PN結的單向導電性
P端接電源的正極，N端接電源的負極稱之為PN結正偏。此時PN結如同一個開關合上，呈現很小的電阻，稱之為導通狀態。
P端接電源的負極，N端接電源的正極稱之為PN結反偏，此時PN結處于截止狀態，如同開關打開。結電阻很大，當反向電壓加大到一定程度，PN結會發生擊穿而損壞。
伏安特性曲線
伏安特性曲線：加在PN結兩端的電壓和流過二極管的電流之間的關系曲線稱為伏安特性曲線。如圖所示：PN伏安特性
正向特性：u>0的部分稱為正向特性。
反向特性：u<0的部分稱為反向特性。
反向擊穿：當反向電壓超過一定數值U（BR）后，反向電流急劇增加，稱之反向擊穿。
勢壘電容：耗盡層寬窄變化所等效的電容稱為勢壘電容Cb。
變容二極管：當PN結加反向電壓時，Cb明顯隨u的變化而變化，而制成各種變容二極管。如下圖所示。PN結的勢壘電容
平衡少子：PN結處于平衡狀態時的少子稱為平衡少子。
非平衡少子：PN結處于正向偏置時，從P區擴散到N區的空穴和從N區擴散到P區的自由電子均稱為非平衡少子。
擴散電容：擴散區內電荷的積累和釋放過程與電容器充、放電過程相同，這種電容效應稱為Cd。
結電容：勢壘電容與擴散電容之和為PN結的結電容Cj。