電容器有三個重要規格，就是容量，耐壓值，用于 AC/DC 三個。
第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。
第二部分：材料，用字母表示。
第三部分：分類，一般用數字表示，個別用字母表示。
第四部分：序號，用數字表示。
一、電容器種類
依照主要材質特性分為電解質電容， 電解質芯片電容， 塑料薄膜電容， 陶瓷電容， 及陶瓷芯片電容等大類別。
1. 電解質電容器種類： 依照細部材質， 形狀， 及功能特性可再區分為標準型 （》11mm高度）， 迷你型 （7mm高度）， 超迷你型 （5mm高度）， 耐高溫型 （105℃）， 低漏電型， 迷你低漏電型 （7mm高度）， 雙極性型， 無極性型， 及低內阻型 （Low ESR）等。
2. 電解質芯片電容器種類： 依照細部材質， 形狀， 及功能特性可再區分為標準型芯片， 耐高溫型芯片 （105℃）， 無極性型芯片， 及鉭質芯片等。
3. 塑料薄膜電容器種類： 依照細部材質， 形狀， 及功能特性可再區分為聚乙烯薄膜， 金屬化聚乙烯薄膜， 聚乙脂薄膜， 聚丙烯薄膜， 直流用金屬化聚丙烯薄膜， 及交流用金屬化聚丙烯薄膜等。
4. 陶瓷電容器種類： 依照細部材質， 形狀， 及功能特性可再區分為Class-1 （T.C. Type）溫度補償型， Class-2 （Hi-K Type）高誘電型， Class-3 （S.C. Type）半導體型 等。
5. 陶瓷芯片電容種類： 依照尺寸及額定功率特性可再區分為0402， 0603， 0805， 1206等較具普遍性。
二、電容器主要電氣規格
1. 電容量Capacitance： 一般電解電容器的電容量范圍為0.47uF-10000uF， 測試頻率為120Hz. 塑料薄膜電容器的電容量范圍為0.001uF-0.47uF， 測試頻率為1KHz. 陶瓷電容器T/C type的電容量范圍為1 pF-680pF， 測試頻率為1MHz. Hi-K type的電容量范圍為100pF-0.047uF， 測試頻率為1KHz. S/C type的電容量范圍為0.01uF-0.33uF.
2. 電容值誤差Tolerance： 一般電解電容器的電容值誤差范圍為M 即 +/-20%， 塑料薄膜電容器為J即 +/-5%或K即 +/-10%， 或M即 +/-20%三種， 陶瓷電容器T/C type為C即 +/-0.25pF （10pF以下時）， 或D即 +/-0.5pF （10pF以下時）， 或J或K四種。 Hi-K type 及S/C type為K或M或Z即 +80/-20%三種。
3. 損失角即D值： 一般電解電容器因為內阻較大故D值較高， 其規格視電容值高低決定， 為0.1-0.24以下。 塑料薄膜電容器則D值較低， 視其材質決定為0.001-0.01以下。 陶瓷電容器視其材質決定， Hi-K type 及S/C type為0.025以下。 T/C type其規格以Q值表示需高于400-1000. （Q值相當于D值的倒數）
4. 溫度系數Temperature Coefficient： 即為電容量受溫度變化改變之比例值， 一般僅適用于陶瓷電容器。 T/C type其常用代號為CH或NPO 即為 +/-60ppm， UJ即為 -750+/-120ppm， SL即為 +350+/-1000ppm. Hi-K type （Z）及S/C type （Y）， 其常用代號為B （5P）即為 +/-10%， E （5U）即為 +20/-55%， F （5V）即為 +30/-80%.
5. 漏電流量Leakage current： 此為電解電容器之特定規格， 一般以電容器本身額定電壓加壓3 Min后， 串接電流表測試， 其漏電流量需在0.01CV （ uF電容量值與額定電壓相乘積） 或3uA以下 （取其較大數值）。 特定低漏電流量使用 （Low leakage type） 則其漏電流量需在0.002CV或0.4uA以下。
6. 沖擊電壓Surge Voltage： 一般以電容器本身額定電壓之1.3倍電壓加壓， 需工作正常無異狀。
7. 使用溫度范圍： 一般電解電容器的使用溫度范圍為 -25℃至+85℃， 特定高溫用或低漏電流量用者為 -40℃至+105℃。 塑料薄膜電容器為 -40℃至+85℃。 陶瓷電容器T/C type為-40℃至+85℃， Hi-K type 及S/C type為 -25℃至+85℃。
三、電容器主要特性參數
1、標稱電容量和允許偏差
標稱電容量是標志在電容器上的電容量。
電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。
精度等級與允許誤差對應關系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）
一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級，根據用途選取。
2、額定電壓
在最低環境溫度和額定環境溫度下可連續加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標注在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復的永久損壞。
3、絕緣電阻
直流電壓加在電容上，并產生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻。 當電容較小時，主要取決于電容的表面狀態，容量〉0.1uf時，主要取決于介質的性能，絕緣電阻越大越好。
電容的時間常數：為恰當的評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。
4、損耗
電容在電場作用下，在單位時間內因發熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規定了其在某頻率范圍內的損耗允許值，電容的損耗主要由介質損耗，電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。
在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導有關，而且與周期性的極化建立過程有關。
5、頻率特性
隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現下降的規律。
四、各類電容器參考規格
電解質電容 Electrolytic Capacitor
種類 （Mini） 》=11mm （Super-Mini） 7mm （Ultra-Mini） 5mm
額定電壓 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-50V
容值范圍 （120Hz） 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-470uf 0.1-220uf
容值誤差 （120Hz） M M M M
溫度范圍 -40℃--+85℃ -25℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+105℃
漏電流 （3 Min.） 《=0.01 CV 或 3 uA 《=0.03 CV 或 3 uA 《=0.03 CV 或 3 uA 《=0.01 CV 或 3 uA
損失角 （120Hz） 《=0.08--0.22 《=0.16--0.20 《=0.1--0.24 《=0.1--0.24
種類 （High Temp.） 》=11mm （Low leakage） 》=11mm （Mini / Low leakage） 7mm
額定電壓 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-63V
容值范圍 （120Hz） 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-1000uf 0.47-100uf
容值誤差 （120Hz） M M M M
溫度范圍 -40℃--+105℃ -25℃--+105℃ -40℃--+105℃ -40℃--+105℃
漏電流 （3 Min.） 《=0.01 CV 或 3 uA 《=0.03 CV 或 3 uA 《=0.002CV或0.4uA 《=0.002CV或0.4uA
損失角 （120Hz） 《=0.08--0.22 《=0.15--0.24 《=0.1--0.24 《=0.1--0.24
種類 （Bipolar） 》=26mm （Nonpolar）》=11mm （Low ESR）
額定電壓 25/50V 10-160V 6.3-63V 6.3-100V 160-450V
容值范圍 （120Hz） 2.2-10uf 0.47-1000uf 0.47-100uf 4.7-3300uf 3.3-330uf
容值誤差 （120Hz） M M M
溫度范圍 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+105℃ -40℃--+105℃
漏電流 （3 Min.） 《=100uA 《=0.03 CV 或 4 uA 《=0.03 CV 或 3 uA
損失角 （120Hz） 《=0.05 《=0.15-0.25 《=0.12--0.24
Ripple Current 6-8 Amp
電解質芯片電容 Electrolytic Chip Capacitor
種類 Electrolytic （General） Electrolytic （Hi-Temp.） Electrolytic （Non-polar） Tantalun Chip
電容值范圍 0.1-1000uf 0.1-1000uf 0.1-47uf 0.1---220 uf
額定電壓范圍 6.3-100V 6.3-100V 6.3-50V 6.3---50 V
容值誤差范圍 M M M K / M
溫度范圍 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+125℃
漏電流 《=0.01 CV 或 3 uA 《=0.01 CV 或 3 uA 《=0.01 CV 或 3 uA 0.01 CV 或 5 uA
損失角 《=0.1-0.35 《=0.1-0.3 《=0.15-0.3 《=0.04-0.08
塑料薄膜電容器 Plastic Film Capacitor 金屬化聚乙烯
種類 Polyester 聚乙烯 Metallized Polyester Polystrene 聚乙脂
電容值范圍 0.001-0.47uf 0.01-10uf 100-10000pf
額定電壓范圍 50/100/200/400V 50/100/250/400/630V 50/100/125/250/500V
容值誤差范圍 J， K， M. J， K， M. G， J， K.
溫度范圍 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃
損失角（1KHz） 《=0.006 《=0.01 《=0.001
Withstand Voltage 200% 1 Min. 175% 3 Sec.
Inductive / 代號 No/Yes， PEN（Red）/PEI（Green） No / MPE （Red） No / PS
金屬化聚丙烯
種類 Polypropylene 聚丙烯 Metallized Polypropylene Metallized Polypropylene 金屬化聚丙烯
電容值范圍 0.001-0.68uf 0.01-3.3uf 0.001-0.47uf
額定電壓范圍 50/100/250/400/630/1000V 100/250/400/630V 250/275VAC
容值誤差范圍 J， K， M. G， J， K. K（》0.01uf）， M（《0.01uf）
溫度范圍 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃
損失角（1KHz） 《=0.0008 《=0.001 《=0.001
Withstand Voltage 250 % Rated Voltage DC 2000V / 1Sec. DC 2000V / 1Sec.
Inductive / 代號 No， PPN / PPS （Hi-Voltage） No / MP No / MPX （X2 Cap.）Across the line cap.
陶瓷芯片電容 （MLCC）Multi-layer Ceramic Chip
型號 0402 0603 0805 1206
尺寸 inch 0.04L*0.02W 0.06L*0.03W 0.08L*0.05W 0.12L*0.06W
額定電壓 16/25/50V 10/16/25/50V 10/16/25/50V 25/50/100/200/500V
溫度系數 COG （NPO） X7R Y5V
容值范圍 《=220pf
溫度范圍 -55℃--+125℃ -55℃--+125℃ -30℃--+85℃
容值誤差 F 或 G 或 J 或 K J 或 K 或 M +80/-20% 或 M
D值 （1KHz） 《=0.0015 《=0.025 《=0.05
陶瓷電容 Ceramic Disc Chip
Class-1 （T.C. Type） CH （NPO+/_ 60） UJ （-750+/_120） SL （+350/_1000）
容值范圍 《=680pf 《=680pf 《=680pf
溫度范圍 -55℃--+85℃ -55℃--+85℃ -40℃--+85℃
容值誤差 C/D/J/K C/D/J/K C/D/J/K
Q值 （1MHz） 《=30pf Q》=400+20C 《=30pf Q》=400+20C 《=30pf Q》=400+20C
》30pf Q》1000 》30pf Q》1000 》30pf Q》1000
Class-2 （Hi-K Type） B（Y5P） +/_10% E（Z5U） +20/-55% F（Z5V） +30/-80%
容值范圍 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf
溫度范圍 -25℃--+85℃ +10℃--+85℃ +10℃--+85℃
容值誤差 K M +80/-20%
額定電壓 50/63/100/500/630/1KV
D值 （1KHz） 《=0.025 《=0.025 《=0.05
Class-3 （S.C. Type） B（Y5P） +/_10% E（Y5U） +20/-55% F（Y5V） +30/-80%
容值范圍 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf
溫度范圍 -25℃--+85℃ -25℃--+85℃ -25℃--+85℃
容值誤差 K M +80/-20%
額定電壓 16/25/50/63V
D值 （1KHz） 《=0.025 《=0.025 《=0.05