東芝開發出提高了內置二極管（體二極管）恢復特性的超結（Super Junction）構造MOSFET“DTMOS”，并在2013年5月14～16日于德國紐倫堡舉行的功率電子技術大會“PCIM 2013”上進行了展示。新產品的耐壓為600V，與該公司原產品相比，縮短了內置二極管的反向恢復時間（trr）。
此次東芝展出了三款開發產品，包括最大電流為15.8A、導通電阻為0.23Ω的“TK16A60W5”；最大電流為30.8A、導通電阻為0.099Ω的“TK31A60W5”；以及最大電流為38.8A、導通電阻為0.074Ω的“TK39A60W5”。
內置二極管的反向恢復時間方面，TK16A60W5為100ns（標稱值），而東芝的原產品則為280ns。新產品的溫度特性也進一步提高，在150℃的溫度下工作時，反向恢復時間為140ns。據解說員介紹，“其他公司產品的反向恢復時間大都在160ns左右”。