本文主要是關于雪崩光電二極管的相關介紹，并著重闡述了雪崩光電二極管的噪聲特性研究。
雪崩光電二極管APD
光研科學強力引進新品——雪崩光電二極管APD。現有IAE、SAE和SAR系列。這幾個系列的產品有著極高的響應度和極短的上升和下降時間。如此高性能的APD可以很好地應用在熒光探測、激光雷達系統、光纖數據傳輸和條形碼掃描器等方面。其出色的低噪音性能使其可以很好地應用在低光強度下對中或較高頻率光的探測。
IAE系列 銦砷化鎵雪崩光電二極管
描述
IAE系列雪崩光電二極管是銦砷化鎵雪崩光電二極管最大商業化的應用，在1000到1650nm的波長范圍內，它有著極高的響應度和極短的上升和下降時間。在1550nm處的峰值響應度可以理想地應用到對人眼安全的測距，自由空間的光學通訊，光時域反射儀和高分辨率的光學相干X線斷層攝影術上。芯片被封裝在一個改良的TO46包裝內或安置在一個陶瓷的底座上。
特性
● 80或200μm有效范圍
● 大于500MHz的特有帶寬
● 從1000到1650nm
● 低暗電流和噪聲
● 改良的TO46包裝或陶瓷底座
應用
● 測距
● 光學通信系統
硅雪崩光電二極管(近紅外增強型)
描述
SAE230NS系列和SAE50NS系列外延雪崩光電二極管是雪崩光電二極管中用途相當普遍的，在550到1050nm的范圍內，它們有著極高的響應度和極短的上升和下降時間。用于測距時，在900nm的波長下可以得到最佳的響應度。芯片被封裝在一個改良過的TO46包裝內，并帶有集成的905nm濾波器可供選擇。
特性
● 極高的量子效率
● 低噪音，高速
● 倍增增益，用于M>100時
● 230μm和500μm直徑有效范圍
● 漸進的倍增曲線圖表
●極寬的工作溫度范圍
應用
● 測距
● 光學通信系統
硅雪崩光電二極管（紅光增強型）
雪崩光電二極管噪聲特性研究
1PD熱噪聲
光電二極管PD必須外接負載電阻或運放等設備才能檢測出光電流，這些設備中，電子也在運動。這種運動只要溫度不是絕對零度，就會在熱作用下發生不規則變化。這樣，作為電子整體運動的平均，觀察到的電流是不規則變動的，這種不規則變動產生的噪聲稱為熱噪聲。如果忽略APD內部電阻的影響，只考慮外圍電路的負載RL（等效負載），則熱噪聲電流+ij-APD可以計算如下：
式中：K為波爾茨曼常數；T為絕對溫度；B為噪聲帶寬
2PD散粒噪聲
由于載流子的隨機運動而導致電流的波動形成了散粒噪+聲。散粒噪聲和熱噪聲的起因都是源于電子和空穴的不規則運動，無論何種光電二極管都會發生，并且，并不限于光電二極管，與光毫無關系的所有半導體設備都會產生，它們是難以消除和減小的噪聲。對于+PIN型PD，散粒噪聲包含起因于光生電流的散粒噪聲和起因于暗電流的散離噪聲兩部分。
式中：iRD為由并聯電阻；RD近似為熱噪聲電流；iSD為由+暗電流引起的散粒噪聲電流；iSP表示由光電流引起的散粒噪聲電流。對于APD來講，因為設置了倍增機構，所以總的散粒噪聲電流由倍增的散粒電流和沒有倍增的散粒電流兩部分組成。
3APD的過剩噪聲
電子、空穴和原子一旦發生沖突就會產生新的電子和空穴，致使電流不規則變化從而形成噪聲，這種噪聲稱為過剩噪聲。過剩噪聲與材料有關，Si材料的過剩噪聲遠小于Ge材料的過剩噪聲，因此APD的噪聲要大于PIN型PD的噪聲%5B2%5D。如果將APD的過剩噪聲也歸入到散粒噪聲之中，則APD+的散粒噪聲In計算如下：
式中：q我電子的電荷量；IP為M%3D1時的光生電流；Idg+為基板內部發生的電流；B為帶寬；M為倍增率；F為過剩噪聲系數；Ids為表面的漏電流。
電子的離子化率（α）和空穴的離子化率（β）之比稱為離子化率比%5Bk%3Dα%2Fβ%5D過剩噪聲系數F可以用k和M表示。
公式（4）表示電子注入雪崩層的過剩噪聲系數，若是空+穴注入雪崩層的過剩噪聲系數，需要置換為1%2Fk的形式。
APD的噪聲是伴隨著倍增產生的，若倍增率增加則過剩噪聲增加，總的噪聲也隨之增大%5B3%5D。信號也隨著倍增率的增加而增大，這樣就存在一個使信噪比+S%2FN最大的倍增率。APD的S%2FN計算如下：
式中：K、T和RL分別表示波爾茨曼常數、絕對溫度和負+載電阻。求最大值并忽略Ids，求出的最大倍增率+Opt+M計算如下。
結束語
對于PIN+PD，若希望降低熱噪聲就需要加大負載電阻，這樣就會導致響應速度變慢。為此，熱噪聲難以變小，導致了在許多情況下，最低接收電平受到熱噪聲制約。而對于APD，在散粒噪聲達到同等程度的熱噪聲之前，能夠在不增加總的噪聲的條件下，成倍地增大信號。這樣就能夠在確保響應速度的前提下，改善信噪比。
淺談二極管雪崩效應
在強電場下，半導體中的載流子會被電場加熱（見半導體中的熱載流子），部分載流子可以獲得足夠高的能量，這些載流子有可能通過碰撞把能量傳遞給價帶上的電子，使之發生電離，從而產生電子-空穴對，這種過程稱為碰撞電離。所產生的電子空穴對，在電場中向相反方向運動，又被電場加熱并產生新的電子空穴對。依此方式可以使載流子大量增殖，這種現象稱為雪崩倍增效應。
上圖圖給出了室溫下由實驗測量得到的幾種半導體中電子電離率和空穴電離率隨電場強度的變化。電離率通常可用下列經驗公式表示
α=A，
式中為電場強度和為常數。
半導體中的雪崩效應是引起pn結擊穿的一種機制。加反向偏壓的PN結，其空間電荷區內有很強的電場。在反向偏壓足夠高，空間電荷區內電場足夠強時，熱生載流子在通過強電場區時會產生雪崩倍增效應。于是反向電流會隨反向電壓迅速增加，這種現象稱為雪崩擊穿。對于硅、鍺的PN結，當擊穿電壓大于6/時（是禁帶寬度，是電子電荷），擊穿由雪崩效應引起，而當擊穿電壓小于4/時，擊穿由另一種效應，即隧道效應所引起。
在雪崩機制中，電流的倍增不僅決定于電離率的大小（或與之相聯系的電場強度），而且決定于能有效產生碰撞電離的空間電荷區的寬度。雪崩擊穿電壓通常隨溫度的上升而增加。
當PN結發生雪崩擊穿時，通常伴隨著發光現象，所發射光子的能量可以顯著地超過禁帶能量。
如果在金屬－絕緣體－半導體系統的柵上施加高的脈沖電壓（例如對由P型半導體所構成的MIS結構施加正柵壓）也會在半導體表面產生雪崩效應。這時半導體表面層呈深耗盡狀態。在表面電場足夠高時，在耗盡層中流動的熱生載流子會產生雪崩倍增效應。
對于包含PN結的半導體器件，一般說來，雪崩倍增效應是個限制性因素。但也可以利用此效應來制作某些器件，如碰撞雪崩渡越二極管及雪崩注入MOS非易失性存儲元件。
結語
關于雪崩光電二極管的噪聲研究就介紹到這了，如有不足之處歡迎指正。