什么是瓷片電容
瓷片電容(ceramiccapacitor)是一種用陶瓷材料作介質(zhì),在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路、旁路電容器及墊整電容器。
瓷片電容的分類
瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。
按瓷介電容電介質(zhì)又分:1類電介質(zhì)(NP0,C0G),2類電介質(zhì)(X7R,2X1)和3類電介質(zhì)(Y5V,2F4)瓷介電容器。EIARS-198。
瓷片電容的作用
MLCC(1類)—微型化,高頻化,超低損耗,低ESR,高穩(wěn)定,高耐壓,高絕緣,高可靠,無極性,低容值,低成本,耐高溫。主要應(yīng)用高高頻電路中。
MLCC(2類)—微型化,高比容,中高壓,無極性,高可靠,耐高溫,低ESR,低成本。主要應(yīng)用于中,低頻電路中作隔直,耦合,旁路和濾波等電容器使用。
瓷片電容計(jì)算公式詳解
瓷片電容的容量識(shí)別方法(根據(jù)標(biāo)識(shí)計(jì)算電容容量的方法)如下:
瓷片電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同,分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。
電容的基本單位用法拉(F)表示,其它單位還有:毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、納法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000納法(nF),1納法=1000皮法(pF)
1、容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明,如10μF/16V;
2、容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示;
字母表示法:
1m=1000μF
1P=1pF(如470P=470pF)
1P2=1.2PF
1n=1000PF;
數(shù)字表示法:三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)字,第三位數(shù)字表示有效數(shù)字后面零的個(gè)數(shù),它們的單位都是pF。
如:
102表示標(biāo)稱容量為10×10?pF=1000pF;
104表示標(biāo)稱容量為10×(10^4)pF=100000pF;
470表示標(biāo)稱容量為47pF;
223表示標(biāo)稱容量為(22×(10^3))pF(即22000pF)。
在這種表示法中有一個(gè)特殊情況,就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用“9”表示時(shí),是用有效數(shù)字乘上10的-1次方來表示容量大小。
如:229表示標(biāo)稱容量為22x10^(-1)pF=2.2pF。
瓷片104電容的計(jì)算方法
瓷片電容的識(shí)別方法:電容的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同,分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。在國際單位制里,電容的單位是法拉,簡(jiǎn)稱法,符號(hào)是F,由于法拉這個(gè)單位太大,所以常用的電容單位有毫法(mF)、微法(μF)、納法(nF)和皮法(pF)等,換算關(guān)系是:
1法拉(F)=1000毫法(mF)=1000000微法(μF)
1微法(μF)=1000納法(nF)=1000000皮法(pF)
瓷片電容104是0.1UF,瓷片104電容的計(jì)算方法:0.1UF=100NF=100000PF=104。
瓷片電容的優(yōu)點(diǎn)
1.容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性
2.特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓極長期工作可靠性
3.高電流爬升速率并適用于大電流回路無感型結(jié)構(gòu)
瓷片電容規(guī)格有哪些
瓷片電容用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì),在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成的電容器。
瓷片電容(瓷介電容)作用主要有三個(gè)方面:
1、容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性;
2、特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓極長期工作可靠性;
3、高電流爬升速率并適用于大電流回路無感型結(jié)構(gòu)。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路、旁路電容器及墊整電容器如消除高頻干擾。
瓷片電容器不宜使用在脈沖電路中,因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。
陶瓷有I類瓷,II類瓷,III類瓷之分,I類瓷,NP0,溫度特性,頻率特性和電壓特性佳,因介電常數(shù)不高,所以容量做不大;II類瓷,X7R次之,溫度特性和電壓特性較好;III類瓷,介電常數(shù)高,所以容量可以做很大,但溫度特性和電壓特性不太好。瓷片電容器一般體積不大。另外,再強(qiáng)調(diào)一個(gè)重要特點(diǎn):瓷介電容器擊穿后,往往呈短路狀態(tài)。(這是它的弱點(diǎn))而薄膜電容器失效后,一般呈開路狀態(tài)
瓷片電容規(guī)格Ⅱ類瓷也叫做高介電常數(shù)型(HighDielectricConstantType),是適用於作旁路、耦合或用在對(duì)損耗和電容量穩(wěn)定性要求不高的電路中的具有高介電常數(shù)的一種電容器。該類陶瓷介質(zhì)是以在類別溫度范圍內(nèi)電容量非線性變化來表徵。其特性符合以下標(biāo)準(zhǔn):
用途:1)旁路和耦合;2)對(duì)Q值和容量穩(wěn)定性要求一般的分步電路。