普通整流二極管
整流二極管是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電。整流二極管漏電流較大，多數采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數除前面介紹的幾個外，還有最大整流電流，是指整流二極管長時間的工作所允許通過的最大電流值。它是整流二極管的主要參數，是選項用整流二極管的主要依據。
高頻整流二極管
1、快恢復二極管FRD（Fast RecoveryDiode）
快恢復二極管的內部結構與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區I，構成P-I-N硅片。由于基區很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復二極管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。具有開關特性好，反向恢復時間Trr短、正向電流大、體積小、安裝簡便等優點。可廣泛用于開關電源、脈寬調制器（PWM）、不間斷電源（UPS）、交流電動機變頻調速（VVVF）、高頻加熱等裝置中，作高頻、大電流的續流二極管或整流管。
2、超快恢復二極管SRD （SuperfastRecovery Diode）
在快恢復二極管基礎上發展而成的，其反向恢復時間Trr比FRD更短，是極有發展前途的電力、電子半導體器件。
3、肖特基二極管SBD（Schottky Barrier Diode）
是肖特基勢壘二極管的簡稱。肖特基二極管是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，肖特基二極管也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。SBD的結構及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。
肖特基二極管的主要優點包括兩個方面：
1）由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低（約低0.2V）。
2）由于肖特基二極管是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。肖特基二極管的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于PN結二極管的反向恢復時間。由于肖特基二極管的反向恢復電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小。
當然，由于肖特基二極管的反向勢壘較薄，并且在其表面較易擊穿，所以反向擊穿電壓比較低；肖特基二極管比PN結二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結二極管大。不過近幾年，SBD已取得了突破性的進展，150V和200V的高壓SBD已經上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應用注入了新的生機與活力。
4、檢波二極管
檢波二極管是用于把迭加在高頻載波上的低頻信號檢出來的器件，它具有較高的檢波效率和良好的頻率特性。選用時，應根據電路的具體要求來選擇工作頻率高、反向電流小、正向電流足夠大的檢波二極管。雖然檢波和整流的原理是一樣的，而整流的目的只是為了得到直流電，而檢波則是從被調制波中取出信號成分（包絡線）。因檢波是對高頻波整流，二極管的結電容一定要小，通常為點接觸二極管；為提高檢波效率，要求正向電壓降VF要小，所以通常采用正向壓降比較低的鍺材料，目前，結電容小的肖特基二極管已廣泛應用檢波領域，如1N60。
5、開關二極管
利用其單向導電特性使其成為了一個較理想的電子開關。半導體二極管導通時相當于開關閉合（電路接通），截止時相當于開關打開（電路切斷），所以二極管可作開關用。開關二極管是專門用來做開關用的二極管，它由導通變為截止或由截止變為導通所需的時間比一般二極管短。
開關二極管除能滿足普通二極管的性能指標要求外，還具有良好的高頻開關特性（反向恢復時間較短），被廣泛應用于各類高頻電路中。
開關二極管分為普通開關二極管、高速開關二極管、超高速開關二極管、低功耗開關二極管、高反壓開關二極管等多種。常用的國產普通開關二極管有2AK系列，高速開關二極管有2CK系列。進口高速、超高速開關二極管有1N系列、1S系列、1SS系列（有引線塑封）和RLS系列（表面安裝）等等。
6、PIN型二極管（PIN Diode）
這是在P區和N區之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體二極管。PIN中的I是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由于少數載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，“本征”區的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入“本征”區，而使“本征”區呈現出低阻抗狀態。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。