肖特基二極管肖特基（Schottky ）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。

　　肖特基二極管參數：

　　（1） VF 正向壓降Forward Voltage Drop

　　（2） VFM 最大正向壓降Maximum Forward Voltage Drop

　　（3） VBR 反向擊穿電壓Breakdown Voltage

　　（4） VRMs 能承受的反向有效值電壓RMS Input Voltage

　　（5） VRRM峰值反復反向電壓Peak Repetitive Reverse Voltage

　　（6） VRsM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage （halfwave，single phase，60 Hz）非反復反向峰值電壓（半波，單相，60Hz ）

　　（7） VRwM 反向峰值工作電壓Working Peak ReverseVoltage

　　（8） Vpc 最大直流截止電壓Maximum DC BlockingVoltage

　　（9） Trr 反向恢復時間Reverse Recovery Time

　　（10） Ip（Av 正向電流Forward Current

　　（11） IrsM 最大正向浪涌電流Maximum Forward SurgeCurrent

　　（12） IR 反向電流Reverse Current

　　（13） Ta 環境溫度或自由空氣溫度Ambient Temperature

　　（14） Tj 工作結溫Operating Junction Temperature

　　（15） TsTG 儲存溫度Storage Temperature Range

　　（16） Tc 管子殼溫Case Temperature

　　肖特基二極管特點：

　　1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。

　　2、肖特基二極管的結構肖特基二極管在結構原理上與 PN 結二極管有很大區別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N 外延層（砷材料）、N 型硅基片、N 陰極層及陰極金屬等構成。

　　在 N 型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。

　　當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N 型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。

　　肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。

　　采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。