2.3.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)類型
在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點接觸型、面接觸型和平面型三大類。它們的結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示。
(1) 點接觸型二極管—PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。
點接觸二極管的結(jié)構(gòu)示意圖
(2) 面接觸型二極管—PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。
面接觸型
(3) 平面型二極管—往往用于集成電路制造工藝中。PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。
平面型
2.3.2 半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線
半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線如圖01.12所示。處于第一象限的是正向伏安特性曲線，處于第三象限的是反向伏安特性曲線。根據(jù)理論推導(dǎo)，二極管的伏安特性曲線可用下式表示
式中IS 為反向飽和電流，V 為二極管兩端的電壓降，VT =kT/q 稱為溫度的電壓當(dāng)量，k為玻耳茲曼常數(shù)，q 為電子電荷量，T 為熱力學(xué)溫度。對于室溫（相當(dāng)T=300 K），則有VT=26 mV。
二極管的伏安特性曲線
?
(1) 正向特性
當(dāng)V＞0即處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段：
當(dāng)0＜V＜Vth時，正向電流為零，Vth稱為死區(qū)電壓或開啟電壓。
當(dāng)V＞Vth時，開始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長。
硅二極管的死區(qū)電壓Vth=0.5 V左右，
鍺二極管的死區(qū)電壓Vth=0.1 V左右。
(2) 反向特性
當(dāng)V＜0時，即處于反向特性區(qū)域。反向區(qū)也分兩個區(qū)域：
當(dāng)VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS 。
當(dāng)V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓 。
反向特性
在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。
從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7V時,主要是雪崩擊穿；若|VBR|≤4V時, 則主要是齊納擊穿。當(dāng)在4V～7V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數(shù)點。
.3.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)類型
在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點接觸型、面接觸型和平面型三大類。它們的結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示。
(1) 點接觸型二極管—PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。
點接觸二極管的結(jié)構(gòu)示意圖
(2) 面接觸型二極管—PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。
面接觸型
(3) 平面型二極管—往往用于集成電路制造工藝中。PN 結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。
平面型
2.3.2 半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線
半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線如圖01.12所示。處于第一象限的是正向伏安特性曲線，處于第三象限的是反向伏安特性曲線。根據(jù)理論推導(dǎo)，二極管的伏安特性曲線可用下式表示
式中IS 為反向飽和電流，V 為二極管兩端的電壓降，VT =kT/q 稱為溫度的電壓當(dāng)量，k為玻耳茲曼常數(shù)，q 為電子電荷量，T 為熱力學(xué)溫度。對于室溫（相當(dāng)T=300 K），則有VT=26 mV。
二極管的伏安特性曲線
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(1) 正向特性
當(dāng)V＞0即處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段：
當(dāng)0＜V＜Vth時，正向電流為零，Vth稱為死區(qū)電壓或開啟電壓。
當(dāng)V＞Vth時，開始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長。
硅二極管的死區(qū)電壓Vth=0.5 V左右，
鍺二極管的死區(qū)電壓Vth=0.1 V左右。
(2) 反向特性
當(dāng)V＜0時，即處于反向特性區(qū)域。反向區(qū)也分兩個區(qū)域：
當(dāng)VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS 。
當(dāng)V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓 。
反向特性
在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。
從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7V時,主要是雪崩擊穿；若|VBR|≤4V時, 則主要是齊納擊穿。當(dāng)在4V～7V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數(shù)點。
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