益和信噪比等主要性能參數(shù)來說，片式電感的品質(zhì)因素Q成為關鍵。L的少許誤差影響可由多種電路形式予以補償和修正，因而多采用繞線片式電感和疊層片式電感，對工作頻率下的Q值要求較高。而薄膜片式電感無論是價格還是性能在此都不適合。

　　本地振蕩：本振電路(LO)必須由含振蕩回路的放大電路構成，通常是以VCO-PLL的形式向RF電路提供精確的參考頻率，因此本振信號的質(zhì)量直接影響著電路系統(tǒng)的關鍵性能。振蕩回路中的電感必須具有極高的Q值和穩(wěn)定度，以確保本振信號的純凈、穩(wěn)定。由于石英晶體具有相對較寬的阻抗動態(tài)補償，此時對片式電感的L精度要求并不是首要指標，因此疊層片式電感和繞線片式電感多被用于VCO電路。

　　高頻濾波：低通濾波(LPF)常見于高頻電路的供電去耦回路，有效抑制高次諧波在供電回路的傳導，額定電流和可靠性是首要關注參數(shù);而帶通濾波(BPF)則多用于高頻信號的耦合，或同時兼有阻抗匹配的作用。此時插入衰減要盡量小，L、Q是此時的重點參數(shù)。綜合比較，疊層片式電感最適合這種應用。