在合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)和輸入為交流小信號(hào)的前提下，晶體管可等效為一個(gè)線性雙端口電路。如圖Z0212所示。
??? 晶體管的端口電壓和電流的關(guān)系可表示為如圖Z0213所示。
??? h 參數(shù)的定義如圖Z0213。
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??? hie、hre、hfe、hoe 這4個(gè)參數(shù)稱(chēng)為晶體管的等效h 參數(shù)，它們的物理意義為：
??? hie稱(chēng)為輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，簡(jiǎn)稱(chēng)輸入電阻。它反映輸出電UCE不變時(shí)，基極電壓對(duì)基極電流的控制能力，習(xí)慣上用RbE表示。
??? hre稱(chēng)為輸入端交流開(kāi)路時(shí)的反向電壓傳輸系數(shù)，又稱(chēng)內(nèi)部電壓反饋系數(shù)。它反映輸出電壓uCE通過(guò)晶體管內(nèi)部對(duì)輸入回路的反饋?zhàn)饔茫且粋€(gè)無(wú)量綱的比例系數(shù)。
?? hfe稱(chēng)為輸出端交流短路時(shí)的電流放大系數(shù)，簡(jiǎn)稱(chēng)電流放大系數(shù)。它反映基極電流IB對(duì)集電極電流IC的控制能力，即晶體管的電流放大能力，是一個(gè)無(wú)量綱的數(shù)，習(xí)慣上用β表示。
??? hoe稱(chēng)為輸入端交流開(kāi)路時(shí)的輸出電導(dǎo)，簡(jiǎn)稱(chēng)輸出電導(dǎo)。它反映當(dāng)IB不變時(shí)，輸出電壓uCE對(duì)輸出電流的控制能力。單位是西門(mén)子（S），習(xí)慣上用1／RCE，表示。可見(jiàn)，這四個(gè)參數(shù)具有不同的最綱，故稱(chēng)為混合（HybRId）參數(shù)，記作h 。h參數(shù)第一個(gè)下標(biāo)的意義為：I表示輸入，R表示反向傳輸，f表示正向傳輸，o表示輸出；第二個(gè)下標(biāo)E表示共射接法。在使用時(shí)應(yīng)當(dāng)明確：
??? （1） 4個(gè)h參數(shù)都是微變電流與微變電壓之比，因此，h參數(shù)是交流參數(shù)。
??? （2） 4個(gè)h參數(shù)都是在Q點(diǎn)的偏導(dǎo)數(shù)，因此，它們都和Q點(diǎn)密切相關(guān)，隨著Q點(diǎn)的變化而變化；
??? （3） h參數(shù)是晶體管在小信號(hào)條件下的等效參數(shù)。
h參數(shù)可以從晶體管的特性曲線上近似求得，也可以用人h參數(shù)測(cè)試儀直接測(cè)出。對(duì)一般小功率晶體管，h參數(shù)的數(shù)量級(jí)如圖Z0213所示。