許多人將硅基瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)稱為“二極管”。TVS制造商自己可能也在沿用這個概念;畢竟,我們經(jīng)常將這些器件稱為“TVS 二極管”或“靜電放電(ESD)保護二極管”。
從技術上來說,二極管是一種兩端子器件,主要沿一個方向傳導電流。TVS或TVS二極管也是兩端子器件,用于在反向擊穿區(qū)域中傳導電流。
如果TVS等同于“普通二極管”,我們是否可以隨便選擇TVS 二極管或相關類型的二極管來保護電路呢?如果真這樣做的話,結果可能會令人失望。
隨著設計幾何尺寸的縮小和總線速度的不斷提高,TVS二極管的工程設計越來越有挑戰(zhàn)性。大多數(shù)新型TVS 器件都極為復雜、多結,專為特定應用而設計。雖然在電路圖上的符號相同,但內部電路更為精密。圖1 是一個低電容、深折回TVS 器件,這絕對不是“普通二極管”。我們來仔細看看。
圖 1 – TVS 結構示例
TVS二極管到底是什么?
一個常見的誤解是認為TVS二極管等同于齊納二極管,有很多人將TVS二極管稱為“齊納”。其實TVS二極管和齊納二極管是為完全不同的應用而設計的。齊納二極管用于調節(jié)電壓,因此可在擊穿區(qū)域內工作(圖2)。
圖 2 – 齊納二極管工作區(qū)域
TVS二極管是專門用于抑制瞬態(tài)過電壓事件的器件。在正常工作條件下,TVS對受保護電路呈高阻抗。唯一流動的電流是器件的漏電流,通常為幾納安。當瞬態(tài)電壓超過器件的擊穿電壓時,TVS二極管導通(圖 3)。
圖3 – TVS 工作區(qū)域 TVS二極管會在短時間內耗散大量能量。瞬態(tài)事件的持續(xù)時間從幾納秒到一毫秒不等。這就需要較大的結面積來促進電流的均勻分布,并需要用其他設計元件確保器件可以吸收預期的能量,避免造成損壞。
TVS 參數(shù)
TVS工作電壓是指器件對電路呈高阻抗時的電壓。通常所選TVS器件的工作電壓要盡可能接近電路工作電壓。在瞬態(tài)事件中,受保護線路上的電壓將快速升高。一旦超過TVS擊穿電壓,它就會成為傳導瞬態(tài)電流的低阻抗路徑。
在最大瞬態(tài)電流條件下,TVS兩端產(chǎn)生的電壓被稱為鉗位電壓。這個關鍵參數(shù)常常被忽略,因為它也是受保護電路兩端的電壓。如果超過了受保護IC 的最大功能限制,它可能會損壞。對高速電路的保護還面臨其他設計挑戰(zhàn),例如在不損害TVS傳導高能瞬變能力的前提下,降低TVS的有效負載電容。
降低鉗位電壓
在第一部分中,我們了解到瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS) 的鉗位電壓是關鍵的保護參數(shù)。TVS制造商一直在努力降低鉗位電壓,以適配不斷縮小的IC尺寸和對過電壓事件的更高敏感性。實現(xiàn)低鉗位電壓的一種方法是將器件設計為一旦觸發(fā)即可“折回”至較低電壓的結構。折回可深可淺,具體取決于預期的應用。實現(xiàn)深折回的一種方法是設計一種自觸發(fā)晶閘管TVS結構(圖4)。
圖4 深折回的TVS結構
使PNP晶體管的集電極-基極在特定電壓下?lián)舸憧蓪崿F(xiàn)自觸發(fā),并可通過TVS 結構精確控制。在瞬態(tài)事件中,TVS開始導通,電流流入NPN晶體管的基極。隨后電流被驅動到PNP晶體管的基極,依此類推,直到兩個晶體管都被驅動到飽和狀態(tài)。這樣兩個端子之間的電壓會突然折回或降至低電平。一旦瞬變消退,只要移除受保護線路上的電壓,器件就會返回到高阻抗狀態(tài)。這種保護解決方案的一個缺點是在某些應用中可能發(fā)生“閂鎖”。瞬態(tài)電壓事件觸發(fā)TVS時會發(fā)生閂鎖,并在瞬態(tài)消散后保持導通。雖然深折回器件提供了一些可行的最低鉗位電壓解決方案,但出于閂鎖考慮,可能需要使用非折回或淺折回器件。圖5 是典型的淺折回TVS 電路。
圖5 淺折回的結構
這里,TVS與具有浮動基極的晶體管的集電極-發(fā)射極并聯(lián)。基極被設計為一旦TVS開始導通,晶體管集電極-發(fā)射極兩端的電壓將迫使基極“穿通”。結果是輕微或“淺”折回特性。圖6 為TVS IV 特性曲線的對比。
圖6 TVS IV 特性
降低電容
TVS 必須提供針對瞬態(tài)事件的保護,而又不影響電路的正常工作。這很有挑戰(zhàn)性,因為參數(shù)通常相互沖突。例如,高速電路上使用的TVS 必須具有低電容以避免信號衰減。但器件吸收能量的能力與結面積有關。結面積越大,吸收的能量越多。不過結面積越大,器件電容也會增加,這是不利的一面。降低有效電容的常用方法是將低電容轉向二極管電路與TVS 結合使用(圖7)。
圖7 低電容 TVS
TVS 的電容實際上被“隱藏”在電路中。補償電路的設計要求二極管具有足夠大的面積,在正向偏壓條件下傳導瞬態(tài)電流,并且反向擊穿電壓應大于TVS 的擊穿電壓。符合這些要求的TVS 通常是單片器件。