如何用數(shù)字萬(wàn)用表檢測(cè)獨(dú)石電容的好壞

粗略判斷還是可以的，獨(dú)石電容的容量比較小，用數(shù)字萬(wàn)能表的電阻檔測(cè)量為零或是阻值不大則是壞的，測(cè)量結(jié)果無(wú)窮大基本是好的。

104獨(dú)石電容怎么測(cè)量好壞

粗略測(cè)量的話，萬(wàn)用表測(cè)它呈現(xiàn)開(kāi)路狀態(tài)就可以視為好的。

詳細(xì)測(cè)量時(shí)請(qǐng)使用萬(wàn)用表或電容表、電橋等設(shè)備測(cè)量其實(shí)際電容量是否與標(biāo)稱值相符。

通用型獨(dú)石電容器的測(cè)試方法

通用型獨(dú)石電容的測(cè)試項(xiàng)目有：容量、損耗角正切、絕緣電阻、耐電壓、可焊性、耐焊接熱、端頭強(qiáng)度和耐溶劑性。以下為大家一一講解各項(xiàng)目的技術(shù)要求和測(cè)試方法。

1、容量。

（1）技術(shù)要求：應(yīng)符合指定的誤差級(jí)別，也就是說(shuō)容量變化必須在誤差范圍內(nèi)；

（2）測(cè)試方法：測(cè)試頻率為1KHZ±10%；測(cè)試電壓為1.0±0.2V。

2、損耗角正切。

（1）技術(shù)要求：CR≥50pF；DF≤0.15%；CR≥50pF；DF≤1.5［（1.5/CR）+7］X10-4;

（2）測(cè)試頻率：1KHZ±10%；測(cè)試電壓為1.0±0.2V。

3、絕緣電阻。

（1）技術(shù)要求：C≤10nF；IR≥10000MΩ；C＞10nF；R.C≥100ΩF

（2）測(cè)試方法：測(cè)試電壓為額定電壓；測(cè)試時(shí)間為60±5秒。

4、耐電壓。

（1）技術(shù)要求：不應(yīng)用介質(zhì)被擊穿或損傷

（2）端子間測(cè)試：測(cè)試電壓：I類300%額定電壓；II類250%額定電壓；充/放電電流不應(yīng)超過(guò)50mA，持續(xù)時(shí)間5±1秒；

（3）端子與外裝間：施加電壓2.5UR；持續(xù)時(shí)間1~5S；金屬制小球法：將電容器本體插入盛滿直徑為1mm的金屬小球的容器中，但保留距端處2mm的本體不插入，試驗(yàn)電壓施加在短路回路端子和金屬小球之間。

5、可焊性。

（1）技術(shù)要求：上錫率應(yīng)大于95%；

（2）測(cè)試方法：將電容器引線浸入含有25%松香的酒精溶液中，然后浸入溫度為230±5℃的金屬焊錫中2±0.5秒，注意：電容器本體底面距離錫面約1.5~2mm。

6、耐焊接熱。

（1）技術(shù)要求：外觀無(wú)可見(jiàn)損傷；

（2）測(cè)試方法：錫溫265±3℃，時(shí)間6（+1，0）s；浸入條件：將電容器插入厚度為1.6mm，孔徑為1.0mm析PC板；對(duì)于I類介質(zhì)，試驗(yàn)后，應(yīng)在標(biāo)準(zhǔn)條件下恢復(fù)24±2小時(shí)后才測(cè)試；對(duì)于II類介質(zhì)，在

試驗(yàn)前應(yīng)先進(jìn)行如下預(yù)處理150+010℃，1小時(shí)，接著在標(biāo)準(zhǔn)條件下恢復(fù)48±4小時(shí)；恢復(fù)：對(duì)于II類

介質(zhì)試駔后在標(biāo)準(zhǔn)條件下恢復(fù)48±4小時(shí)后才測(cè)試。

7、端頭強(qiáng)度。

（1）技術(shù)要求：①抗拉強(qiáng)度，無(wú)引線斷裂，松動(dòng)等可見(jiàn)不良；②彎折強(qiáng)度，無(wú)引線斷裂，松動(dòng)等可見(jiàn)不良；

（2）測(cè)試方法：①對(duì)于軸向產(chǎn)呂，沿端子引出方向徐徐施加一2Kg的力，持續(xù)5S；②對(duì)于徑向產(chǎn)品，固定電容器本體，沿引線方向步施加力直至10N，然后保持10±1秒；③彎折強(qiáng)度測(cè)試為對(duì)電容器引出端施加-0.25Kg的力，使引線彎曲90試，持續(xù)5s，然后回到原始位置，接著反方面操作一次為一個(gè)循環(huán)，共重復(fù)2次 。

8、耐溶劑性。

（1）技術(shù)要求：外觀無(wú)可見(jiàn)損傷或異常，標(biāo)記清晰；

（2）測(cè)試方法：溶劑溫度23±5℃，將樣品浸在溶劑中1分鐘，用脫脂棉在樣品有標(biāo)志部位刷10次，

重復(fù)3次。